共查询到18条相似文献，搜索用时 62 毫秒
1.
本文利用W.HO等人所用的LCAO及Green Function(GF)方法计算了简立方晶体(110)面的化学吸附能及由吸附所引起的表面态密度变化,并对它们随吸附原子与表面之间的相互作用势v′及孤立吸附原子能级Ea而变化的特征进行了分析,而且还与简立方晶体(100)面的结果进行了比较。 相似文献
2.
本文用Green函数方法研究了不同类型的杂质对简立方晶体(SCC)(100)面顶位、桥位和心位化学吸附的影响。并讨论了分裂态的产生与吸附位置。杂质(△ε)以及吸附原子和衬底之间的相互作用势(v)之间的关系。 相似文献
3.
根据分子拓扑理论，提出了一个新的结构信息拓扑指数ＹＭ，并探讨了有机物在金属铋电极上的标准吸附自由能－△Ｇａ（２９８Ｋ）与其新拓扑指数ＹＭ和一阶分子连接性指数Ｘ１之间的定量关系。 相似文献
4.
采用格林函数方法和Anderson Newns(AN)模型研究原子Pt在无序二元合金(DBA)表面的化学吸附能和电荷转移,其中普遍的去耦合方法被采用以消除Pt的不同d电子之间通过与DBA表面相互作用而产生的耦合效应·结果表明:Pt对DBA表面偏析有很大的抑制作用;化学吸附系统Pt/NixCu1-x随Ni的体内原子分数的增加而趋于稳定·化学吸附促进了吸附离子Pt与合金衬底间的电荷转移浓度· 相似文献
5.
6.
7.
8.
ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。 相似文献
9.
本文应用Einstein和Schrieffer的化学吸附理论和复平面能量积分技术研究了紧束缚近似下原子(或分子)吸附在双过渡金属(纯净的和含杂的)上的化学吸附特征。对杂质,本文用了Koster和slater模型。数值运算例子通过对CO分别吸附在Ni/Cu、Cu/Ni、Cu/Ni(C_0)和Cu/Ni(Cu)上而给出。 相似文献
10.
利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小. 相似文献
11.
研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致. 相似文献
12.
本文用Anderson-Newns模型及一维紧束缚近似,研究了CO在双金属催化剂Pd/Cu上的化学吸附.通过对CO-Cu及CO-Pd/Cu两个不同吸附系统的电荷转移和化学吸附能的计算比较,结果表明,由于Pd在Cu上的覆盖,改变了CO和衬底之间的电荷流向,从而加强了对CO的吸附作用,改善了催化剂对CO的催化性能. 相似文献
13.
本文用一维紧束缚模型和单电子化学吸附理论.在平均 T 矩阵近似下,研究了CO 和 O 在 AgPd 合金上的化学吸附特性.结果表明:(1) 在 Pd 的浓度低于85%的范围内,O在 AgPd 合金上的吸附随 Pd 的浓度的增加而加强;在 AgPd 浓度比率为15:85时吸附最强;Pd 的浓度高于85%时,随 Pd 浓度的增加。O 在 AgPd 合金上的吸附略呈减弱趋势.(2) CO在 AgPd 合金上的吸附随 Pd 浓度的增加而增强. 相似文献
14.
晶体原子间相互作用势和物态方程研究 总被引：1，自引：2，他引：1
在晶格势理论基本框架内，根据玻恩-黄昆提出的短程力常数的标准定义，采用不同的短程势模型，得出一系列物态方程，并应用于几种不同的晶体，检验和比较了它们的适用性和有效性． 相似文献
15.
16.
17.
18.
TGS和掺杂磷酸TGS晶体的喇曼光谱 总被引：1，自引：0，他引：1
本文报导TGS和P晶体于室温下,在20—2000cm~(-1)波数范围内的喇曼散射光谱测量结果,并将得到的振动模式进行分类和标定,其中TGSP晶体的喇曼光谱是本文首次报导。 相似文献