模李代数W(2,t-)与S(2,t-)的导子代数

设F是特征数P≥2的域,本文给出了F上的有限维Cartan型模李代数W(2,t-)与S(2,t-)的生成元集,确定了W(2,t-)与S(2,t-)的导子代数.     

模李代数W（2，t↑-）与S（2，t↑-）的导子代数

设F是特征数JP≥2的域，本文给出了F上的有限维Cartan型模李代数W（2，t↑-）与S（2，t↑-）的生成元集。确定了W（2，t↑-）与S（2，t↑-）的导子代数．     

W(2,2,1-)的GL(2,F)-模结构

对素域F上的限制模李超代数W(2,2,1_),定义了一般线性群GL(2,F)在其上的作用,并对W(2,2,1-)作为GL(2,F)-模的结构作了讨论.     

W(2,2,)的GL(2,F)-模结构

对素域F上的限制模李超代数W(2,2,),定义了一般线性群GL(2,F)在其上的作用,并对W(2,2,)作为GL(2,F)-模的结构作了讨论.     

含低价钨的双核化合物(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2MoS_2]和(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2WS_2]的合成及晶体结构

用新方法合成并测定了含W(O)的双核化合物(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2MoS_2](Ⅰ)和(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2WS_2)(Ⅱ)的晶体结构。Ⅰ和Ⅱ均属正交晶系,其空间群分别为PbCm和Pbam。Ⅰ的a=18.334(5),b=11.946(3),c=13.448(6),Z=4,R=0.057;Ⅱ的a=12.007(2),b=13.523(3),c=18.414(4),Z=4,R=0.058。Ⅰ和Ⅱ的阴离子均为以W(O)为中心的八面体和以Mo(Ⅵ)或(W)为中心的四面体共边且以μ—S连接,W(μ—S)_2M(M=Mo,W)共平面。其中W—Mo键距为2.964(3),W—W键距为3.0103(8),并发现其IR中M(O)—S_b键的ν在424.3～437.8cm~(-1)范围。     

2×2对称矩阵空间保立方幂等单射

设F是特征不为2,3,5的任意域。令M2(F)是F上2×2全矩阵空间,S2(F)是F上2×2对称矩阵空间,T1及T2分别表示S2(F)及M2(F)中所有立方幂等阵的集合。Φ(F)表示从S2(F)到M2(F)所有单射φ的集合且φ满足:A-λB∈T1φ(A)-λφ(B)∈T2.给出Φ(F)中φ的形式。在此基础上又得到了S2(F)到自身相应的映射形式。     

sl_2-模W(m,2,t)的零维上同调

对W(m,2,t)做了6个sl2-子模的直和分解,而且每个直和项又可分解为不可约sl2子模的直和,并且通过计算给出了sl2-模W(m,2,t)的零维上同调群.     

域上2×2对称矩阵空间保可交换的加法映射

F是任意的一个域,S2(F)表示F上2×2对称矩阵代数,刻画了S2(F)到自身满足f(A)f(B)=f(B)f(A)当且仅当AB=BA的加法满射f的形式.     

任意维数半线性拟抛物方程的整体W2,p(2＜p＜∞)解

研究有界域上的任意维数的半线性拟抛物方程的初边值问题ut-△ut=f(u) x∈Ω, t＞0 (1.1)u(x, 0)= u0(x) x∈Ω (1.2)u| Ω=0 t≥0 (1.3)利用逐次磨光法,证明了,若f∈C1,f(u)上方有界,且满足(H) |f′u)|≤A1|u|γ1+B1, 0≤γ1＜∞ ifn=4; 0≤γ1＜4/n-4 if n＞4u0(x)∈W2,p(Ω)∩W1,p 0(Ω)(2＜p＜∞),则对任一T(x),问题(1.1)-(1.3)存在唯一整体解u(x,t)∈W2,∞(0,T;W2,p(Ω)∩W1,p 0(Ω)).从实质上改进和推广了文献[1-3]的结果.     

M二阶特殊矩阵空间保幂等的映射(英文)

设F1 是 特 征 不 为2、3、5的 域 ,F2是 特 征 不 为2的 域 ,M2(F1)记F1上2×2 全 矩 阵 空间,S2(F1)记F1上2×2 对称矩阵空间,T2(F2)是F2上2×2 上三角矩阵空间.确定了从S2(F1)到M2(F1)以及从T2(F2)到T2(F2)保幂等的映射形式.     

广义Cartan型李超代数S(n)的导子超代数

研究广义Cartan型李超代数S(n),将李超代数S(n)的Z2-阶化推广到Z2m-阶化,其中m是任意正整数,同时放宽了对基础域的限制,仅要求基础域F的特征数p≠2;由于广义Car-tan型李超代数S(n)=i∈ZS(n)i是Z-阶化广义李超代数,那么它的导子超代数Der(S)=t∈ZDert(S)也是Z-阶化的,因此主要讨论了S(n)的导子超代数的Z-阶化成分,进而确定了S(n)的导子超代数。     

域上2×2对称矩阵空间的加法秩保持

令F是一个域,n是一个正整数.Sn(F)记F上所有n×n对称矩阵的集合.若一个算子fSn(F)→Sn(F)满足对任意的A,B∈Sn(F)都有f(A+B)=f(A)+f(B),则称之为加法的;若对任意的X∈Sn(F)都有rankf(X)=rankX,则称f为Sn(F)上的秩保持.当n≥3及F为任意域时,Sn(F)上的所有加法秩保持已被作者在[4]中确定.这里,对于任意的F,S2(F)上所有的满足对每个X∈S2(F)\{xD12|x∈F\{0}}都有rankf(X)=rankX的加法算子的一般形式被确定,由此S2(F)上的所有加法秩保持被刻划.     

