铝含量16wt%的Fe-Al合金带材的磁畴结构及其高导磁机理

本文介绍了用粉纹法观察铝含量为16wt％的Fe-Al合金薄带表面的磁畴图形及其随外加磁场的变化。认为高导磁的Fe-Al合金中有代表性的磁畴结构与Murayama模型Ⅰ所描述的相一致,它是由垂直于带面较弱的单轴应力各向异性造成的,属于弱条形畴结构。同时在外加平行于带面的磁场作用下,也观察到类似于Ni-Fe合金薄膜上的所谓“可转动的各向异性”现象。通过分析得出结论:材料的磁导率对淬火温度很敏感,材料获得高导磁率的最佳淬火温度应是材料保持无序状态的最低温度。此时垂直于合金带面的单轴应力各向异性对带材的高磁导率起主要影响。     

玻璃成分对TiAI基合金高温氧化防护行为的影响

研究不同成分的玻璃防护Ti-47Al-2Cr-0.2Mo(原子数分数,%)合金在1 200℃时的氧化行为.研究结果表明:在1 200℃时,黏流态的玻璃能很好地包裹在合金的表面,并随着玻璃成分的变化,对合金的保护效果发生明显的变化;当玻璃成分为60SiO2-23Na2O-17CaO(质量分数,%)时,包裹在合金表面的玻璃在1 200℃保温30 min 后大部分脱落,防护效果降低;随着玻璃成分中SiO2质量分数的提高,玻璃脱落的面积逐渐减少;当玻璃成分为80SiO2-11Na2O-9CaO时,合金完全被玻璃包裹,有效地防止了合金被氧化.     

耐磨透明超疏水薄膜的制备及工艺研究

以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法,在酸性条件下,制得无色透明SiO2溶胶,作为上下层;以表面疏水处理的SiO2粉体(R974)为中间层;制备"SiO2溶胶/R974/SiO2溶胶"三明治式涂层于玻璃基板表面;经氟硅烷修饰可得到透明耐磨超疏水薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)表征,膜层具有分层凹凸结构.所得膜层接触角大于150°,可见光透射比为85.6%,雾度小于2%.经耐磨性测试后,接触角为102.0°,可见光透射比为85.6%,雾度小于1.0%.考察了溶胶浓度、热处理温度和涂膜方式对膜层性能的影响.     

WO3-SiO2纳米复合薄膜的制备与气致变色效应研究

以钨粉和正硅酸乙酯为原料 ,采用溶胶凝胶技术和旋转镀膜方法 ,在玻璃衬底上制备出了气致变色WO3 SiO2 纳米复合薄膜 .采用椭偏仪、场发射扫描电子显微镜 (FE SEM )、红外光谱仪以及可见光分光光度计等对不同温度热处理的WO3 SiO2 复合薄膜及WO3 薄膜的特性进行了分析 .研究结果表明 :掺杂SiO2 会使WO3 薄膜厚度增大 ,折射率下降 ,表面平整度降低 ,颗粒尺寸增大 ;经高温热处理的WO3 SiO2 复合薄膜具有良好的气致变色能力     

下底层Ti引导制备Co-Pt垂直磁记录薄膜的研究

在加热的玻璃基板上,通过磁控溅射的方法沉积金属Ti作为下底层,然后沉积不同成分的Co1-x-Ptx(x=0,15%,26%,35%)磁性薄膜.利用振动样品磁强计(VSM)和X射线衍射技术(XRD)分析了薄膜的磁性能和晶体结构.结果表明Pt原子分数对Co-Pt晶格常数有重要影响,随着Pt原子分数的增加,Co晶格常数(a,c)增大,从而减小Co-Pt与下底层Ti在(00.2)晶面之间的错配度,有利于c轴取向垂直膜面排列,获得了较好的磁性能.引入Ti和SiO2共溅射制备下底层,研究发现随着SiO2体积分数的增加,Co-Pt薄膜的垂直磁性能得到改善.     

基板温度对电子束沉积LaF3薄膜残余应力的影响

采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了基板温度对LaF3薄膜残余应力的影响;基板温度从200 ℃上升到350℃,间隔为50℃.利用ZYGO干涉仪测量了基板镀膜前后的面型变化,利用Stoney公式计算出残余应力;分析结果表明:在本实验条件下,残余应力为张应力,随基板温度的增加,有增大的趋势.     

射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨

介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术，给出了薄膜淀积速率，膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明，和其他镀膜技术相比，射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。     

射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨

介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。     

基于TiN涂层/玻璃基体的热压印模板的制备与性能

对于热压印光刻而言,制备具有精确几何结构、良好耐磨损性能以及长使用寿命模板至关重要。在分析现有Si或SiO2模板使用性能基础上,提出了在TiN涂层/玻璃基体上制备热压印模板。首先采用直流磁过滤电弧在玻璃上沉积TiN薄膜,然后,通过聚焦离子束在薄膜上加工出最小线宽71nm的栅型结构,最后,使用所加工的模板,进行热压印实验,获得了良好的压印结果。实验结果表明,TiN作为模板材料可以获得高保真度的纳米图案,并且由于TiN比Si或SiO2具有更高硬度和强度,玻璃基体也具有很好的机械性能,由TiN/玻璃系统制备的压印模板的机械性能和使用寿命较之Si或SiO2基模板得到很大提高。     

