掺Sm、Pr的MnBl合金薄膜的磁性、结构和磁光性能研究

讨论了掺 Ｓｍ 、 Ｐｒ 的 Ｍｎ Ｂｉ 合金薄膜的结构、磁性和磁光性能实验表明,经过退火处理（３７５ ℃～４２５ ℃／２ ～４ｈ） ,样品形成 Ｍｎ Ｂｉ 晶体结构掺杂含量 ｘ ＝ ０ ．１ ～０ ．２５ ,样品具有较大的 Ｋｅｒｒ 角（θ Ｋｍａｘ ＝ ２ ．５７°） ,内禀矫顽力 Ｍ Ｈ Ｃ＝ １ ．５ ～５ ．６ ｋ Ｏｅ ,剩余磁化强度 Ｍｒ ＝ ３ ．０ ～５ ．６ ｋ Ｏｅ ,剩磁比ｒ ＝ ０ ．８８ ～０ ．９８磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,样品 Ｋｅｒｒ 角的极大值向长波方向移动在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜（ ｄ ＜ ２５０ｎｍ ） 情况下矫顽力以形核机制为主     

电弧法制备了Fe—C合金超微粒的分析

用电弧法制备了以Ｆｅ和Ｃ为原材料的超微粒,通过Ｘ射线衍射,Ｘ射线光电子能谱,电子显微镜和电子衍射观测和分析了样品的形态,结构和成分,并与以Ｆｅ为原材料制备的微粒进行了对比分析,结果表明,用电弧法能够制备出含有ＦｅｘＣ１－ｘ相的合金超微粒,较Ｆｅ超微粒而言,含ＦｅｘＣ１－ｘ相的合金超微粒抗氧化能力有所增强。     

Fe_x(In_2O_3)_(1-x)磁性颗粒膜的微结构及光学性质

用射频溅射法制备了金属／半导体Ｆｅ_ｘ（Ｉｎ_２Ｏ_３）_(１－ｘ)颗粒膜。实验结果表明：纳米尺度的Ｆｅ颗粒比较均匀地分布在非晶态母体Ｉｎ_２Ｏ_３中。该样品在室温下表现出超顺磁弛豫，符合Ｌａｎｇｅｖｉｎ方程。光学测量表明：嵌Ｆ３的磁性颗粒膜，其电子的带间跃迁由Ｉｎ_２Ｏ_３的直接跃迁变为间接跃迁，基本吸收过红移；随磁性增强，局域态尾变宽，带隙变窄。     

机械合金化Co80P20合金的交流磁性

由行星式高能球磨机采用机械合金化法成功地将纯元素粉末Ｃｏ和Ｐ合成为非晶态Ｃｏ８０Ｐ２０合金。其结构由Ｘ射线衍射仪分析。讨论了交流磁性能随球磨时间的变化规律。在球磨时间为３０ｈ附近出现完全非晶相时样品的交流磁化率ｘ达极大值；而反映铁磁物质磁损耗性能的损耗因子ｔｇδ出现极小值。     

Co含量对Fe1—xCox—SiO2纳米合金颗粒体晶体结构和磁性的…

利用溶胶法制备了Ｆｅ１－ｘＣｏｘ－ＳｉＯ２纳米颗粒体材料，并首次利用Ｘ射线衍射仪，透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了这种材料中Ｃｏ含量对晶体结构和磁性的影响。结果表明，样品中Ｆｅ－Ｃｏ合金微粒的晶体结构与Ｃｏ含量的关系和大块Ｆｅ－Ｃｏ合金相似；合金微粒的比饱和磁化强度σｓ随Ｃｏ含量的变化规律与粉状纯Ｆｅ－Ｃｏ合金相似。     

