变色电致发光显示器的光谱研究

对大部分电致发光显示器而言，发射光谱随激发电压的变化是不明显的，仅随激发频率而变化．本文所研究的特殊的ＺｎＳ：Ｍｎ．Ｃｕ材料，情况有所不同，发射光谱随激发电压的变化非常明显．随激发电压的增加，光谱从蓝到绿直至变为橙黄色．随激发频率的增加，光谱逐渐变蓝，这就是变色的电致发光．本文重点研究发射光谱随激发电压的变化，并讨论了随激发电压的增加，发射光谱中蓝带和黄带增长速度不同的原因是由于激发机理不同而引起的．     

光声光谱法测定粉末ZnS：Mn中Mn^2＋的量子效率

测定了粉末ＺｎＳ：Ｍｎ的光声光谱和荧光激发光谱，并通过漫反射光谱反映Ｍｎ２＋不同能态对光的吸收；测定了粉末ＺｎＳ：Ｍｎ中Ｍｎ２＋五个激发态的量子效率，对三种光谱的分析表明光声光谱同荧光激发光谱具有互补性．这种新方法可望用于其它粉末状发光材料．     

ZnS：Cu,Cl,Er直流电致发光薄膜激发机制的研究

研究了ＺＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ薄膜器件在不同宽度的矩形脉冲激发下，器件在激发时间发光的瞬态特性，提出了能量传递模型，实验曲线拟合结果表明：器件的激发过程中存在能量传递。     

陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备

为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn 的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS∶Mn发光层具有良好的光电特性.     

Ca_8Zn（SiO_4）_4Cl_2：Eu~（2＋），Mn~（2＋）荧光体中Mn~（2＋）的晶晶学格位及Eu~（2＋）－Mn~（2＋）间能量传递

合成了Ｃａ８Ｚｎ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ（２＋），Ｍｎ（２＋）荧光体，对荧光体进行了结构和光谱的测试与分析．结果表明，Ｍｎ（２＋）优先占据四面体配位的Ｚｎ格位，Ｅｕ（２＋）－Ｍｎ（２＋）之间存在着有效的能量传递．     

采用Q—V系统研究掺稀土ZnS薄膜电致发光

Q-V特性测试系统及亮度测试系统对ZnS:RE及ZnS:REF_3 器件进行传输电荷密度、器件阈值电压、器件各层电容、输入电功率密度及发光亮度等参数的测量,通过实验公式对各项参数定量计算,作出特性曲线,并对结果作了讨论。     

Cu+对 ZnS:Cu电致发光材料光致发光光谱的影响

以ZnS为基质材料,在其中掺入Cu+,使其质量比分别为0.05%,0.10%,0.15%,0.20%,0.25%,制得5个不同的ZnS:Cu电致发光材料样品.通过对样品材料光致发光光谱的分析和电致发光亮度的测量,发现随着Cu+含量的增加,样品材料的光致发光光谱波长由480 nm逐渐变为520 nm,即由蓝色变为绿色.当Cu+的质量比高于0.15%,虽然发光中心数目增加,但光致发光光谱的强度降低,电致发光亮度减弱.得出结论:Cu+与ZnS的质量比为0.15%时,ZnS:Cu电致发光材料的光致发光光谱峰值最大,电致发光亮度最高.     

有机薄膜器件中Tb~（3＋）的电致发光

研制了用有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ做发射层的绿色发光二极管，二层结构为玻璃衬底ＩＴＯ／芳香族二胺类衍生物ＴＰＤ／Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ／Ａｌ．各功能层均用真空热蒸发的方法制备．在正向直流偏压驱动下获得了Ｔｂ（３＋）的特征发光，同时还发现一个峰位４２５ｎｍ的蓝光发射，它来源于空穴输运层ＴＰＤ．在室温条件下器件的阈值电压为５Ｖ，当驱动电压提高到１５Ｖ时，器件的最高发光亮度达到２００ｃｄ／ｍ２．讨论了器件的有机电致发光与各功能层膜厚及驱动电压的关系，同时发现有机材料Ｔｂ（ＡｃＡ）３·ｐｈｅｎ能够传输电子．探讨了有关稀土有机电致发光的发光机理等．     

ZnS:Cu的电致发光特性

为了以ZnS为基质材料获得蓝色电致发光 ,烧结了ZnS :Cu ,进而制备了薄膜电致发光显示器件 .测量了其电致发光光谱 ,发现它具有 4个峰 .研究了发光强度随电压、频率变化的规律 .结果表明 ,利用ZnS :Cu可获得蓝色电致发光 .     

ZnS电致发光材料中电离杂质的散射

基于量子理论中分波法的思想,利用相移分析的方法,建立了电致发光材料中电离杂质对电子散射的物理模型,通过数值分析,得出了散射概率随电子能量、温度、杂质电荷及杂质浓度的变化规律.     

ZnS：Mn/PVP膜的合成及表征

采用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为分散剂,乙醇和水作为溶剂,合成ZnS：Mn/PVP溶液,主要研究了ZnS：Mn/PVP溶液合成时,加热或不加热分别对膜的光致发光谱所产生的影响。实验结果表明,加热有助于Mn2＋在硫化锌基质中的掺杂。荧光光谱的发射峰在600nm附近,为锰的4T1→A61的跃迁发射峰,Mn2＋在ZnS中为分立发光中心。通过XRD测试发现,ZnS：Mn为立方晶型结构,平均尺寸10nm。通过荧光照片更直观地看到了ZnS：Mn/PVP的发光颜色,这种材料在光电材料方面有巨大的应用价值。     

V^2＋在ZnS中光谱的理论计算

用分子轨道理论推导了3d^3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V^2＋在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V^2＋在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验.     

Mn/ZnS量子点的制备及表征

为了得到晶型稳定、荧光性可控的Mn/ZnS量子点,用锰、锌、硫的盐溶液进行制备,以X射线衍射、原子吸收光谱、荧光光谱、原子力显微镜扫描等手段进行了表征.利用原子力显微镜可以观察量子点的形貌及分布情况,并能鉴别出Mn2+特殊的形貌结构.结果表明,不同锌硫比条件下的晶面取向稳定,并且锰离子成功掺入了ZnS晶格.不同锌硫比导致发光强度有所不同,在锌硫比为1∶1时,Mn/ZnS发光强度最大.该方法制备出的Mn/ZnS量子点晶型稳定,并且具有可控的荧光性.     

RBCdF_3：Mn~（2＋）光谱和EPR谱的解释

本文解释了由旋轨耦合引起的ＲｂＣｄＦ＿３：Ｍｎ￣（２＋）光谱分裂和ＥＰＲ立方零场分裂。     

用化学合成法制备ZnS∶Mn纳米晶

本文报道了一种用化学合成法制备硫化锌掺锰纳米晶的方法．制成的两种纳米晶直径分别为３．０ｎｍ和３．６ｎｍ，紫外吸收峰分别在２６１ｎｍ和２７７ｎｍ，相对于体材料吸收带边的３４０ｎｍ有明显的蓝移．用３１０ｎｍ光激发的发射光谱峰值分别为５７９ｎｍ和５８２ｎｍ，表明锰已掺入ＺｎＳ纳米晶之中．     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.