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由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si~+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在~2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在~2.7eV的蓝光发射.我们采用离子注 相似文献
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《科学通报》2008,(7)
以钛酸丁酯和金属盐酸盐为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备CoFe2O4/TiO2复合薄膜.探讨热处理温度和前驱液pH值对CoFe2O4/TiO2复合薄膜结构及磁性的影响.通过X射线衍射(XRD)分析了复合薄膜的相结构;采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和偏光显微镜(PLM)观测了薄膜表面形貌;用振动样品磁强计(VSM)测试了样品的磁性.结果表明,薄膜生长过程中两相组分的晶体各自析出长大,CoFe2O4均匀地嵌埋于TiO2基体中;薄膜中晶粒的生长对反应体系的pH值、热处理温度依赖性较大,前驱液pH在2~3范围内,经800℃热处理后得到纳米复合薄膜,晶粒平均粒径为19nm;随着热处理温度的升高,复合薄膜的磁性增强. 相似文献
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氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
新材料氮化碳薄膜具有超强硬度和独特的物理、化学性质.近年来,引起国内、外学者的重视,1989年,Liu等从理论上预测人工合成具有β-C_3N_4结构的氮化碳材料的可能性,该材料有很大体变模量B,使其具有超强硬度等特性,极有可能在光电、磁、机械工业等领域获重要的应用,但合成工艺上一直没有取得突破,直到1993年,美国哈佛大学Niu等报道采用激光束蒸发石墨加氮离子束源工艺合成出氮化碳薄膜,该方法回避了等离子工艺过程的热动力学平衡及限制,显然只可作为人工合成预测的新材料的原理性方法而无法实用.我们从1988 相似文献
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埋入SiO2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光 总被引:3,自引:1,他引:3
1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2~5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义. 相似文献
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高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘,但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和
磁化强度(Bs一258 T严之后.制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4].
然而,由于它是亚稳相,迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单
晶薄膜,并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线.关于
卜;刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁.作者曾详
细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷,本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜,井清
晰地观察到了沿[l叫和[110方向的电子衍射花样.磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高
达 264~ 289 Wbha’. 相似文献
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采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600~1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论. 相似文献
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湿敏材料的开发与研究是传感器研究的重要领域.从材料的角度而言,湿敏材料主要包括电解质型、高分子型和陶瓷型3大类.氯化锂湿敏材料是典型的电解质型,早在70年代初期就已经实用化.其制作方法是将氯化锂溶液与聚乙烯醇溶液按一定比例混合,再利用混合溶液制备出湿敏薄膜.调节氯化锂与聚乙烯醇的比例,制出不同性质的膜,它们分别在不同的湿度范围内敏感.所以,要获得全湿范围内的敏感元件,必须将上述不同性质的膜以单元的形式组合.因此,使得传感器的成本很高,只限于在军事方面使用,民用化比较困难.众所周知,多孔二氧化硅具有很好的物理、化学稳定性,而且还可通过改变制备条件控制其显微结构.采用溶胶-凝胶技术可获得所需结构特性的多孔二氧化硅材料.本文偿试将氯化锂与多孔二氧化硅复合,获得了在全湿范围内具有敏感特性的湿敏薄膜材料.元件的响应、恢复特性很好,采用提拉法制备薄膜,方法简单,效果良好. 相似文献
