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运用磁力显微镜对硬磁性Nd60Al10Fe20Co10大块金属玻璃(BMG)的磁畴结构进行了研究. 结果表明, 制备态材料中存在黑白磁斑相邻的微磁结构, 磁畴的平均尺度约为360 nm. 这种磁畴结构与Nd基BMG的硬磁性是紧密相关的. 由于BMG中存在的短程有序原子团簇的尺度只有几纳米量级, 因而磁力图上亚微米尺度的黑白磁斑是由大量的原子团簇在强烈的交换耦合作用下磁矩平行排列形成的. 而完全晶化的材料则呈顺磁性, 其磁力图上已无明显的磁反差, 但仍分布着一些间距较大的平均尺度为900 nm的低矫顽力铁磁晶态相. 相似文献
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微观相场模型研究了弹性应变能对Ni75Al17Zn8合金过渡有序行为的影响. 结果表明: 原子图像演化经历了: 溶质原子簇聚+L10短程有序→L10长程有序化→L12相形成的过程, 在形成L12相之前, 先发生了基体到低有序度预析出L10相的一次转变, 后发生L10→L12的二次转变行为; 弹性应变能增大对L10短程有序化进程影响不大, 却明显缩短溶质原子的簇聚时间, 加快L10长程有序转变; 同时, 随弹性应变能增大, 有助于二维平面L10相晶体取向的单一性, 并增大Al, Zn原子的长程有序度, 而温度增加, 过渡有序相的有序度减小. 相似文献
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低纯Gd制备Gd5Si2Ge2的结构与磁热性能 总被引:3,自引:0,他引:3
以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd5Si2Ge2合金, 研究了低纯Gd5Si2Ge2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能. 粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明, 经1200℃, 1 h退火处理后, 低纯Gd5Si2Ge2合金具有Gd5Si2Ge2型主相、在268 K存在一级磁晶相变. 据磁相变温度附近的磁化曲线计 算, 低纯Gd5Si2Ge2合金在5 T磁场变化下的最大磁熵变为17.55 J·Kg-1·K-1, 具有巨磁热效应. 相似文献
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采用定向凝固的方法研究了Al2O3/A-4.5Cu复合材料的力学性能的变化规律 ,实验结果表明 :随着定向凝固冷却速率的提高,Al2 O3/Al-4.5Cu复合材料的抗弯强度和塑性提高 ,与搅拌铸造Al2O3/Al-4.5Cu复合材料相比 ,当定向凝固速度达到700μm/s时 ,其抗弯强度提高66% ,断裂应变提高135%.另外,在相同定向凝固条件下Al2O3/Al-4.5Cu复合材料与Al-4.5Cu合金相比较,其抗弯强度均得到明显改善 ,而断裂应变则降低 .搅拌铸造Al2O3/Al-4.5Cu复合材料表现为沿晶断裂,而定向凝固Al2O3/Al4.5Cu复合材料表现为韧性断裂,随着定向凝固速率的提高,其断裂面上韧窝数量明显增加. 相似文献
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众所周知,非晶合金的晶化是指由非晶态到结晶态的转变, 在加热过程中这种转变是不可逆的.在研究高压下Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5块状非晶合金晶化过程时, 发现该非晶合金在加热的某一阶段出现了晶态到非晶态的逆转变. 这种反常现象可能是由于在高压退火过程中形成了吉氏自由能高于非晶态的过饱和固溶体相. 相似文献
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Al2O3 绝缘栅SiC MIS 结构基本特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用原子层淀积(ALD)方法在4H-SiC(0001)8°N-/N+外延层上制备了超薄(~4 nm)Al2O3 绝缘栅高介电常数SiC MIS 电容. 通过对Al2O3 介质膜以及Al2O3/SiC 界面微结构和电学特性 分析表明, 实验所得Al2O3 介质膜具有较好的体特性和界面特性, Al2O3 薄膜的击穿电场为25 MV/cm, 并且在可以接受的界面态密度(2×1013 cm-2)下具有较小的栅泄漏电流(8 MV/cm 电场 下漏电流密度为1×10-3 A/cm-2). 电流-电压测试分析表明, 在FN 隧穿条件下, SiC/Al2O3 之间的 势垒高度为1.4 eV, 已达到制作SiC MISFET 器件的要求. 同时, 在整个栅压区域也受 Frenkel-Poole 和Schottky 机制的共同影响. 相似文献
