基于苯并噻二唑的D-A-D型有机小分子光伏材料的合成及其性能研究

合成、表征了三种基于苯并噻二唑的D-A-D型有机小分子光伏材料C1~C3.该类小分子以苯并噻二唑为受体中心单元,以芴、三苯胺、咔唑为给体末端单元.C1~C3具有优异的热稳定性能,其热分解温度(Td)都大于290℃,且在300~650nm表现明显的光谱吸收.以该类小分子为给体材料掺杂富勒烯衍生物(PC60BM)受体材料制作溶液加工本体异质结光伏器件,其中C1表现出最好的光伏性能(PCE=1.39%,Jsc=6.18mA/cm2,Voc=0.74V,FF=0.30).该研究表明末端给体单元对基于苯并二唑D-A-D型有机小分子的光伏性能具有显著影响,合理选择末端给体单元有望获得高转换效率的有机小分子光伏材料.     

求矩阵方程组A1XB1=C1，A2XB2=C2最小二乘对称解及其最佳逼近的迭代法

该文提出了梯度矩阵(F(X))的概念,构造了一种迭代法求最小二乘问题min‖(A1XB1,A2XB2)-(C1,C2)‖的对称解.通过这种方法,给定初始对称矩阵X1,在没有舍入误差的情况下,经过有限步迭代,找到它的一个对称解.并且,通过选择一种特殊的初始对称矩阵,得到它的最小范数对称解X*.另外,给定对称矩阵X0,通过求解最小二乘问题min‖(A1~XB1,A2~XB2)-(~C1,~C2)‖(其中~C1=C1-A1X0B1,~C2=C2-A2X0B2),得到它的最佳逼近对称解.     

体上方阵的三角分解

设A是体K上的n级可逆矩阵,A≠cIn,c是K的中心元,若有bi,ci∈K,使得det A= ,其中det是Diendonn'e行列式符号,且对于x∈K\{0}=K*时,x∈K*/D(K*),D(K*)是 i=lK*的换位子群,则存在K上的n级方阵B与C,使A=BC,其中B相似于以b1,…,bn为对角元的K上某个下三角阵,C相似于以C1,…,Cn-1,CnP为对角元的K上某个上三角方阵,ρ∈D(K*),这个事实推广了域上相应的结论.     

含石墨烯纳米带苯并噻二唑衍生物的非线性光学性质理论研究

以苯并噻二唑分子为母体,用石墨烯纳米带增长共轭π桥,设计了五个系列的衍生物。研究了共轭1T桥的不同增长方式、长度和不同形状对分子的电子结构及非线性光学性质的影响．研究结果表明：部分目标分子的非线性极化率的常用对数与共轭链长存在一定的线性定量关系;共轭链长对含苯并噻二唑直线型共轭竹桥的分子的极化率比D—GNR—A分子和角型共轭π桥的分子的极化率影响程度大;部分目标分子的一阶极化率α与△E-1、二阶极化率β与α·△E-1、三阶极化率γ与α·AE吨和与β·AEq都有较好的相关性．     

解一次不定方程的初等变换方法

利用线性代数中的初等变换方法解一次不定方程,主要结论为:设A=(a1 …an -b In O)为n+1阶整数矩阵,若A的n列子块经若干列初等变换以及cn+1+aci(1≤i≤n)型初等变换化为矩阵 D=(d 0…0 0 C b1…bn)（d≠0,C=(cij)∈znxn）,则不定方程a1x1+…+anxn=b有解且...     

端基对侧链含D A和红色磷光发色团聚 芴衍生物光电性能的影响研究

通过烷基将二(苯基异喹啉)(2-吡啶甲酸)合铱(Ⅲ)红色磷光基团、咔唑电子供体(D)单元和噁二唑电子受体(A)单元同时引入到芴单元9-位的侧链上,设计合成了一类侧链含D-A和环金属铱配合物功能基的聚芴衍生物.通过改变封端剂的分子结构,研究了端基对这类聚芴衍生物光电性能的影响.与引入苯基为端基相比,引入噁二唑为端基能够有效抑制聚芴衍生物的excimer发射,提高这类材料在ITO/PEDOT/聚合物/LiF/Al器件中的发光效率,其中,端基为噁二唑的聚芴衍生物(P1)器件的电流效率是端基为苯基的聚芴衍生物(P2)器件的1.42倍,达到了0.54 cd/A.     

