长余辉荧光粉SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的包膜研究

以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法对长余辉荧光粉SrAl2O4:Eu2+,Dy3+表面包覆SiO2膜,并对膜层进行了耐水性、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和发光性能的测试.结果表明,样品被包覆致密的SiO2膜,耐水性也得到显著的提高.在纯水中,未包膜的样品2 h内完全水解,而包膜后的样品在10 h后pH值变化不大.同时,包覆的膜层对荧光粉的发光性能影响很小.     

碳纤维/ZnO复合材料的制备和性能研究

通过对碳纤维表面进行修饰,利用低温液相沉淀法制备了碳纤维/ZnO复合材料并对其结构、形貌和发光性能进行了研究.结果显示,样品的紫外-可见吸收峰约为376nm,相应的带隙宽度约为3.30eV.由样品的荧光光谱得出,样品除了具有位于384nm的微弱的近带边紫外发光峰之外,还有位于597nm的强的绿光发光带.样品经过退火之后,绿光峰降低.这可能归于ZnO中氧空位的减少.通过对原始样品和经过退火处理样品的荧光光谱的研究得出,样品的绿光发射归于氧空位.     

蓝色荧光硫化锌材料的制备及其发光特性

采用热扩散掺氯的方法,制备了在室温紫外光激发下发射蓝色荧光的硫化锌粉末荧光材料.用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)研究了不同扩散温度下得到的样品的晶格结构和形貌;用荧光光谱(PL)仪测量了不同扩散温度下制备的样品的荧光光谱,得出700~1 000℃是扩散掺杂氯制备蓝色荧光硫化锌材料的温度条件,并对发光样品的发光机理进行了研究.     

热处理温度对AlP/SiO_2纳米复合材料发光的影响

对不同温度热处理的xAlP/1 0 0SiO2 纳米复合材料的光致发光进行了研究 .结果表明 ,50 0℃热处理的样品光致发光谱只有位于 585nm附近的发光峰 ,它来源于表面态和缺陷复合发光 .6 0 0℃热处理的样品有两个发光峰 ,分别位于 585nm和6 35nm附近 .分析认为 ,6 35nm处的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光 ;材料热处理温度的提高有利于晶粒的生长 ,从而使表面态和缺陷发光明显减弱 ,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰     

退火对Er3+和Yb3+共掺氟氧化物微晶玻璃样品上转换发光的影响

测量了Er3+和Yb3+掺杂氟氧化物微晶玻璃退火前后两种样品的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化,并对比讨论了其上转换发光特性.     

不同激发波长下多孔硅的光致发光研究

采用阳极氧化法腐蚀n型Si(111)片,制备了多孔硅样品.利用荧光分光光度计对样品光致发光和光致发光激发特性进行了研究,发现多孔硅样品的光致发光谱上有2个发光峰,其中心分别位于640 nm和565 nm.基于前人的报道和本实验结果的分析,认为多孔硅的光致发光来源于纳米硅颗粒中光生载流子弛豫到其表面态上然后发生辐射复合.进一步通过实验证明,640 nm处的发光峰与纳米硅颗粒表面的Si-O复合物有关,而565 nm处的发光峰与其它发光中心有关.     

多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究

【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构GaN材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构GaN的发光机制。【方法】对样品进行变温光致发光谱测试,从发光强度和发光峰位两个角度研究样品的发光机制。【结果】在10～300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K时出现峰值波长为361nm的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm附近带边发光光子能量与温度的变化规律与Vanshni经验公式吻合,369nm附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈"S"型。     

固态基质环境下DCM荧光过程分析

DCM(4-二氰基甲基-2-甲基-6-(p-二甲基胺苯乙烯)H-吡喃)分子被广泛应用于激光器、有机发光二极管等器件,但针对于其在固体基质时的不同质量分数及温度下,对发光光谱和荧光寿命的研究相对较少.故而本文将不同质量的DCM溶解在PMMA(甲基丙烯酸甲脂)中,测量了在不同温度下,质量分数为1%和5%DCM样品的发光光谱及其动力学曲线.实验发现,质量分数为1%的DCM样品在温度35~295 K时基质极性无明显变化,而质量分数为5%的DCM样品,在195~295 K 时基质极性减小.实验还发现质量分数为1%和5%的DCM样品在温度下降过程中均表现出发光增强和荧光寿命增加的现象.     