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以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd5Si1.85Ge2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd5Si1.85Ge2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K. 相似文献
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制备了一种高磁响应的Fe3O4-SiO2-Polypyrrole纳米复合核壳颗粒, 并成功应用于水相体系中重金属离子Cr2O72−的吸附研究. 分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱仪(FTIR)和振动样品磁强计(VSM)对产物的结构、形貌与磁性能进行了表征, 结果揭示, 核壳复合吸附材料由400 nm大小的Fe3O4多晶球簇内核、100 nm厚度的非晶SiO2壳层以及外层聚吡咯材料组成, 其饱和磁化强度为43.5 emu/g. 通过电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-AES)研究了其对重金属离子的吸附性能, 按照Langmuir等温吸附模型计算的饱和吸附量为35.52 mg/g. 证明对于Cr2O72−离子, 该核壳结构纳米材料是一种性能良好、可高效磁分离的吸附材料. 相似文献
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在常规凝固条件下, 液态铝合金由于容易氧化而难以达到深过冷状态. 本文采用熔融玻璃净化法并结合循环过热实现了液态Al80.4Cu13.6Si6三元共晶合金的深过冷和快速凝固, 研究了实验过程中一定冷却速率下合金熔体过热度与过冷度的相关规律, 获得的最大过冷度为147 K (0.18TE). 不同过冷条件下三元共晶均由α(Al)固溶体、(Si)半导体相和θ(CuAl2)金属间化合物三相构成. (Al+Si+θ)三元共晶中, (Si)小平面相独立生长, 非小平面相(Al)和θ相以层片方式协同生长. 在小过冷条件下, 只有(Al)固溶体作为领先相形成. 当过冷度超过约73 K时, (Si)相能够领先形核并生长为初生相. 小过冷时合金的凝固组织由初生(Al)枝晶、(Al+θ)二相共晶和(Al+Si+θ)三元共晶组成; 大过冷时则主要由初生(Si)块、(Al+θ)二相共晶和(Al+Si+θ)三元共晶组成. 随着过冷度的增大, 凝固组织中初生(Al)枝晶的体积分数减小而初生(Si)块的体积分数增大. 相似文献
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洋中脊玄武质岩浆中早期结晶产物: 高Mg#橄榄石常捕获有早期熔体, 从而形成熔体包裹体. 这些熔体包裹体记录了岩浆早期演化的重要信息. 本研究获得的东太平洋海隆(EPR) 13°N附近5个站位玄武岩具有很小的K/Ti (0.07~0.12), Tb/Lu (1.72~1.84), Sm/Nd (0.310~0.332)变化范围和相似的稀土元素配分型式, 说明亏损上地幔源区具有相似的矿物组成. 结合前人的Sr和Nd同位素分析结果表明这些玄武岩未经受明显的洋壳混染作用. 通过对校正橄榄石分异和“铁丢失”作用后获得的65个初始熔体包裹体组成分析, 表明这些熔体包裹体具有较寄主玄武岩高的MgO含量, 因此, 可能是寄主岩浆早期不同演化阶段的产物, 从而能够指示岩浆较早期阶段的演化过程. 寄主玄武岩尚处于橄榄石+斜长石共结结晶阶段, 但熔体包裹体具有较寄主玄武岩更高的CaO/Al2O3比值, 且该比值与MgO正相关和Na2O负相关的事实表明寄主玄武岩经历了较高压下的单斜辉石结晶分异. 同时, 根据单斜辉石结晶和熔体包裹体液相线组成计算其平均结晶压力为(0.83±0.25) GPa, 说明这些熔体包裹体平均捕获于洋底以下~24 km左右的上地幔中. 熔体包裹体的Ca8/Al8, Na8与Fe8 之间良好的负相关性, 及其明显高于寄主玄武岩的Ca8/Al8, Na8, Fe8和K/Ti变化范围, 显示这些熔体包裹体形成于不同熔融程度和深度的岩浆混合作用. 另外, 根据寄主玄武岩和熔体包裹体Ca8/Al8, Na8, Fe8和K/Ti的变化范围和平均值, 这些玄武质岩浆仍需要在洋壳中经历其他组成端元的岩浆混合作用. 由此可见, 洋中脊玄武岩斑晶内熔体包裹体组成的多样性并不都反映岩浆在洋壳内的混合和结晶作用, 形成于上地幔压力下的橄榄石中熔体包裹体不能直接与其他矿物斑晶中熔体包裹体共同用于指示洋壳内的岩浆过程. 本次高Mg#橄榄石中熔体包裹体研究证明东太平洋海隆下部地幔中的确存在不同来源深度和熔融程度的岩浆混合作用. 相似文献
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采用高温固相法在还原气氛下合成了3Al2O3·2SiO2:Eu2+,Tb3+莫来石发光材料, 通过荧光光谱分析探讨了发光特性及Eu, Tb之间的能量转移过程. 研究结果表明, Tb3+的主发射峰由5D4→7FJ (J = 4~6)跃迁产生; 当Eu2+和Tb3+共存于3/2-莫来石基质中时, Eu2+对Tb3+具有很强的敏化作用, Eu2+通过电多极相互作用将能量传递给Tb3+, 使得Tb3+的特征发射显著增强, 其临界传递距离R0为0.9 nm. 与Tb单掺杂时的莫来石样品相比, Eu, Tb共掺杂的3/2-莫来石荧光体的绿色发射得到极大的提高, 最佳配比为3Al2O3·2SiO2:0.05Eu, 0.05Tb. 相似文献
