发孔腐蚀工艺对电容器阳极铝箔比容的影响

用H2SO4-HCl腐蚀体系对高纯铝箔在不同条件下进行发孔腐蚀实验,在85℃扩孔腐蚀液中以0.15 A/cm2的直流电流扩孔腐蚀600 s,经化成处理后采用静电容量测试仪测量腐蚀箔的比容.研究了HCl浓度、电流密度、时间和温度对腐蚀箔比容的影响规律,利用SEM分析了腐蚀孔的形态变化.结果表明,随着c(HCl)的增加,比容呈先增大后减小的规律,当c(HCl)=2.0mol/L时,比容达到最大值;电流密度、时间、温度对比容的影响也有与c(HCl)类似的规律,比容达到最大值所对应的电流密度、温度和时间分别为0.6 A/cm2,80℃和140 s.当c(HCl)为3 mol/L,电流密度为0.7 A/cm2时,腐蚀箔出现明显"并孔"现象.     

微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响

采用金相显微镜和扫描电镜观察腐蚀形貌,结合动电位极化曲线测试点蚀电位,研究微量Ga对高压阳极铝箔腐蚀发孔性能的影响.结果表明,含Ga铝箔经退火后,点蚀电位约为-0.85V,比退火态不含Ga铝箔的点蚀电位负移约80 mV;退火后Ga在铝箔表面发生富集,增强了铝箔在含氯离子溶液中的点蚀倾向.当Ga含量20×10-6时,铝箔腐蚀区面积比约98％,腐蚀区内蚀坑数量众多、分布均匀,扩面效果显著;Ga含量达到80×10-6时,虽然腐蚀区面积比高,但腐蚀区内局部区域形成粗大蚀坑,腐蚀均匀性有所降低.因此,添加适量Ga可显著改善铝箔在HCl-H2SO4溶液中的腐蚀发孔性能.     

中间退火工艺对铝箔力学性能和成品率的影响

采用 4种不同的中间退火工艺 ,通过显微组织观察、定量金相、X ray衍射分析 ,力学性能测试等实验手段 ,研究了中间退火工艺对AA12 35合金铝箔轧制性能和力学性能的影响。结果表明 ,中间退火工艺对铝箔力学性能和轧制性能有显著影响 ,当采用 380℃× 6h +2 10℃× 9h的分级退火工艺时 ,各压下量下材料的抗拉强度均小于 16 0N/mm2 ,其变形抗力较小 ,塑性较好 ,有利于薄箔的轧制 ,铝箔产品的成品率可达到 80 %以上。显微组织观察表明 ,采用该工艺时 ,铝箔毛料有较好的显微组织 ,Si和Fe析出充分 ,化合物尺寸峰值在 2～ 3μm之间。作者对工艺参数和杂质元素的影响机理进行了分析和讨论。     

Cu对高压电解电容器阳极铝箔再结晶织构的影响

采用织构定量检测等方法研究了铜元素对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响, 讨论了相关的影响原理.结果表明, 微量铜元素的变化会改变其在位错附近的偏聚状态, 进而影响轧制铝箔的塑性变形过程和取向分布状态, 因此铜元素会影响其再结晶行为和退火铝箔的立方织构量.较低的铜含量和较高的晶粒长大温度有利于立方织构占有率的提高.     

最终退火处理对铝箔立方织构的影响

对铝纯度为99.79%和99.99%的两种铝箔进行了多种退火处理,利用蚀坑法分析统计了热处理后铝箔的立方织构含量.化学成分对铝箔立方织构度有决定性的影响,纯度高的Al99.99%铝箔通过热处理后可获得较高的立方织构含量,最高可达92%.铝箔退火时,随退火温度的升高、保温时间的延长,纯度为Al99.99%的铝箔中立方织构含量增加,但在高温(高于580℃)时,保温时间的延长对立方织构含量无明显影响;对铝纯度较低,Al99.79%的铝箔,立方织构含量增加不明显,高于550℃的退火温度会降低立方织构含量,并随着保温时间的延长,降低幅度加大.     

轧制油对铝箔退火表面质量的影响

针对铝箔轧后退火时,轧制油对铝箔表面的污染进行分析研究.首先利用热重与差热分析仪对轧制油和添加剂的退火失重和差热曲线进行测定,发现轧制油随温度增加,经历了两个阶段变化:先大量挥发,后发生氧化.退火油斑的形成取决于后者,这从理论上解释了轧制油在退火时的热物性变化对铝箔退火表面的影响.     