Fe_（1－x）Ni_x合金超细微粒的磁性及穆斯堡尔谱研究

气相蒸发法制备的Ｆｅ１－ｘＮｉｘ合金超细微粒，平均粒径约为２０ｎｍ。利用振动样品磁强计、ｘ射线衍射分析仪以及穆斯堡尔谱仪分析了样品的磁性、相组成随ｘ的变化关系。结果表明：８０Ｋ和２９５Ｋ温度下，ｘ＝０．１０样品为铁磁性的ｂ．ｃ．ｃ结构马氏体相与顺磁性的ｆ．ｃ．ｃ结构奥氏体相共存；当ｘ＝０．２５～０．３０，样品中只单独存在ｆ．ｃ．ｃ结构的顺磁相；ｘ≥０．５０时，样品为ｆ．ｃ．ｃ．结构的顺磁相和铁磁相共存。顺磁相被认为是反铁磁相温度超过Ｎｅｅｌ点形成的。磁性随ｘ的变化趋势与块材基本一致     

La1—xCaxMnO3多晶材料的巨磁阻特性

用传统的电子陶瓷工艺制备了Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１５，０．３，０．４，０．５，０．６７，０．７）的系列多晶样品，测量了样品的直流电阻率随温度（４￣３００Ｋ）、磁场的变化（０￣８Ｔ）。结果表明：ｘ＝０．３的样品具有最好的磁阻效应，ｘ＝０．１５，０．６７的样品在测量范围内没有巨磁阻效应，但ｘ＝０．７的样品出现较弱的巨磁阻效应，其金属－半导体转变温度为１０５Ｋ。     

高密度磁记录用Co—Sn替代钡铁氧体微粉的结构与磁性

对玻璃陶瓷法制备的ＢａＦｅ１２．２ｘ（Ｃｏ－Ｓｎ）ｘＯ１９的Ｃｏ－Ｓｎ替代钡铁氧体微粉的磁性作了介绍，研究了微粉粒子的晶化过程：微粉的磁性对粒子形态、结构及Ｃｏ－Ｓｎ替代量ｘ的依赖关系；微粉矫顽力与温度的依赖性；测量并讨论了粒子表面自旋对饱和磁化强度的影响。     

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．     

掺Sm、Pr的 MnBi合金薄膜的磁性结构和磁光性能研究

讨论了掺Sm、pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能。实验表明,经过退火处理(375℃~425℃/2~4h),样品形成MnBi晶体结构。掺杂含量x=0.1~0.25,样品具有较大的Kerr角(θ(Kmax)=2.57°),内禀矫顽力_MH_c=1.5~5.6KO_e,剩余磁化强度σ_r=30.0~52.3KO_e,剩磁比r=0.88~9.98。磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,MnBi样品Kerr角的极大值向长波方向移动。在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d<250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。     

La1—xAgxMnO3多晶非均匀匀颗粒系统的巨磁电阻效应

采用固相烧结法制备了名义成分为Ｌａ１－ｘＡｇｘＭｎＯ３（０≤ｘ≤０．５０）的大块多晶样品，并且首次研究了它们的巨磁电阻效应，分析表明：当ｘ≤０．２５时，样品基本上由单一的钙钛矿结构相组成；当ｘ〉０．２５时样品明显由两相组成，钙矿结构相和富Ａｇ合金相，它们组成了一个非均匀的颗粒系统，在ｘ＝０．３０时，具有高达２５．５％的巨磁电阻效应，非均匀颗粒系统呈现的磁电阻效应与电子在两相颗粒界面的自旋相关散射有     

N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ〉０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化。     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

溶胶—凝胶法制备Li2＋xNdxSi1—xO3及其离子导电性研究

采用溶胶－凝胶法制备Ｌｉ２＋ｘＮｄｘＳｉ１－ｘＯ２（ｘ＝０￣０．１５）,用ＤＴＡ,ＸＲＤ,ＴＥＭ核对样品的结构,形貌、粒径及离子导电性进行了观察和测试,结果表明：其固溶体形成范围是０〈ｘ≤０．０９,在固溶体范围内,样品电导率随掺杂量增加而增高,平均粒径为０．２μｍ,与传统固相合成方法相比,该法可使样品的生成温度降低,离子导电性得到提高。     