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激光直接溅射样品产生了系列Ge2Cn±和个别GeCn+锗/碳二元团簇离子, Ge2Cn+系列质谱峰的相对强度没有明显的强弱变化规律, 而Ge2Cn-系列具有一定的奇偶性. 采用B3LYP方法对GeCn, GeCn±, Ge2Cn和Ge2Cn±进行构型优化, 发现锗原子位于碳链一端和两端的直线构型最稳定. 电子态、绝热电离势、电子亲合势和键能变化值表明, GeCn中性分子在稳定性上存在奇弱偶强的变化规律, 而Ge2Cn存在奇强偶弱的变化规律, 两系列正负离子的奇偶性则不明显, 产生奇偶性的根本原因是价层p电子数. 理论计算与实验现象比较说明, 在Ge2Cn±的实际形成过程中动力学因素起了一定作用. 相似文献
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采用悬浮液滴振荡法和落滴式量热计研究了深过冷液态Ni70.2Si29.8共晶合金的表面张力和比热. 实验发现, 在182 K (0.12 TE)过冷度范围内, 表面张力与温度之间存在线性函数关系, 共晶温度1488 K处的表面张力是1.693 N·m8722;1, 温度系数为8722;4.23×108722;4 N·m8722;1·K8722;1. 在实验获得的253 K (0.17TE)最大过冷度范围内, 液态Ni70.2Si29.8合金的比热与温度之间呈现多项式函数关系. 对液态Ni70.2Si29.8合金的密度、过剩体积和声速与温度的函数关系进行了理论预测. 相似文献
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掺铁Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3单晶的生长及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用改进的布里奇曼法(坩埚下降法)生长了掺0.3%(摩尔分数) Fe的0.74Pb(Mg1/3Nb2/3)O3- 0.26PbTiO3(PMN-0.26PT)单晶. 系统研究了该单晶的生长、结构、介电和热释电性能, 并与纯PMN-0.26PT单晶进行了比较. 研究发现, 掺杂晶体的畴宽度明显大于纯晶体; 单晶的矫顽场和剩余极化都明显增大; 在居里温度以下, 介温谱上出现两个大的异常, 温度较纯晶体更接近于室温. 实验结果表明, 掺杂离子通过缺陷偶极对2Fe′Ti -V••o对畴起钉扎作用, 增加了晶体的矫顽场, 降低了晶体的介电常数和介电损耗, 提高了晶体的探测优值, 并保持高的电压响应优值, 这对PMN-PT单晶的实际应用非常有利. 这种高性能的热释电和压电单晶的掺杂改性研究将会更好地增进对其高性能本质的理解. 相似文献
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分析了(K0.5Na0.5)NbO3(简写为KNN)基陶瓷压电性能温度稳定性差的原因, 结合KNN固溶体的相图, 提出了解决KNN 基陶瓷压电性能温度稳定性差的新方法. 为了验证此方法的可行性, 设计了 0.9(K1-xNax)NbO3-0.06LiNbO3-0.04CaTiO3(简记为KNLN-CaTiO3)陶瓷. 系统研究了KNLN-CaTiO3 陶瓷的结构和性能. 实验结果表明: KNLN-CT(x=0.54)陶瓷在宽阔的温度范围(25~320℃)内表现出良好的温度稳定性, 在 x=0.54 处获得了相对较高的压电性能(d33=152pC/N). 这个结果证实了我们提出的解决KNN 基陶瓷压电性能温度稳定性差的方法是可行的,具有使用价值. 相似文献
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MnCo2O4 的电性能及其对SUS 430 金属连接体的改性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶工艺制备MnCo2O4 尖晶石, 研究其导电性能, 并探索MnCo2O4 涂层的最佳成膜工艺及其对固体氧化物燃料电池(SOFC)金属连接体SUS 430 中温氧化行为的影响. 利用XRD, SEM 及EDS 表征氧化物的相结构与微观形貌, 采用“四点法”测量MnCo2O4 尖晶石的电导率及涂层合金表面氧化膜的面比电阻(ASR). 结果表明, MnCo2O4 尖晶石具有优良的导电性能, 其中温电导率比MnCr2O4 尖晶石高约2 个数量级. 750°C 空气中的循环氧化动力学及 ASR 测试结果表明, 在还原气氛下煅烧成膜并随后在空气中预氧化为MnCo2O4 涂层成膜的最佳工艺, 能最大程度提升SUS 430 合金的抗氧化能力, 并改善其导电性能及黏附性. MnCo2O4 尖晶石为一潜在高性能SOFC 金属连接体涂层材料. 相似文献