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采用溶胶.凝胶法于不同温度下制备出了不同厚度、均匀透明、机械性能和光电特性稳定的TiO2多孔纳米薄膜.光电测试结果表明,焙烧温度和膜厚能够显著影响薄膜电极的光电特性.450℃焙烧制得的电极由结晶度高、光电活性相对较强的锐钛矿相构成,其光电流最大.低于此温度,薄膜结晶度较差,膜内缺陷较多,不利于光生载流子的传输;而高于此温度,薄膜因发生由锐钛矿到金红石的相变,使得光电活性相对较弱的金红石含量不断增大,从而降低了光电流.膜厚的增加有利于提高紫外光的吸收强度从而提高电极的光电活性,但过厚的膜厚将加大光生电子.空穴对的复合几率,引起电极光电活性的降低.另外,薄膜电极的紫外光电流响应灵敏度和光生电流稳定性与电极电位有关.电位为0.4V时,光电流趋于饱和,其强度为30.8μA,光电响应时间约1s,基本具备了在紫外光传感器方面应用的性能. 相似文献
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以钛酸丁酯和金属盐酸盐为原料, 采用溶胶-凝胶工艺制备CoFe2O4/TiO2复合薄膜. 探讨热处理温度和前驱液pH值对CoFe2O4/TiO2复合薄膜结构及磁性的影响. 通过X射线衍射(XRD)分析了复合薄膜的相结构; 采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和偏光显微镜(PLM)观测了薄膜表面形貌; 用振动样品磁强计(VSM)测试了样品的磁性. 结果表明, 薄膜生长过程中两相组分的晶体各自析出长大, CoFe2O4均匀地嵌埋于TiO2基体中; 薄膜中晶粒的生长对反应体系的pH值、热处理温度依赖性较大, 前驱液pH在2~3范围内, 经800℃热处理后得到纳米复合薄膜, 晶粒平均粒径为19 nm; 随着热处理温度的升高, 复合薄膜的磁性增强. 相似文献
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碳黑改性纳米TiO2薄膜光催化降解有机污染物 总被引:7,自引:1,他引:6
高活性和高稳定性催化剂的制备是光催化技术实用化的关键,以碳黑为造孔剂制备了改性的纳米TiO2薄膜光催化剂,并通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、漫反射光谱(DRS)和红外光谱(FTIR)对催化剂的结构进行表征,结果显示,改性TiO2和普通TiO2薄膜均为纳米材料,晶相以锐钛矿为主,并含有少量金红石,碳黑改性使薄膜具有了更多的孔隙,并且其他性质也发生了变化,如晶粒度变小、金红石含量增加、吸收带边红移,光催化降解有机污染物的试验表明,改性TiO2的活性约为普通TiO2的2倍,并对苯酚类的有机污染物有很好的降解效果,降解活性艳红X-3B的稳定性试验表明制备的碳黑改性纳米TiO2催化剂具有较好的稳定性,连续使用1个月活性一直保持不变。 相似文献
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超导微波器件是高温超导薄膜的重要应用之一,尤其是使用YBa_2Cu_2O_(7-δ)(YBCO)高温超导薄膜制作无源微波器件,例如超导微带谐振器、滤波器、超导天线、超导延迟线等,更受到各国有关研究组的重视,而且发展很快.这类器件的核心部件是一块刻成特定图形的YB-CO超导薄膜,在薄膜的另一面放置另一块低电阻率的金属薄膜或超导薄膜做为接地电极.这种结构的微波器件虽然取得了很大进展,但是仍然因为基片的微变形或金属电极的电阻而使器件的损耗较大,这种由于非理想接地电极引起的损耗可能占到总损耗的30%.如果用双面超导薄膜制作微波器件则这种损耗可以消除.因而,使用双面超导薄膜制备超导微波器件是进一步降低微波损耗的重要途径.从90年代初到现在国际上一些先进的实验室一直进行制备双面超导薄膜的研究,并在美、日、德等国的一些实验室获得成功.制备双面超导薄膜的方法有多种,如脉冲激光淀积(PLD)法、MOCVD法、共蒸发法和溅射法等.在这些方法中脉冲激光淀积法因为有其独特的优点而倍受重视.采用激光法制备双面高T_c超导薄膜的关键之一是基片的非接触加热技术.目前常被采用的非接触加热方法有3种:1.卤素灯加热,2.空腔加热,3.二氧化碳激光加热.以上3种加热方法都存在着各种不同的缺点,例如结构复杂,使用不便 相似文献
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YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜的临界电流密度Jc会因为外磁场的增大而衰减.为了抑制这一现象,有必要引入人工钉扎中心.预制纳米晶能够实现对异质相大小和形状的预先调控,是一种非常高效的人工钉扎手段,能有效解决传统元素掺杂引起的尺寸和团聚问题.本文利用水热法可控地制备出两种尺寸小于10 nm的点状和棒状ZrO2纳米晶,并采用葡萄糖酸对其表面进行修饰,实现它们在YBCO前驱液中的均匀单分散.单分散ZrO2纳米晶的掺杂明显地提高了YBCO薄膜的低温磁通钉扎效果和在场临界载流性能,但是纳米晶掺杂量过多,又会因为生成BaZrO3(BZO)而消耗过多Ba源,致使YBCO薄膜超导性能下降.另外,掺杂5%的点状ZrO2纳米晶比棒状纳米晶对超导性能提升更优. 相似文献
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