特征3域上的有限维李代数S的导子代数

设F是特征数p=3的域,首先证明了A3与A(3;1)是同构的,于是它们的导子代数W3与W(3;1)也是同构的,因此可以将W3的子代数S看作是W(3;1)的子代数;主要讨论了李代数W3的有限维子代数S的导子代数的Z-阶化成分(由于S是有限维的Z-阶化李代数,所以S的导子代数也是有限维Z-阶化的,并且非零的导子只有有限个。于是存在非负整数r,q,使得Der(S)=qt=rDert(S)),构造了S的一组最简生成元集,并由此确定S的导子代数。     

接触李超代数偶部的具有负次数的导子

F是特征大于3的基域,参数n3,m2,并且n是偶数,m是奇数。K,K,W和W1分别表示接触李超代数K(m,n;t)及其偶部和模李超代数W(m,n;t)及其奇部,利用接触李超代数W(m,n;t)偶部的生成元集,通过计算导子在其生成元集上的作用的方法,确定了接触李超代数W(m,n;t)偶部到奇部的Z-次数小于-3的导子,于是接触李超代数K(m,n;t)偶部到奇部的所有具有负Z-次数的导子得以刻画。     

冠图G1(o) G2与边冠图G1(口)G2的维纳指数

得到了冠图G1·G2和边冠图G1口G2的维纳指数W(G1·G2),W(G1口G2),且W(G1·G2),W(G1口G2)与G1,G2的顶点数和边数有关,但与G2的具体结构无关.     

冠图G1(o) G2与边冠图G1(口)G2的维纳指数

得到了冠图G1·G2和边冠图G1口G2的维纳指数W(G1·G2),W(G1口G2),且W(G1·G2),W(G1口G2)与G1,G2的顶点数和边数有关,但与G2的具体结构无关.     

广义李超代数S(n)及其性质

设F是特征p≠2的域,定义了F上的广义李超代数,然后定义了有限维广义李超代数S(n),证明了S(n)的一些性质.     

对称矩阵空间上保对合的映射

设F是一个元素个数大于2的域,S2(F)是F上的2×2对称矩阵空间.对任意的A,B ∈S2(F)和λ∈F,如果A-λB是对合当且仅当Ф(A)-λФ(B)是对合,则称映射Ф:S2(F)→S2(F)是保对合关系的.当F的特征不为2时刻画了Ф的形式.     

具有生防能力的木霉菌(Trichoderma spp.)与两株大豆根腐病病原菌(Fusarium oxysporum、Rhizoctonia solani)对碳、磷、铁的竞争研究

通过室内试验研究比较了具有生物防治能力的5株木霉菌株与2株大豆根腐病病原菌(Fusarium oxysporum、Rhizoctonia solani)对C、P、Fe等营养元素的竞争。试验结果表明病原菌F.oxysporum利用葡萄糖的速度显著的高于所测试的木霉菌株(菌株MM9除外),而木霉菌株MM9、S7、SH7、S2利用葡萄糖的速率显著的高于病原菌R.solani。木霉菌株S7、S2利用可溶性磷的速率显著的高于病原菌F.oxysporum。木霉菌株MM35利用可利用铁的速率显著的高于病原菌(F.oxysporum、R.solani)。木霉菌与大豆根腐病病原菌(F.oxysporum、R.solani)对C、P、Fe营养的竞争呈现多样性。     

最小支集样条小波插值函数当N=10的误差分析

讨论了当N=10时4阶(3次)B样条N4(χ)对应的最小支集样条小波插值函数Sψ4(χ)端点一阶导数和各分点存在误差时对Sψ4(χ)的影响，得到了当端点t0与t10处分别存在误差ε′0与ε′10时，Wψ4(t)(其中Wψ4(t)=Sψ4(t 3．5)=Sψ4(χ)，详见文中式(15)～(17))的系数的改变量最大不超过4．5h(|ε′0| |ε′10|)，在各分点ti/z，(i=0，1，…，20)处Wψ4(t)的函数值、一阶导数值及二阶导数值的改变量最大分别不超过3．15h(|ε′0| |ε′10|)、0．36(|ε′0| |ε′10|)、144．23(|ε′0| |ε′10|)／h；而当各分点ti/z，(i=0，1，…，20)存在误差εi／z，(i=0，1，…，20)时Wψ4(t)的系数的改变量最大不超过189．8ε(其中ε=max0≤i≤20{|εi/z|})，在各分点ti/z，(0，1，…，20)处Wψ4(t)的函数值、一阶导数值及二阶导数值的改变量最大分别不超过132．86ε、394．78ε／h、6077．40ε／h^2．