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高渗透水泥浆高温高压流变性研究 总被引:5,自引:2,他引:5
随着油气开采难度的增大,对固井质量和固井水泥浆添加剂的要求越来越高,需要研制开发出新型高渗透水泥浆体系。借助美国产Fann50流变仪,研究了温度和压力对高渗透水泥浆流变性的影响,并与常规水泥浆进行了对比。分析结果表明,一定压力下,高渗透水泥浆的动切力、表观粘度随温度的升高而逐渐降低,流性指数减小;一定温度下,压力对高渗透水泥浆体系流变参数的影响不如温度明显:高渗透水泥浆比常规水泥浆体系具有更好的热稳定性。运用宾汉、幂律、卡森、赫切尔-巴尔克莱(H-B)、带剪切稀释系数等5种模式对实验数据进行了拟合分析,结果表明,H-B模式是描述高渗透水泥浆高温高压流变性的最佳模式。 相似文献
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综述了高油玉米、高赖氨酸玉米、高油高赖氨酸玉米、高有效磷玉米等新品种玉米对畜禽的营养特性及饲喂效果。新型玉米的出现在一定程度上解决了浣玉米品质低的问题,尤其是高油玉米集高能和高蛋白质、高赖氨酸于一身,在饲粮配合中的地位更加突出。 相似文献
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刘作桐 《东南大学学报(自然科学版)》1993,(6):155-158
冷挤压成形是一种高效、无切削的塑性成形技术.具有生产率高、材料利用率高的独特优点.冷挤压成形技术的关键是冷挤压成形模具,它的加工制造要求较高,成本也高,不仅要有高的硬度和强度,还应具有高的纫性与耐磨性,以便挺高模具的寿命.本论述了采用HCD法 相似文献
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与传统行业相比,中小高科技企业具有高智力、高投入、高效益、高势能、高风险、高回报和技术更新快、运营周期短等的特点。这样的特点.决定了其融资需求呈现出以下明显特点:第一,资金需求持续性强、频率高。与传统企业相比,中小高科技企业对自然资源的依赖度低,但是对资金投入量的依赖度高。同时,由于技术更新快,中小高科技企业需要持续不断的投入资金, 相似文献
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禽流感病毒具有高致病性和高致死率,它不仅给养殖业造成很大的危害,而且对人类的健康和生命安全也构成了威胁。近几年来,世界各地相继出现了感染禽流感病毒发病病例,蔓延迅速,病情较重,死亡率较高。根据流行病学调查,临床症状、病理解剖和实验室诊断。确诊了一起高致病性禽流感疫情,以提高人们对本病的认识。 相似文献
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吴中军 《西昌学院学报(自然科学版)》2005,19(1):43-45
高酸苹果,即高酸度苹果,作为生产浓缩苹果汁的专用原料果,具有苹果酸含量高,Vc含量高,栽培容易等优势,生产的浓缩苹果汁在欧美市场供不应求。本文阐述了高酸苹果的发展现状和前景,并对高酸苹果的常用品种作了介绍。 相似文献
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吕志伟 《伊犁师范学院学报(自然科学版)》2012,(3)
探讨了运动训练和铁牛七提取液联合干预对高脂膳食大鼠心功能的影响.将雄性SD大鼠56只随机分为7组,分别为安静对照组、有氧运动组、疲劳运动组、高脂对照组、有氧运动高脂对照组、高脂加药组、高脂运动加药组,检测大鼠心脏的血流动力学指标.与安静对照组比较,高脂对照组LVSP、±dp/dtmax、±d2p/dt。max显著降低,HI〈及LVEDP显著升高;与高脂对照组比较,高脂加药组的HR、mSP、mDP降低;高脂运动组和高脂运动加药组的HR、LVEDP降低,LVSP、±dp/dtmax、±d2p/dt2max有所升高.研究结果表明,有氧运动可以改善高脂膳食大鼠心脏功能,有氧运动联合铁牛七提取液对高脂膳食大鼠心脏功能的提高效果优于单纯的有氧运动. 相似文献
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一个高可用集群的管理方案 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了高可用集群及其管理问题,通过采用改进的SNMP协议,并结合Web技术、数据库技术和HeartBeat方法,给出了一个方便、高效的高可用集群管理方案. 相似文献
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本文提出一种廉价高效非晶硅叠层电池的基本设计方法,给出一系列有关电池参数最佳化的技术数据.文中讨论了该设计方法在a-Si/poly Si叠层太阳电池方面的应用.计算和实验结果表明,a-Si/poly Si叠层电池的光电流主要受顶部的a-Si:H nip电池的限制. 相似文献
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通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016 cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020 cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显. 相似文献
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束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了用离子束溅射淀积非晶硅(a-Si)和氢化非晶硅(a-Si:H)的方法,提供了加速电压和衬底位置改变对薄膜暗电阻率的影响结果,通过有关淀积工艺条件的研究,得出了一些有用的结论。 相似文献
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本文证明:在某些条件下,描述非晶硅隙态密度的三种基本分布模型,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算非晶硅隙态过剩电子密度、解金属/非晶硅势垒区泊松方程和计算势垒区静态电容时是等价的。这就暗示不能从上述分析确定唯一的非晶硅隙态密度分布形式。 相似文献
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本文报道了光吸收谱的恒定光电流(ConstantPhotocurrentMethod)测量法,并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)的光吸收谱,同时观测了StaeblerWronski(SW)效应中样品吸收系数的变化。 相似文献
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a-St:H FET特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从理论和实验两方面对a-Si:H FET的特性进行分析研究。给出了一种关于a-Si:H FET新的理论分析方法,假设a-Si:H能隙中深局域态密度和带尾局域态密度均为指数分布,并且考虑到漏源电压对沟道表面势的影响,采用简便的方法和合理的近似推导出了较全面反映a-Si:H FET特性的解析表达式。同时在实验中,研制了用SiO_2或Si_3N_4作为栅绝缘层的a-Si:H FET,测量得到了不同绝缘层和不同沟道长度的各a-Si:H FET的直流特性。当栅压变化20V时,漏源电流可以变化10~4。最后,对理论计算及实验结果进行了分析和比较。 相似文献
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本文报道了采用四极质谱计实现在PCVD系统中对制备a-Si:H薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基团的在线测量。获取了在低压强、小放电功率条件下,SiH2与SiH3基团的相对丰度比。 相似文献
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金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布 总被引:1,自引:0,他引:1
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1990,17(4):35-41
本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准. 相似文献
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目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.本文研究了不同制备工艺条件对a-Si:H微结构的影响,和样品的光电导衰退依赖于微结构的关系.最后,从S—W效应的微观机制作了简短讨论. 相似文献