关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试

静电放电(electrostatic discharge,ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits,ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,EOS)破坏的主要原因。而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式．因此要在IC中加入相关的保护电路,对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试。     

单相电源变为三相对称电源的电路设计

用1个电感、1个电容和3个相同电阻,设计了1个将单相电源变为三相对称电源的转换器.实验证明:该电路经济实用,成本低.适合只有单相电源家庭和大部分规模较小的农村中小学,在不必进行电路改造的情况下,就可以从单相电源中得到三相对称电源,极大地方便了人们的生活,改善了农村中小学实验教学条件.     

一种互补式LVTSCR的CMOS芯片ESD保护方法

为实现对CMOS芯片进行ESD防护提出了一种互补式LVTSCR结构,给出了该结构横切面电路模型以及等效电路,分析了工作原理及可行性,并与现有的ESD保护结构进行对比分析,采用ISE-TCAD工具进行仿真实验.结果表明:该结构具有占用面积小,单位面积防护效率高的特性,可有效降低成本.     

基于MC34063的便携式仪器电源电路设计

电源是电子设备的重要组成部分,电源质量直接影响到系统的性能和硬件的使用寿命。提出了一种基于MC34063的适用于便携式仪器的电源电路设计,该电路具有多路输出、外围电路简单、转换效率高且新颖实用等特点。详细论述了选型的依据及其工作原理;然后通过计算电路参数,完成了具体电路的设计;最后对电源的几个重要的性能指标进行了测试,测试结果验证了该电源电路具有良好的稳定性和高效的实用性。     

航天相机地检设备电源管理系统设计

为预防调试时交流220 V经地检设备串入航天相机而引起损坏,采用铅酸蓄电池对地检设备供电,设计了航天相机地检设备的电源管理系统.介绍了铅酸蓄电池和DC-DC转换电路的特点并对电源管理系统的硬软件进行了设计.采用4个阶段快速充电法以满足提高蓄电池寿命和快速充电要求;采用DC-DC降压电路产生输出电压以提高蓄电池能量的利用...     

一种基于PWM电源管理芯片的振荡器电路设计

在PWM方式的电源管理芯片中,振荡器电路是一个重要的组成部分.本文就PWM电源管理芯片提出了一种新的振荡器电路设计.电路设计中采用外接电容的方法,从而可以通过控制外接电容的大小来控制电路的周期.所设计的电路能够满足PWM电源管理芯片的要求,该芯片已被应用于实际工作中.     

电子设备电源系统的过电压保护

阐述了电子设备电源系统过电压保护的重要性及其保护原理，针对过电压侵入电源系统中配电变压嚣、交流电源、直流电源的途径及电子设备对过电压保护的要求．从防过电压技术方面提出了行之有效的防护措施．     

ATX电源的结构和常见故障分析

介绍了ATX电源的结构，对ATX电源常见故障进行了，指出了维修要点。     

电源的截止型过流保护电路设计

提出了利用晶闸管和电压比较器来设计截止型过流保护电路,分析了截止型过流保护电路的工作原理。实验测试表明,该保护电路具有保护灵敏度高、响应速度快、可靠性强的特点。     

测电源电动势和内电阻的常见图像处理的方法

本文从高考物理命题出发,介绍了几种常见测定电源电动势和内阻的图像处理办法。     

一种片上低触发电压高耐压NMOS ESD防护结构设计

设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护结构在深亚微米CMOS电路中的ESD防护能力.该结构最终在CSMC HJ018工艺流片,并通过TLP测试平台测得触发电压低于10V,二次击穿电流3.5A,达到设计要求.     

运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25 μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD (electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.     

低噪声放大器通过匹配网络的ESD保护设计

将GaAs PHEMT工艺设计应用于北斗卫星导航的LNA电路, 工作频率为2.45 GHz, 噪声系数为0.55 dB, 并在输入输出的匹配网络上添加ESD保护。通过使用ADS2011进行仿真, 对比分析有ESD保护的电路与没有ESD保护的电路, 得到以下结论: 虽然考虑ESD保护使电路的性能有一些下降, 如增益从16 dB下降到15 dB, 但噪声系数几乎没有变化; 加入ESD保护后, 可以极大地提高电路整体的性能和鲁棒性, 使电路能够很好地抵抗静电干扰。     

纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究

提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路, 能够减小MOS电容栅极?衬底之间电压差, 降低电路的泄漏电流, 抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明, 在电路正常上电时, 泄漏电流只有24.13 nA, 比传统ESD电源钳位电路的5.42 μA降低两个数量级。     

静电放电危害及防护技术研究

静电放电会使电子元器件失效或存在隐患,它对电子产品的生产和组装会造成难以预测的危害。在介绍静电产生的原因及静电放电对电子产品造成的危害基础上,重点探讨了静电放电的防护技术。     

静电放电模拟器校验装置的设计与实现

根据IEC61000-4-2标准要求设计了一套静电放电模拟器校验装置,该装置能够对静电放电电流波形进行采集和分析,来检验静电放电模拟器是否符合要求。在该装置中用Labview7．0设计了一套软件,通过USB-GPIB总线完成对放在屏蔽室内的数字示波器的控制,提高了这套设备的自动化程度,使测试结果更加准确。     

ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法

基于ESD应力下栅接地N型MOS管（GGNMOS）的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响。     

ESD模拟器校验装置的设计与实现

本文根据IEC 61000-4-2标准要求设计了一套静电放电模拟器校验装置,该装置能够对静电放电电流波形进行采集和分析,来检验静电放电模拟器是否符合要求.在该装置中我们用Labview7.0设计了一套软件,通过USB-GPIB总线完成对放在屏蔽室内的数字示波器的控制,提高了这套设备的自动化程度,使测试结果更加准确.     

绝缘垫在火箭弹静电防护中的作用

针对电发火弹药静电放电中的绝缘垫作用问题,以63式130 mm火箭弹为例,采用相对静电感度测试系统测试两种电火工品不同条件下50%的临界发火电压.使用升降法统计不同条件下50%临界发火电压估计值,通过比较相同条件下有无绝缘垫时的电压,发现二者的差值在标准误差范围内.这表明可以将弹体所接受的能量视作全部作用于火工品上,绝缘垫起不到防静电作用,必须采用其它的静电防护措施杜绝电发火弹药的意外发火.