释光断代相关矿物样品的三维热释光谱*

天然矿石的释光常应用于地质年代测定。选择几种有代表性的天然矿石,如石英、钾长石、钠长石和莫来石等样品,测定了三维热释光谱图。实验观察到石英样品发光波长位于350 nm到600 nm范围,发光主要是低温峰,其中江西广丰的石英样品发光较弱,而甘肃崆峒山的石英样品的发光较强,显示矿石的发光特性与样品来源相关。长石样品的热释光发光峰组成复杂,从300 nm到750 nm范围均有发光,且具有明显的高温发光峰。实验结果也显示出钠长石和钾长石样品具有不同的发光特征。石英和长石的发光波长均较宽,且覆盖检测滤光片的波长范围,因此对测年结果产生较大的影响,而莫来石样品的发光强度较弱,且主要发光波长大于600 nm,其发光对年代测定影响较小。     

多孔硅的制备和光致发光

用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性．发现随着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝移。用ＫＯＨ溶液和水对多孔硅处理，发光光谱有明显变化。解释了有关发光现象。     

无机晶体材料中色心的形成及其存储机理的研究

BaFBrEu2+作为一种优良的光激励发光材料,广泛使用于诸多方面.本论文研究了在BaFBrEu2+中掺杂金属离子,促使其激励波长红移,以适应小巧、价廉的半导体激光器.并且研究了掺杂不同的金属离子对BaFBrEu2+激励波长的影响,从色心的角度分析了其红移现象.     

燃烧法制备(Ca1-xSrx)S:Eu2+红色荧光粉的发光性能研究

利用硝酸盐和含硫燃烧剂硫脲(CH4N2S)的氧化还原反应,通过燃烧法在较低的起始温度(500～550 ℃)下合成了白光LED用红色荧光粉(Ca1-xSrx)S:Eu2+,并研究了实验过程中各种实验条件对其发光性能的影响.XRD图像表明不同物质的量比的Sr与Ca合成的荧光粉均为立方相的(Ca1-xSrx)S:Eu2+.SEM图像表明燃烧法合成的(Ca1-xSrx)S:Eu2+的晶体粒径为微米量级,且颗粒均匀.当n(Sr)∶n(Ca)=1时,它的激发谱为1个覆盖430～500 nm的宽带,发射谱为峰值位于624 nm的宽带.当Eu2+的摩尔分数为0.008时,发光强度达到最大值.所得前驱物在1 100 ℃的马弗炉中退火5 h,发光强度与结晶度将进一步提高.与高温固相法相比,激发光谱与发射光谱没有明显变化,燃烧法生成物分散性好,反应初始温度比较低(500 ℃左右),反应时间短(10 min左右).反应所用的硫脲价格低廉,反应速度快,是一种实用的燃烧剂.     

水热法制备非稀土元素Mn掺杂的SrGe_4O_9红色荧光粉及其发光性能

采用水热法合成Mn4+掺杂的SrGe4O9红色荧光粉,利用X射线衍射仪(XRD)和荧光光谱仪(FS)表征荧光粉的晶体结构并分析其荧光性质,利用电子顺磁共振谱(EPR)确定Mn的化学形态.讨论掺杂不同摩尔分数Mn4+对样品发光强度的影响,并比较水热法与固相法制备荧光粉的发光特性.结果表明,SrGe4O9∶Mn4+在423nm激发下发射656nm红光,对应于Mn4+的2E2→4A2跃迁.     

掺杂元素对BaAl12 O19:Mn2+荧光粉发光性能的影响

使用高温固相反应法合成了BaAl12O19:Mn2 荧光粉,研究了Mg,Sr,Eu掺杂元素对荧光粉发光性能的影响.研究结果表明:Mg,Sr的掺杂明显改善了荧光粉的结晶状况,有效地改善了其在VUV激发下的发光性能;随着Mg摩尔分数的增加,相对亮度先升高后降低,色品性能变优;随着Sr摩尔分数的增加,亮度呈先升高再降低的趋势,色坐标变化不大;Eu的掺杂对BaAl12O19:Mn2 荧光粉的发光性能起不利影响,使发光亮度降低、色坐标变差,且使抗热劣化性能明显下降.     

稀土掺杂荧光材料CaMoO4:Eu3+的制备及发光性研究

以钼酸铵、硝酸钙和三氧化二铕为原料,通过化学沉淀法制备稀土掺杂的发红光材料CaMoO4:Eu3+,并利用X射线衍射、激发发射光谱对粉体的结构、发光性能进行了表征.实验结果表明,在反应溶液pH值为7、反应温度为60℃、烧结温度为900℃、掺入物质的量分数为25%的Eu3+的工艺条件下制备了质量性能优良的CaMoO4:Eu...     