射频溅射法制备Pb1—xCoxSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体Ｐｂ１－ｘＣｏｘＳｅ薄膜研究了薄膜的成分结构以及电阻率－温度特性和磁化率温度特性间的关系，结果表明，由于Ｃｏ离子介入，Ｐｂ１－ｘＣｏｘＳｅ发生了由金属特性的向半导体特性的转变，在充分低的温度下，并伴有磁相转变，磁相转变温度与磁性离子浓度相关，磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关。     

La0.822Sr0.178MnxO3薄膜电磁性质的研究

报道了用Ｌａ、Ｓｒ、Ｍｎ的环烷酸盐溶液,采用两次旋转覆盖的溶胶－凝胶方法在ＬａＡｌＯ３（１００）基底上合成了Ｌａ０．８２２Ｓｒ０．１７８ＭｎｘＯ３薄膜。阻温特性测量表明：当ｘ＝０．９时,样品是绝缘体;当ｘ≥０．９４４时,随着ｘ的增加,磁转变温度Ｔｃ增加,电阻率降低,用该方法得到样品的Ｔｃ比其它方法得到的Ｔｃ要高。     

应用MFT分析R2Fe17—xMx（R=Rr,Nd;x=0.2;M=Al,Ga）…

用两亚点阵ＭＦＴ分析了Ｒ２Ｆｅ１７－ｘＭｘ合金的饱和磁化强度与温度的关系。得到了分子场系数ｎＲＲ、ｎＲＦ和ｎＦＦ，计算出了居里温度，给出了分子场ＨＲ（Ｔ）、ＨＦｅ（Ｔ）与温度的关系曲线。计算结果表明，在Ｒ２Ｆｅ１７中用Ａｌ、Ｇａ替代部分Ｆｅ离子场系数ｎＦＦ明显增大，除Ｐｒ２Ｆｅ１７的ＨＲ（Ｔ）外，分子场强度在很大温度内显著增加。     

ZnxSy-原子簇离子的激光产生和质谱分析

用高能量密度的脉冲激光束在高真空中溅射锌粉与硫娄的混合样品，产生了较丰富的ＺｎｘＳｙ＾－族离子，对其飞行时间质谱进行了分析，发现所有的簇离子均可归属于ｙ＝ｘ，ｘ＝１￣１２；ｙ＝ｘ＋１，ｘ＝１￣２５；ｙ＝ｘ＋２，ｘ＝１￣２５三个系列，其中ｙ＝ｘ＋１系列信号明显较强。     

钙钛矿锰氧化物Pr1-xCaxMnO3(0.3≤x≤0.5)的结构和磁性研究

通过固相反应法合成了Pr1-xCaxMnO3(x＝0.3,0.4,0.5)系列多晶样品,对样品的结构和磁性进行了研究.XRD检测结果发现,样品均为单相,空间群为Pbnm.用超导量子磁强计(SQUID)对样品的磁性进行了研究,着重分析了掺杂浓度为x＝0.4的Pr0.6Ca0.4MnO3样品.从测得的M-T曲线可知,在降温过程中,样品经历了电荷有序转变和反铁磁转变,电荷有序温度TCO=250K,反铁磁转变温度TN=170K.通过不同温度的M-H曲线,证实了样品在各个阶段的磁有序转变.     

Ba_(1-x)Eu_xMgF_4 复合氟化物的发光性质与结构

对于Ｂａ１－ｘＥｕｘＭｇＦ４体系，当Ｅ２＋ｕ掺杂浓度（ｘ）小于０．１０时，其发光性质与前人研究结果相同。当Ｅ２＋ｕ掺杂浓度（ｘ）大于０．１０时，样品的发射光谱、激发光谱与荧光衰减情况都发生了明显改变。ｘ射线衍射证明，这是由于结构的改变引起的。