在极性晶体中表面或交界面极化子的性质

不少极性晶体,电子与表面声学声子、体纵光学声子耦合弱,但与表面光学声子耦合强。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以表面声学声子的影响,研究这类极性晶体中的表面或交界面极化子的性质。采用线性组合算符和一种简单的么正变换,导出其有效哈密顿量和基态能量。     

二维磁极化子的基态能量

本文研究晶体中通过形变势二维磁极化子的性质,采用线性组合算符法和变分法导出了二维电子与表面光学（ＳＯ）声子和表面声学（ＳＡ）声子弱耦合二维磁极化子的基态能量。     

声学形变势表面磁极化子的温度特性

采用线性组合算符方法,讨论了极性晶体内与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面磁极化子的温度特性,结果表明：振动频率随温度的升高而减小,诱生势随温度的升高而增大。     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅱ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的温度效应。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的温度特性,研究了表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性。第四节用线性组合算符和拉格朗日乘子法研究了二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面磁极化子的性质。     

二维非极性晶体中的声学激子

本文研究二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强耦合激子的性质,采用线性组合算了表拉格朗日乘子法,导出了强耦合情形下非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量,得到符和面激子的重正化质量。     

二维非极性晶体中声学激子的性质

本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。     

极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

半无限晶体中与声子普适耦合的表面电子

电子在半无限晶体内表面附近运动时,不仅受到表面光学声子和体纵光学声子的影响,而且还受表面声学声子的影响。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子的影响,研究半无限晶体中与声子普适耦合的表面电子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,分别导出了在强、弱耦合情形下表面电子的有效哈密顿量,得到了强、弱耦合表面电子的重正化质量。     

半无限晶体中表面电子的性质

本文同时考虑了体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子的影响,研究半无限晶体中表面电子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出电子与体纵光学声子、表面光学声子耦合强与表面声学声子耦合弱情形下表面电子的有效哈密顿量和重正化质量。     

电子-声子相互作用对压电表面态的影响

采用LLP中间耦合方法，研究了电子—声子相互作用对压电表面的影响．结果表明，当电子接近晶体表面处时，表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大．尤其是电子—压电声子耦合较强的化合物，压电声子对电子在表面的束缚比光学声子的束缚强很多．因此，研究压电材料的电子表面态时，应主要考虑压电声学声子．     

有限温度下极性晶体中表面磁极化的有效质量

在磁场中有不少的极性晶体，电子和体纵光学声子的耦合弱，而与表面光学声子的耦合强。本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱，与表面光学声子耦合强时温度对表面磁极化子的特性的影响，用改进的线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性。对AgCl晶体进行了数值计算，结果表明，极化子的振动频率和有效质量随温度的升高而减小。     

极性晶体膜中的强耦合磁极化子

应用变分法研究了极性晶体膜中强耦合磁极化子的性质,给出基态和激发态的系统能量,重点研究了系统处于基态和激发态时的电子－表面声子相互作用能．计算结果表明,在磁场强度一定的条件下（Ｂ＝９Ｔ）,电子－表面声子相互作用能随着膜厚的增加而减小;在一定膜厚的条件下（Ｗ＝３ｎｍ）,电子－表面声子相互作用能随着磁场强度的增加先增大而后缓慢减小,当Ｂ＝３０Ｔ时,｜Ｖｅ－ＳＯ（１）｜和｜Ｖｅ－ＳＯ（０）｜之间的差最大．     

极性半导体中表面磁极化子有效质量的性质

本文研究极性半导体中电子表表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质，讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有有效质量的影响。     

极性板中的电子─—声子的强耦合系统

极性板中的电子─—声子的强耦合系统广州师范学院物理系黄卓和，陈传誉直到现在，极性板（ｓｌａｂ）中电子一声于相互作用，人们只做了弱耦合的情况．１９７７年Ｌｉｃａｒｉ导出了极性板中电子与ＬＯ声子以及ＳＯ声子相互作用的哈密顿量［１］，１９８６年Ｘ．Ｌｉａｎ...     

极性半导体中表面磁极化子有效质量的性质

本文研究极性半导体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质 ,讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作。在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学(SA)声子系的哈密顿量出发，用线性组合算符和么正变换法研究与S0和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质。在第二节中研究了与S0声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率，诱生势和有效质量的性质。在第三节中研究了与S0声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应。在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和η的变化规律。在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、诱生势和有效质量的影响。     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.     

二维磁极化子的基态能量

本文研究晶体中通过形势二维磁极化子的性质,采用线性组合算符法和变分法导出了二维电子与表面光学声子和表面声学声子弱耦合二维磁极化子的基态能量。     

纯二维极性晶体中磁极化子的光学声子平均数

研究了纯二维极性晶体中与光学声子相互作用的磁极化子的性质，采用幺正变换和线性组合算符法导出了在磁场的作用下，纯二维极性晶体中强、弱耦合电子周围光学声子的平均数．并以AgCl晶体为例进行了数值计算，讨论了纯二维极性晶体中磁极化子的振动频率及光学声子平均数的一些性质．