成品退火对高纯铝箔立方织构的影响

高纯铝箔主要用于制作高压电容器的阳极材料,电容器的比电容大小与阳极箔材中立方织构的含量密切相关立方织构含量越高,箔材腐蚀后有效表面积越大,其比电容也相应越大.作者采用晶体取向分布函数(ODF)研究和分析了成品退火工艺制度及冷却速度对不同铁含量高纯铝箔立方织构的影响.研究结果表明含Fe0.0011％的高纯铝箔在二级退火190℃/3h+520℃/2h条件下立方织构含量较高,R织构比例较小.由于铁的含量及存在状态严重影响了高纯铝箔的立方织构含量,当铁含量较高或过饱和固溶在基体中时,成品退火时主要出现原位再结晶,立方织构较弱,R织构较强.因此,含Fe0.0016％的高纯铝箔成品退火后虽在空冷时立方织构含量较高,但其立方织构含量均低于含Fe0.0011％的高纯铝箔中的立方织构含量.     

铝箔电化学侵蚀隧道孔生长速度研究

在提出铝箔电化学脉冲侵蚀模型的基础上,进一步探讨铝箔电蚀隧道孔生长速度影响因素,推导出铝箔电蚀隧道孔生长速度公式：u=0.4 iave（μm.s^-1）（iave：单个脉冲侵蚀过程中隧道孔顶端面平均电流密度A.cm^-2）.     

退火对阳极氧化铝模板特性的影响

利用阳极氧化法以草酸为电解液制得高度有序的阳极氧化铝(AAO)模板,本文研究了退火温度对AAO模板的表面形貌、结构、吸收光谱的影响.发现1 100℃的退火使AAO模板的形貌发生了改变;退火温度到达1 250℃时,模板表面完全熔融并出现龟裂.800℃和1 100℃分别是AAO模板由非晶态向γ-Al2O3和α—Al2O3转...     

基于组织均匀性的690合金管冷轧及退火工艺优化

针对国产690合金成品管晶粒组织均匀性控制差的问题,引入不均匀因子Z评定组织均匀性,设计单、双道次冷轧和退火实验.实验结果表明:690合金荒管经变形量50%的单道次冷轧,在1100℃下保温5 min的中间退火处理后晶粒组织最均匀;荒管经一二道次变形量依次为50%、70%的双道次冷轧,两道冷轧工序之间采用1100℃保温时间5 min的中间退火,最后在1060℃下保温5 min或者1100℃保温3 min进行固溶处理获得的组织均匀性最好.     

中高压铝电解电容器用阳极箔腐蚀扩面技术研究

隧道型腐蚀扩面技术是制造高比容中高压阳极箔的最经济、最有效的方法.中高压隧道型腐蚀的前处理中添加助剂可以使腐蚀孔分布更加均匀,从而获得高腐蚀比电容;盐酸是一次腐蚀点蚀发孔的关键成分,添加硫酸可使点蚀孔密度增加、极限长度缩短.二次腐蚀可扩大一次腐蚀生成的蚀孔孔径.     

电解铝箔废水中铝含量测定

针对电解铝箔过程中产生大量含氟强酸性废水中铝含量的快速检测问题,本文采用EDTA络合滴定法测定酸性含氟废水中的铝,从干扰离子对铝含量测定的影响、酸度的选择及终点的判断等方面来进行研究。用标准加入法和实际样品的多次测定来验证该方法的精密度和准确度,回收率在97%~102.2%之间。此方法准确度高,方便、快捷、易于操作,有利于在中小型电解铝箔厂推广应用。     

中间退火对4343/3003/7072汽车热交换器用铝合金复合箔抗下垂性能的影响

采用光学显微镜、透射电镜及能谱分析研究冷轧中间退火温度和随后的轧制压下率对汽车热交换器用4343/3003/7072铝合金复合箔抗下垂性能的影响。研究结果表明:可通过增大芯材金属的晶粒尺寸来提高复合箔的抗下垂性能;当中间退火温度和成品轧制压下率分别为370℃和10%～35%,以及500℃和20%～35%时,高温钎焊后芯部金属的组织为粗大的再结晶晶粒组织,此时皮材中的Si沿晶界向芯材的渗透被限制,复合箔的抗下垂性能得到提高。     