新型LED红色荧光材料Ca_xSr_(1-x-y-z)MoO_4:yEu~(3+);zNa~+的制备和表征

利用Na+为电荷补偿剂制备CaxSr1-x-y-zMoO4:yEu3+,zNa+红色LED荧光粉体.研究了电荷补偿剂的用量、基质材料中Ca2+的含量、合成温度、反应时间及发光中心Eu3+摩尔分数对荧光材料晶体结构和发光性能的影响.结果表明:最佳工艺条件为电荷补偿剂摩尔分数为6%,Eu3+摩尔分数为8%,Ca2+摩尔分数为60%,反应温度900℃和反应时间2 h.光谱测试结果表明,该荧光材料可被311,395或465 nm有效激发,发射峰在616 nm.     

红色荧光粉Ca_3B_2O_6:Eu~(3+)的制备及发光性能

采用高温固相法合成了Ca3B2O6:Eu3+红色荧光粉,并对其发光性质进行了研究.样品的激发光谱由位于220~350 nm的带状谱和350~500 nm的一系列窄带组成,这些窄带是由Eu3+的f-f跃迁引起的,光谱峰值分别为280,396和469 nm.它可以被近紫外光辐射二极管管芯产生的350~410 nm辐射有效激发.用396 nm激发得到样品的发射光谱,峰值位于578,590,610,618和650 nm,分别由Eu3+离子的5D4→7FJ(J=0,1,2,3)跃迁引起的.研究了Eu3+离子浓度和电荷补偿剂对发射光谱的影响.结果显示随着Eu3+浓度增加,发光强度逐渐增强,未发现浓度猝灭现象.掺入Li+,Na+,K+3种离子作为电荷补偿剂,均提高了样品的发光强度,其强度从大到小依次为I(Li+)I(Na+)I(K+),说明Li+是最佳的电荷补偿剂.     

Li6(La2Ca)Nb2O12荧光粉中掺杂Mn4+的发光特性

用高温固相法制备非稀土掺杂的Li₆(La₂Ca)Nb₂O₁₂∶Mn⁴⁺远红色发光荧光粉, 并通过X射线衍射和光谱技术研究荧光粉的晶体结构和发光性质. 结果表明, 在Li₆(La₂Ca)Nb₂O₁₂∶Mn⁴⁺的荧光光谱中, 以327,494 nm为中心出现2个宽激发带, 在700 nm远红光区出现Mn⁴⁺的²E_g→⁴A_2g跃迁发射峰, 其活化能ΔE=0.437 eV, 即该荧光粉具有较好的热稳定性.     

Photoluminescence and cathodoluminescence properties of CaLaGa<Subscript>3</Subscript>O<Subscript>7</Subscript>:Eu<Superscript>3+</Superscript> phosphors

The CaLaGa₃O₇:Eu³⁺ phosphor was prepared by a chemical co-precipitation method. Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), laser particle size analysis, X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), and cathodoluminescence (CL) spectra were utilized to characterize the synthesized phosphor. The results revealed that the phosphor was composed of microspheres with a slight agglomerate phenomenon and was spherically shaped. The average grain size was about 1.0 μm. Eu³⁺ ions, as luminescent centers, substituted La³⁺ ions into the single crystal lattice of CaLaGa₃O₇ with the sites of C_s. Although the CL spectrum was greatly different from the PL spectrum, it had the strongest red emission corresponding to the ⁵D₀ →⁷F₂ transition of Eu³⁺. Under the excitation of UV light (287 nm) and electron beams (1.0–7.0 kV), the chromaticity coordinates of the phosphor were found to be in the nearly red and orange light regions, respectively.     

红色荧光粉Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)的制备及发光性能

采用高温固相反应成功地制备出Mn~(4+)激活的Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)红色荧光粉,并对它的结构及发光性能进行了测试表征.实验结果表明:合成的样品能被270~570 nm的紫外光和蓝光有效地激发,产生很强的红光发射.样品的主发射峰位于660 nm左右,这对应于Mn~(4+)的2E2→4A2跃迁.通过Mn~(4+)掺杂浓度的调控,优化了Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)的发光性能.最后将优化后的Mg_2TiO_4∶0.002 5Mn~(4+)荧光粉和YAG涂覆于~465 nm发射的Ga N芯片上,制作成暖白光发光二极管(LED).该LED器件表现出很强的暖白光发射.