MoS2的摩擦起电及充电特性研究

二维二硫化钼(2D MoS2)由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD 制备多层MoS2的隧道摩擦起电和充电特性通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS2样品的1 μm×1 μm正方形区域,同时使硅基底接地然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5 μm×5 μm正方形区域的接触电势进行成像最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试研究结果表明：MoS2不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象因此,可以利用MoS2的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS2纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用     

某一类四阶非线性微分方程的Robin边值问题

利用上下解方法研究了某一类四阶非线性微分方程的Robin过值问题X（4）=f（t,x,x′,x″,x）,x（0）=A,x（1）=B,a0x″（0）－a1x″（0）=C,box″／（1）＋b1x″／（1）=D得到了其解的存在性结果．     

吲哚烯类受体对铜离子的高选择性识别研究

金属阳离子与生命科学、环境科学、医学等领域有着密不可分的联系,合成对其具有高选择性识别作用的受体分子是当代科研工作者的研究热点之一。鉴于此,设计合成了一类吲哚烯化合物作为金属离子识别受体,以考察2位连接三吲哚受体化合物对铜离子的识别与传感性能,并初步揭示了受体与金属离子的识别作用机制。通过三甲基吲哚烷(下称受体A1)合成主要以高氯盐形式存在的三甲基吲哚烯(下称受体B1)后加入不同金属离子受体溶液在乙腈-水(V_乙腈∶V_水=1∶1)中性缓冲溶液的混合体系,于室温下测其紫外-可见吸收光谱,该类受体能高选择性的比色识别Cu(Ⅱ)离子。保持B1浓度不变,Cu(Ⅱ)浓度递增测得紫外-可见吸收光谱。结果显示：在受体B1中逐滴加入Cu(Ⅱ)时,产物吸收谱带有区别于其他金属离子的变化;受体B1对Cu(Ⅱ)有较高比色识别选择性且灵敏度较高;受体B1在激发态时具有ICT特性。由此得出结论：三吲哚烯类受体在乙腈-水(V_乙腈∶V_水=1∶1)中性缓冲溶液的混合体系中能选择性识别Cu(Ⅱ),在宏观上表现为加入Cu(Ⅱ)后有明显颜...     

四棱柱状Sb2S3纳米棒的水热合成与表征

以三氯化锑(SbCl3)和硫(S)粉为反应物、硼氢化钠（NaBH4）作还原剂及乙二醇(EG)为辅助溶剂,用水热法合成了四棱柱状的Sb2S3纳米棒所得产品用XRD、EDS、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UVVis进行了表征结果表明,在180 ℃水热反应12 h可得到结晶良好、形貌规整的四棱柱状的正交晶系Sb2S3单晶纳米棒,棒的横截面为矩形,其宽为75~215 nm 、厚为50~110 nm,长度达2~5 μm经计算,其晶胞参数a=1126 nm, b=1128 nm,c=0382 5 nmUVVis分析表明,Sb2S3纳米棒为半导体材料,其带隙能量为180 eV     

多孔TiO2粉体的水热合成及其光催化性能

以有机小分子β环糊精(β-CD)为模板剂,采用水热法制备了多孔TiO2纳米粉体。利用TGA、FT-IR、XRD、BET、N2 adsorption-sorption等方法对样品进行了测试和表征。研究了体系pH值、模板剂添加量等因素对合成材料的比表面及其光催化性能的影响。实验结果表明当体系pH=1、β-CD/TiO2=60wt%时,可获得最可几孔径为4.3nm,孔径分布较窄(3~5nm),比表面积达216.2m2.g-1的多孔TiO2纳米粉;且该粉体具有较好的光催化效果。     

A型样本统计深度函数的渐近性质

设D(.;.)是一个A型统计深度函数,函数h满足以下条件:对任意正数M(i)(i) lim‖x‖→∞sup‖xf‖≤M,i=1,…,rh(x;x1 ,…,xr) = 0,(ii) limn→∞sup‖x‖≤M|∫h(x;x1,…,xr)d(F(x1,…,xr) - Fn(x1,…,xr))|= 0,a.s.则limn→∞supx∈Rd|D(x;Fn)-D(x;F)|=0 a.s. 令(θ)n=maxx∈RdD(x;Fn),h连续且D(x,F)有惟一的最深点Q,则lim (θ)n=0 a.s.     

