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相似文献
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1.
自旋分别为1/2及3/2的双层铁磁薄膜磁性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用变分累积展开的方法.考察了由自旋分别为1/2及3/2的两个铁磁单层膜组成的双层膜系统的自发磁化强度随温度的变化情况,特别是在自旋为3/2单层的单粒子各向异性对这种变化的影响,获得了这种变化的特征行为.  相似文献   

2.
用磁畴组态能量比较方法,导出外磁场场强为H时的铁磁微晶(即尺寸小于L_0的铁磁性单晶体;L_0为外磁场H为零时,单畴粒子尺寸的临界值)临界尺寸表达式,给出了与微晶尺寸L_s相关的矫顽强度H(L_s);并以SmCo_5材料为例,对H(L_s)做了定量估计。得出:在L_s小于L_0而大于L_c时,微晶也与尺寸大于L_0o的粒子类似,反磁化经历多畴过程;当L_s≤L_c时,反磁化才按Stoner-Wohlforth机制进行。认为用RECo_5材料制做具有_MH_C=2k/M_s的高级磁体是可能的。  相似文献   

3.
单畴铁磁粒子磁化强度弛豫时间的探讨   总被引:4,自引:0,他引:4  
考虑到原子作非简谐振动,求出外磁场中单畴粒子的自由能和弛豫时间的表达式,讨论了阻尼系数和温度对粒子磁化强度弛豫时间的影响.结果表明:原子的非简谐振动会影响单畴铁磁粒子的自由能,但是不会影响弛豫时间.总的讲,弛豫时间随阻尼系数增大而增大,阻尼系数较小或中间变化范围时,温度的影响较小;而阻尼系数较大时,温度的影响较大;给定阻尼条件下,温度较低时弛豫时间较大.  相似文献   

4.
研究铁磁体表面上形成的覆盖层的磁化分布,得到了垂直磁化或平行磁化时铁磁体内磁化强度、覆盖层内各向异性常数和层与基体间交换常数满足的关系。  相似文献   

5.
用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H c 成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键.在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜,在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A为5%~7%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms可达2.4T,H c <80A/m.但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H c 往往因厚度增加而增加.提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A 为5.9%~8.5%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms=2.2T,H c 仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.  相似文献   

6.
用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.  相似文献   

7.
使用变分累积展开方法.研究了铁磁性薄膜的磁性.给出了作为薄膜厚度函数的自发磁化强度的解析表达式.作为一个特例,给出了立方格点上自旋1/2铁磁薄膜的自发磁化曲线、磁滞回线和矫顽力的三级近似结果,并对结果作了分析和讨论.  相似文献   

8.
重点讨论了在不同的层间耦合下外磁场和横向自旋波结构因子对色散关系的影响.结果表明:外磁场和横向自旋波结构因子都能使能带分裂,出现能隙.且随着它们的增强各类本征模之间相互转化,能量呈线性增加.层间铁磁性耦合时,只能存在光学-声学型界面自旋波;层间反铁磁性耦合时,可能存在声学-光学型和光学-光学型两类界面自旋波.  相似文献   

9.
利用变分累计展开方法,分析了Heisenberg磁性薄膜的自发磁化强度到三级累积展开,结果表明:自发磁化强度依赖于薄膜的层数,在某一临界厚度以下,自发磁化强度随薄膜原子层数的减小而迅速减小,其结果与实验数据接近。  相似文献   

10.
铝的添加使FeN薄膜变成非晶,并在FeAlN薄膜中形成某些柱状物,材料粒度变小,FeAlN薄膜矫顽力也变小.多层膜的效果,阻断了微粒沿垂直于膜面方向的生长,从而进一步降低其矫顽力.同时铝的添加,也增加了样品饱和磁化强度的热稳定性.  相似文献   

11.
采用量子力学方法研究了两层对称铁磁性薄膜的自旋波共振激发,计算了自旋波共振激发谱,特别讨论了表面各向异性对共振的影响。研究结果表明:在没有自旋波间相互作用的情况下,表面钉扎直接影响着自旋波的共振激发。  相似文献   

12.
采用变分累积展开方法,研究了面心立方(fcc)、体心立方(bcc)格点上Heisenberg磁性薄膜的热动力学性质.计算其临界温度、内能和热容到了三级累积展开.作为一个特例,对自旋1/2铁磁性薄膜,给出了这些物理量随温度和薄膜原子层数的变化关系.并与简立方(sc)情形下的相应结果作了比较.  相似文献   

13.
求出了铁磁颗粒膜的自旋波激发谱和自旋极化激发谱随颗粒粒径和温度的变化规律,以及膜的磁化强度、磁化率、热容量.以(α-C:H)1-xCox颗粒膜为例作具体计算.结果表明:颗粒膜的自旋波激发谱的频率随颗粒粒径增大而减小,与温度无关;而颗粒膜的自旋极化激发谱与温度有关,表现出与铁磁块状晶体自旋波谱不同的变化特征.在零级近似下,由颗粒膜自旋波激发谱引起的磁化强度、热容量随温度变化规律与块状晶体相同,而一级近似下表现出颗粒膜与块状晶体的偏离.  相似文献   

14.
用推广了的模型,讨论带状铁磁非晶体金属在弱磁场中的磁化和磁致伸缩特性。导出磁化强度和磁致伸缩作为磁场函数的解析式。磁场小于各向异性场的一半时,得出两个解。把此二解对各向异性轴分布求平衡并应用于三个简单模型,得出一些有意义的结果。  相似文献   

15.
使用磁控溅射法制备了一系列具有不同Pt中间层厚度的glass/NiO(1.nm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3/Pt(xnm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3样品并对Co层之间的铁磁性耦合强度进行了测量.整体磁滞回线和局部磁滞回线的测量结果表明,上下两层Co/Pt多层膜之间的铁磁性耦合强度随着Pt中间层厚度的增加单调减小,当Pt中间层厚度超过4.nm时铁磁性耦合消失.除了上下两层Co/Pt多层膜之间通过Pt中间层产生的铁磁性耦合作用之外,它们之间也存在弱的次耦合作用,这导致底层出现宽的磁滞.  相似文献   

16.
应用颗粒膜中颗粒自旋波激发和自旋极化激发的色散关系表达式,对Fe-SiO2颗粒膜进行了计算,探讨其色散规律,结果表明:颗粒自旋波激发与温度无关,而自旋极化激发与温度有关,两者的波谱都随波矢增大而增大,且波矢取分离值,不具有块状晶体自旋波色散关系周期性的变化特征.  相似文献   

17.
用振动样品磁强计(VSM)测量了石榴石磁泡膜饱和磁化强度M,并与用磁光法测量的结果进行了比较,发现用两种方法测得的M随温度的升高而下降的趋势存在着明显的差别,用VSM测得的下降趋势缓慢,用磁光法测得的下降趋势迅速,这就引出一个问题,与磁光法测量M有关的理论可能存着不足。  相似文献   

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