磁控溅射制备TiO_2薄膜及其光学特性研究

采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用紫外-可见光分光光度计和AFM分别表征了薄膜的透射率和表面形貌,用包络线法详细研究了不同衬底温度下TiO2薄膜的光学特性.结果表明:薄膜在可见光波段有很高的透明度,且随着衬底温度的升高,薄膜的透射率略有增加,薄膜的折射率和吸收系数增大,薄膜的光学带隙减小;同时,薄膜表面粗糙度减小,薄膜变得平整.     

基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响

用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＣＶＤ）方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）,对样品进行了伏安特性测试,考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响,并结合Ｒａｍａｎ谱探索ａ－Ｃ：Ｈ膜的导电机制。     

磁控溅射制备参数对ZnO∶Al光学性能的影响

ZnO∶A l(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.着重分析了磁控溅射制备参数对光学性能的影响.     

磁控溅射制备参数对ZnO:Al光学性能的影响

ZnO：Al（ZAO）透明导电薄膜是一种n型半导体，有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度，具有优异的电学和光学性能，有极广的应用前景．着重分析了磁控溅射制各参数对光学性能的影响．     

制备气敏膜的新方法及膜的光学特性

根据气敏光学特性的要求，用可控气压喷涂和高温处理的新方法，制成ＳｎＯ２膜。膜面平整均匀，晶粒结构细密，缺陷较少，其光学特性比其它方法制成的薄膜好，使用的设备及工艺简单。     

N离子注入非晶碳膜的CN成键研究

利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键 合的变化及CN成键情况. 结果表明, 被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合, 形成sp³C-N, sp² C-N 和C≡N键. 随着N离子注入剂量的增加, 膜内sp³ C-N键的含量相对增多, 表明N离子注入更有利于sp³ C-N键的形成.     

磁控溅射ZnO薄膜的三阶非线性光学特性

采用磁控溅射技术在SiO_2衬底上制备ZnO薄膜,并通过X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、带隙宽度和光致发光性质进行测试表征,结合飞秒激光(波长为800nm,脉宽50fs)和Z扫描方法测量该薄膜的三阶非线性光学特性.结果表明,其三阶非线性折射率和非线性吸收系数均为正值,分别为3.50×10-18 m2/W和2.88×10-11 m/W.     

磁控溅射类金刚石碳膜的显微硬度

采用显微硬度测试方法,研究在单晶硅衬底上沉积厚度仅为0.09-0.56μm的磁控溅射类金刚石碳膜的力学性能。结果表明,溅射碳膜的硬度随溅射工艺参数呈规律性变化,且可以和碳膜的类金刚石性质以及碳膜结构的SP~3和SP~2成分的变化相联系。采用Johnson复合硬度模型进行的分析表明,溅射碳膜的真实硬度在HV6000-6600之间,比天然金刚石的硬度略低。溅射类金刚石碳膜具有明显的压痕尺寸效应(ISE),其指数约为m=1.9。     

ZnO薄膜的射频磁控溅射法制备及特性

利用射频磁控溅射镀膜工艺,在石英玻璃衬底上成功制备了ZnO薄膜．采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、荧光分光光度计及椭偏等检测手段对其特性进行了测试、分析．研究结果表明：该薄膜具有良好的C轴取向结晶度;最佳激发波长为265．00nnl,光致发光峰分别位于362．00、421．06和486．06nm;437cm^-1是ZnO晶体的特征拉曼峰,该峰的出现与最强的X射线衍射(002)峰相对应;薄膜折射率为2．01．     

有机源制备的氧化非晶碳膜的新颖发光行为

利用有机碳源（二甲苯）,采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统制备了一系列氢化非晶碳（a-C:H)薄膜样品。与利用甲烷（CH4）制备的a-C:H不同,该样品的光致发光峰位于蓝绿光范围并且呈现多峰结构,而不是表现为一个较宽的单峰。同时样品发光峰的特征随着制备过程中功率不同而变化。认为：a-C:H薄膜中的芳香环结构的引入产生了新的发光中心,导致PL谱中新峰位的出现。     

有机源制备的氢化非晶碳膜的新颖发光行为

利用有机碳源 (二甲苯 ) ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统制备了一系列氢化非晶碳 (a C :H)薄膜样品 .与利用甲烷 (CH4)制备的a C :H不同 ,该样品的光致发光峰位于蓝绿光范围并且呈现多峰结构 ,而不是表现为一个较宽的单峰 .同时样品发光峰的特征随着制备过程中功率不同而变化 .认为 :a C :H薄膜中的芳香环结构的引入产生了新的发光中心 ,导致PL谱中新峰位的出现     

磁控溅射制备FeSi膜的性质

本文利用JGP-560CⅧ型带空气锁的超高真空多功能溅射系统在Si（100）和玻璃基底上沉积了介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜和磁性薄膜,通过实验研究得到各种薄膜较好的镀膜条件;并采用可变入射角椭圆偏振光谱仪对其中一些薄膜的光学性质进行了分析,研究了制备条件对薄膜在可见光范围内光学性质的影响;还研究了直流溅射、射频溅射、反应溅射的特点和它们的适用范围。     

磁控溅射制备FeSi膜的性质

本文利用JGP-560CⅧ型带空气锁的超高真空多功能溅射系统在Si(100)和玻璃基底上沉积了介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜和磁性薄膜,通过实验研究得到各种薄膜较好的镀膜条件;并采用可变入射角椭圆偏振光谱仪对其中一些薄膜的光学性质进行了分析,研究了制备条件对薄膜在可见光范围内光学性质的影响;还研究了直流溅射、射频溅射、反应溅射的特点和它们的适用范围。     

等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响

氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂.通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化,对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的测量表明,在氮表面掺杂后其场电子发射特性有了明显改善,特别是场发射的阈值电场从掺杂前的3.2 V/μm下降到掺杂后的1.0 V/μm.初步实验分析表明:由于氮表面掺杂后,在碳膜表面形成N-H键,从而导致碳膜表面的有效功函数降低使场电子发射特性得以提高.     

PHLC型a-C:H发光特性模型

提出一种ＨＰＬＣ型ａ－Ｃ：Ｈ发光特性模型。认为此类膜材料特有的发光行为是由于膜中ｓｐ＾２族能隙Ｅｇ的分布所致，激光光子能量Ｅ处的信号由相应的吸收系数α和簇数量所确定。     

TiN薄膜的溅射制备工艺及光学性能

在ＳＰＦ－４３０Ｈ射频磁控射系统上用反应溅射方法制备ＴｉＮ薄膜，研究了制备工艺，讨论了薄膜的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、高透射率）的ＴｉＮ薄膜。     

离子轰击辅助电子束蒸发制备含有纳米石墨结构的非晶碳膜

采用离子轰击辅助电子束蒸发技术制备了含有纳米石墨结构的碳膜。利用XRD、Ralnan和AFM等方法分析了碳膜的厚度、结构、相成分和形貌。结果表明制备的碳膜是一种具有纳米石墨结构的非晶碳膜。随着离子轰击能量的增大,碳膜的厚度随之减小,纳米石墨结构sp2团簇的尺寸变大,碳膜表面粗糙度增大,并找到了最佳的离子轰击能量。通过对Raman光谱分析发现,在最佳离子轰击能量下形成的纳米石墨结构sp2团簇尺寸大小约为2nm。