化学题中数学知识的应用

“十字交叉法”、“关系式法”、“差量法”、“守恒法”等数学方法应用于化学题中进行解题以实例来进行分析说明.1　“十字交叉法”　　例1:一定量碳(由12 C ,13 C组成)和足量O2 (由16O组成)反应所得CO2 气体对H2 的相对密度2 2 .4 95 ,则该碳中12 C和13 C的原子个数比为(　)　　　　A .1 10 0　　　B .1 99　　　C .10 0 1　　　D .99 1　　解析:由阿佛加德罗定律可知,气体的密度之比等于其式量之比.因此所得CO2 气体的式量为2 2 .4 95×2 =4 4 .99,得到碳的平均相对原子量为4 4 .99- 16×2 =12 .99,利用十字交叉法可得N12 C∶N1…     

大容量锰酸锂动力电池的研制

用尖晶石型LiMn2O4材料做正极活性物质,石墨做负极材料,成功研制额定容量为20 Ah 的4860110型锂离子动力电池.重点讨论了大容量动力型20 Ah锂离子电池的产品设计、质量监控、制造工艺过程和性能检测.特别是研究了电池的功率特性及储存性能.试验表明,大容量4860110型电池1.5 C倍率的放电比功率达140 W/kg,比能量达91.5 Wh/kg,以0.3 C(6 A)循环180次后容量保持率约为91.6%.     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作

该文描述了碲化镉（CdTe）探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压（I V）,电容 电压（C V）、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符     

基于正交设计的陶瓷透水砖工艺研究

以废玻璃、废陶瓷、粘土和赤泥为主要原料,以木屑为成孔剂制备陶瓷透水砖,分析不同配比对透水砖透水性能的影响.采用4因素3水平正交实验设计探讨了木屑加入量(A)、烧成温度(B)、保温时间(C)及废陶瓷骨料粒度(D)对透水性能的影响.透水系数的极差分析表明,影响透水系数的因素主次为:ABCD,最优实验组合是A3B1C2D2,即木屑掺量为10%,烧结温度为1 000℃,保温时间为1.5 h,骨料粒度为150μm.     

聚一氯对二甲基苯膜的热稳定性与介电特性

以一氯对二甲基苯二聚体为原料,通过真空化学气相沉积法制备聚一氯对二甲基苯(Parylene C)膜,对该高分子薄膜材料的热稳定性和介电性能进行研究.通过DSC测得Parylene C膜的玻璃化转变温度为85℃,熔点为300℃,且Parylene C膜在不同的升温速率都表现出很好的热稳定性.测定膜厚为0.05 mm的介电常数为2.35,通过对绝缘性能的分析,以膜厚0.05 mm为测试基准.当蒸发温度在75~115℃,裂解温度在675~680℃时,介电强度达到5 500 V/mm,证明在合适的工艺条件下,Parylene C膜有很好的绝缘性.     

溶胶-凝胶法制备0．85Pb（Mg1／3Nb2／3）O3—0．15PbTiO3铁电陶瓷及其性能研究

以无机盐和氧化物为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸（EDTA）为复合螯合剂,乙二醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制备了0．85Pb（Mg1／3Nb2／3）O3-0．15PbTiO3（PMN—PT）铁电陶瓷粉体及其烧结体．并通过XRD和SEM分析了PMN—PT钙钛矿相的形成和烧结体的显微结构．讨论了不同烧结温度对陶瓷显微结构、介电、铁电及压电性能的影响．结果表明采用溶胶-凝胶法制备的PMN-PT陶瓷适宜烧结温度为1100℃,比常规固相合成法制备PMN—PT陶瓷的温度低100～200℃,且该条件下烧结的陶瓷性能优异：d33=252pC／N,Pr=17．8μC／cm2．     

典型轴手性D分子F被H取代的衍生物结构特性的理论研究

使用密度泛函理论的b3lyp方法,在b3lyp/6-31+g(d,p)理论水平上对D分子手性对映体D1的F被H取代的几种衍生物结构、红外振动频率、分子前线轨道进行了理论研究.结果表明:它们的解离产物及手型转变机制会不同;三种衍生物分子的HOMO和LUMO轨道,主要来源于骨架C原子p电子的贡献,F原子的p电子和手性C原子所在环上的H的s电子对前线分子轨道有很小的贡献.     

氨基修饰桥联介孔材料的制备及其吸附性能研究

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,对二亚胺基苯桥联硅烷(AN-Si)和正硅酸乙酯为硅源,在碱性条件下合成了一种新型功能化桥键介孔氧化硅(AN-PMOs).用红外光谱、X射线粉末衍射、N2吸附-脱附、扫描电镜、透射电镜等方法对材料进行性能表征.并以Cd2+离子进行吸附性能测试.结果表明:有机基团的引入提高了材料的吸附能力,所得材料的静态饱和吸附容量达到98.03mg·g-1.