不锈钢基板上SiO_2涂膜研究

采用溶胶一凝胶法,以Si（C2H5）4为原料在不锈钢基板上进行SiO2涂膜．该层SiO2薄膜在400℃,1min的低温下制得．通过热重一差热话图和红外光谱等研究,证明SiO2涂膜不仅稳定、均匀、纯度高,且具较高硬度和抗腐蚀性．     

基于各向异性热导率设置的选区激光熔化成形过程仿真分析

针对选区激光熔化(SLM)工艺下零件中高残余应力问题,同时考虑到打印过程中熔池对流效应,本文通过设置各向异性热导率材料参数,利用有限元方法对Inconel 718合金粉末SLM成形过程中的温度场和应力场进行模拟,分析了基板预热温度对成形件残余应力的影响。结果表明,选择合适的各向异性热导率增强系数可显著提升温度场的仿真精度,并且越靠近热源中心区域,温度梯度越大;在应力方面,高应力区域集中分布于成形件上表面,最大残余应力位于成形件与基板的交界处,此处易发生开裂变形;采用基板预热方式能改善成形件中残余应力分布,随着预热温度提升,最大残余应力降低,成形件上表面高应力分布区域减小。     

不同稳定剂的sol-gel法制备LiNbO3薄膜的研究

研究了分别以HCOOH、CH3COOH、HNO3和H2C2O4作稳定剂的LiNbO3薄膜先驱液的稳定性,发现H2C2O4作稳定剂的先驱液的稳定性最好;用sol-gel法在Si(110)和玻璃基板上在一定温度下制备了分别以它们作稳定剂的LiNbO3薄膜,并对LiNbO3薄膜进行了IR、XRD和SEM表征,结果表明,生成的LiNbO3为多晶,以HNO3作稳定剂制备的LiN bO3薄膜形貌最好.图5,参6.     

激光脉冲法研究多孔SiO2薄膜的纵向热导率

采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多孔SiO2 薄膜的热导率测试结果表明 :薄膜化有利于降低材料的热导率 ,提高隔热效果 ;随着孔率增大 ,薄膜热导率明显下降 ;溶胶 凝胶法制备的孔率为 4 0 %的SiO2 多孔薄膜的热导率为 0 11W /m·K ,属隔热材料 .     

SnO2:F镀膜玻璃的光电特性

SnO2:F薄膜具有优良的光电特性,采用喷雾热分解法在玻璃基板上镀膜的基本工艺过程,其面电阻在2Ω/cm2以下,可见光透过率为90%以上,在近红外波段出现高反射.     

锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究

分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱（EL）进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。     

电沉积法制备Co-Pt合金薄膜的结构及其磁性能

采用酒石酸铵为络合剂,碱性溶液作为电解液沉积体系,利用电化学共沉积法在铜基底上制备得到了Co-Pt合金薄膜,并对制备得到的合金薄膜进行了不同温度的退火热处理。电化学极化曲线研究表明,酒石酸铵络合剂的加入有效地使两种金属离子沉积电位接近。原子吸收光谱研究表明,合金薄膜中金属成分比率易受电解液中金属离子比率和沉积电流密度的影响。X射线衍射(XRD)研究表明,电沉积制备得到的不同组分Co-Pt合金薄膜均为无序排列面心立方(fcc)结构,经过450?℃退火热处理后部分转变为L1₀型超晶格结构。磁性研究表明,经过450?℃退火热处理后的合金薄膜具有较好的磁晶各向异性。     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻

以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡莫合金厚 度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(dnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结 构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8% 或x=2.75nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退 火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr.     

NiTi形状记忆合金薄膜的残余应力

采用X射线掠射法和轮廓法,测量了单日Si基板上用磁控溅射法制备的NiTi形状记忆合金薄膜的残余应力,分析了其与薄膜厚度以及晶化处理温度等工艺条件的关系。结果表明：该薄膜中的残余应力主要来源于薄膜同基板材料的膨胀系数和晶格参数不匹配;薄膜厚度越大,残余应力越小;晶化处理温度对因热胀系数差异带来的热拉应力因马氏体相变而致的相变压应力均有不同程度的影响。     

电场调制FeCoSi/PZT驱动器磁性研究

采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。使FeCoSi磁性薄膜初始易磁化方向(称为初始易轴)与PZT驱动器应力方向(长轴方向)平行进行粘接得到FeCoSi/PZT驱动器异质结,用于研究通过电场来调制磁性薄膜的磁矩转动及各向异性场的场强,并利用微聚焦磁光克尔效应测量了不同电压下FeCoSi磁性薄膜初始难磁化方向(称为初始难轴)的磁滞回线。结果表明:当给PZT驱动器施加正电压时,异质结在张应力的作用下薄膜的易磁化方向保持不变,但各向异性场变大,各向异性场随电压的变化关系约为0.12Oe/V,从而实现了电场对各向异性场场强的调制;当给PZT驱动器施加负电压时,异质结在压应力的作用下使磁矩偏离初始易轴,而磁矩从初始易轴方向转到初始难轴方向所需施加的电压为-80V,从而实现了电场对磁性薄膜磁矩转动的调制。文中实现的通过电场对FeCoSi磁性薄膜磁矩转动和各向异性场的调制有望在低功耗微波器件中得到应用。     

垂直各向异性薄膜中的微磁结构模型

本文提出了一种垂直各向异性薄膜的微磁结构模型,计算了磁化分布,获得了形成结构的临界条件.计算结果表明,对Co-Cr合金,即使Cr的浓度低于18％(即各向异性场H_A相似文献