添加剂对SrTiO3系高压介质介电性能的影响

研究了添加剂对 Sr Ti O3系高压介质介电性能的影响规律 ,并对各种添加剂的作用机理进行了解释。结果表明 Mn O2 的加入能降低介质的介质损耗 ,Dy2 O3的加入能提高介质的介电常数 ,Ca Ti O3、Mg Ti O3、Ni O的加入能降低该材料介电常数的温度变化率。     

添加剂对SrTiO3系高压介质

研究了添加剂对SrTiO3系高压介质介电性能的影响规律，并对各种添加剂的作用机理进行了解释。结果表明MnO2的加入能降低介质的介质损耗，Dy2O3的加入能提高介质的介电常数，CaTiO3、MgTiO3、NiO的加入能降低该材料介电常数的温度变化率。     

铝箔微观组织对其力学性能的影响

采用拉伸实验和透射电子显微镜分析了铝箔微观组织对厚度为6～7 μm的铝箔力学性能的影响. 实验结果表明: 铝箔中化合物的形貌及析出位置较退火工艺对铝箔抗拉强度的影响更大, 处于晶界的块状化合物破坏了晶界的整体联系, 增加了铝箔微观组织的不均匀性;提高铝箔强度时应尽量避免化合物在晶界处析出. 亚晶的尺寸与位错密度紧密相关, 亚晶尺寸小, 单位体积内亚晶界增加, 位错密度也随之增加. 铝箔具有较小的亚晶尺寸, 因而具有较高的抗拉强度.     

NbH还原制备新型电容器阳极材料低价铌氧化物

采用NbH还原Nb2O5工艺制备低价铌氧化物粉末,经压制成型、阳极烧结、阳极氧化工艺,获得电性能优良的低价铌氧化物电解电容器阳极。采用X射线衍射、扫描电镜、成分分析及电容器阳极电性能检测等方法,对比研究高能球磨与玛瑙研磨2种不同混料工艺。研究结果表明:高能球磨工艺制备的低价铌氧化物有明显片式化现象,粒度小,比容可达107.00 mF.V.g-1,但球磨过程中引入的杂质难以在后续的洗涤过程中彻底除去,导致阳极漏电流大。用正交试验法及方差分析对玛瑙研磨工艺进行优化,得到制备低价铌氧化物最佳条件是:焙烧温度为1 000℃,焙烧时间为40 min,NbH用量与理论量之比为1.1,所制得的产物杂质含量低,比容为69.50mF.V.g-1,损耗为11.25%,漏电流为1.8×10-4A.F-1.V-1,其电性能指标高于FTa16—300电容器钽粉国家标准(GB/T 3136—1995)所规定的值。     

铝箔腐蚀中咪唑衍生物离子液体的缓蚀作用研究

文章采用自制的咪唑衍生物离子液体为缓蚀剂,结合典型生产工艺,研究了合成缓蚀剂在铝箔腐蚀中的作用.实验结果表明,温度、硫酸浓度和离子液体浓度对铝箔腐蚀有重要的影响.随硫酸浓度加大,腐蚀速率存在先减小后加大的现象,表面稀硫酸对该缓蚀剂有协同增强效应,离子液体浓度较小时,缓蚀效率变化明显.高温时离子液体缓蚀剂仍呈现出良好的缓蚀性能,离子液体在铝箔上吸附符合Langmuir公式, 文中对腐蚀作用机制进行了探讨,分析结果与实验测量值相吻合.     

一种改进的MMC电容电压均衡控制方法

电容电压排序法是一种简单有效的MMC电容电压均衡方法,传统的排序算法会导致子模块反复投切,造成器件开关频率过高,增加了MMC的运行损耗.为此提出了一种改进的方法,即由允许的电容电压偏差大小和桥臂电流计算出维持子模块电压均衡所需的最小排序频率,并将排序频率控制在该最小值处,减少了不必要的子模块投切次数,从而在较低的开关频率下维持各子模块电压的均衡.在Simulink中搭建了MMC仿真模型,对改进前后的两种方法进行对比,仿真结果表明:改进的排序法能够有效降低开关频率,降幅可达70%.