电子被氨分子散射总截面的计算

本文利用光学势方法计算了能量在１０－１０００ｅＶ范围内电子被氢原子和氮原子散射的总截面，并利用可加性规则得到了电子被氨分子散射的总截面．计算结果与实验进行了比较，在２００—１０００ｅＶ能量范围内计算结果和实验结果符合得比较好．     

1keV以上电子对乙烯的散射全截面绝对测量

介绍中能电子与乙烯分子的散射全截面绝对测量，给出１１００～１４００ｅＶ电子对乙烯分子的绝对散射全截面。实验结果的系统误差和统计误差均约为４％。本结果与已有的实验值和理论值作了比较，还对三组等电子数分子实验的电子散射全载面与分子的大小极化率的关系进行了探讨。     

电子被氮分子散射总截面的计算

本文利用光学势方法计算了能量在１０－１０００ｅＶ范围内电子被氢原子和氮原子散射的总截面，并利用可加性规则得到了电子被氮分子散射的总截面，计算结果与实验进行了比较，在２００－１０００ｅＶ能量范围计算结果和实验结果符合得比较好。     

800—2600eV电子对氖和氩原子的散射全截面绝对测量

介绍中能电子与氖和氩原子碰撞的散射全截面测量，分别给出８００—２６００ｅｖ电子对氖和氩原子的绝对散射全截面．实验结果的系统误差约为２．０％，统计误差约为２．５％．还把测量结果与已有的各实验结果作了比较分析．     

正电子散射中的关联极化势

本文提出了一种无任意参数的正电子与原子的关联极化相互作用势，并用之对氩原子激发阀值（１１．０７ｅＶ）以下的低能正电子被Ａｒ散射的截面进行了计算，对计算结果进行的分析及与实验的比较证明了所提极化势模型的合理性。     

电子被原子非弹性散射的光学模型势方法

本文将原子核散射理论中的光学势方法应用于电子─原子散射计算中，提出了不含任意参数的光学模型势，用自编的Ｆｏｒｔｒａｎ程序计算了ｅ─Ｈｅ的散射总截面，获得了与实验符合的结果．     

低能反质子与原子核散射

本文概述了能量从２０至１８０ＭｅＶ区域反质子与原子核的散射现象．从多次散射的理论框架，获得反质子的光学势，这一光学势能很好地描述从轻核至重核在整个能区的弹性散射实验．同时从Ｇｌａｕｂｅｒ多次散射理论，也获得与弹性散射实验相一致的结果．对于非弹性散射，ＤＷＩＡ的计算结果也与实验一致．这些表明在低能区反质子与原子核的散射是多次散射为主．     

^56Fe中子核反应光学模型势参数研究及其核数据计算

在考虑新实验数据的基础上，对ｎ＋￣（５６）Ｆｅ反应的光学模型势参数进行了全面仔细的调节，推荐出了一套较好的势参数。并利用包括带宽度涨落修正的Ｈａｕｓｅｒ－Ｆｅｓｈｂａｃｈ理论计算复弹数据的光学模型程序，对入射中子能量在０．８５～２０ＭｅＶ范围内的全截面、去弹截面及弹性散角分布进行了计算。结果表明全截面与实验编评数据在１％范围内符合；弹性散射角分布在有实验数据的各能点与实验都能很好符合；去弹截面也能较好符合实验数据，比目前ＥＮＤＦ／ＢＮ库的评价数据有明显改进。     

在+~（12）C弹性散射中对一种唯象的N湮灭势的研究

在Ｇｌａｕｂｅｒ多重散射理论近似下，采用泡里关联的核波函数，使用一种唯象的湮灭势，对１８０ＭｅＶ的在１２Ｃ上的弹性散射微分截面，极化角分布和自旋旋转参数进行了计算。结果表明，自旋效应可以忽略，这种势模型与实验符合得较好。     

电子被CO分子散射总截面的分析

本文根据Ｂｏｒｎ近似提出了一种电子被双原子分子散射总截面的拟合公式，并对ＣＯ分子进行了拟合，分析了其中参数的规律，并阐明了其物理含义，进而给出了直接近似计算散射截面的方法．计算结果与实验和理论结果符合得很好，结果表明Ｃ和Ｏ原子的核间距在ｅＣＯ散射过程中起着关键性的作用     

在p—^＋12C弹性散射中对一种唯象的N—^N湮灭势的研究

在Ｇｌａｕｂｅｒ多重散射理论近似下，采用泡里关联的核波函数，使用一种唯象的ＮＮ湮灭势，对１８０ＭｅＶ的ｐ在＾１２Ｃ上的弹性散射微分截面，极化角分布和自旋旋转参数进行了计算，结果表明，自旋效应可以忽略，这种势模型与实验符合得较好。     

1.5—4.5MeVα粒子引起Lu,Ta和Au L亚壳层电离的研究

以能量为１．５－４．５ＭｅＶ的α粒子轰击Ｌｕ，Ｔａ和Ａｕ靶，测得Ｌ亚壳层Ｘ射线产生截面，利用荧光产额和Ｃｏｓｔｅｒ－Ｋｒｏｎｉｇ跃迁几率等原子参数得到Ｌ亚壳层电离截面，将实验所得Ｌ亚壳层电离截面与ＥＣＰＳＳＲ预言值进行比较，对Ｌ１和Ｌ３亚壳层，理论值与实验结果符合较好。     

胶子湮灭生成中性MSSM黑格斯玻色子对的计算

给出高能ｐｐ 碰撞中产生最小超对称中性黑格斯玻色子对的截面．在计算ｇｇ→ｈｈ 过程中，考虑了相关圈图的所有夸克和标量夸克的贡献．结果表明在ｐｐ 高能碰撞 ｓ ＝ １４ Ｔｅ Ｖ，黑格斯玻色子质量 ｍ ｈ ＝ １００ Ｇｅ Ｖ～６００ Ｇｅ Ｖ 时，截面为１６ｆｂ ～１０ｆｂ ．     

~（181）Ta，（139）La，~（140）Ce和~（142）Ce麦克斯韦谱平均俘获截面的测量

在脉冲静电加速器上，利用~７（ｐ，ｎ）~７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的~（１８１）Ｔａ，~（１３９）Ｌａ，~（１４０）Ｃｅ和~（１４２）Ｃｅ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较．     

^204Hg（n,^3He＋2Pn）^202Pt核反应截面的实验测量

首次报道￣（２０４）（ｎ，￣３Ｈｅ＋２Ｐｎ）￣（２０２）Ｐｔ核反应截面的实验测量结果为１μｂ量级，证实了中子截面系统学研究结果的可靠性。实验中所用的快中子源（Ｅ＿ｎ＝２１ＭｅＶ）是利用能量２５ＭｅＶ、流强１０μＡ质子轰击１ｍｍ厚铍靶而产生的；反应产物放射性Ｐｔ是通过化学分离法而得到的；γ能谱测量是采用低本底ＨＰＧｅγ谱仪。     

对一种唯象的N周边湮灭势的研究

本文使用一种唯象的Ｎ周边湮灭势，对１８０ＭｅＶ的在~(１６)Ｏ上的弹性微分截面进行计算，理论结果与实验符合得较好。     

14.7MeV中子在^9Be核上散射微分截面的测量

用伴随粒子飞行时间谱仪，测量了１４．７ＭｅＶ中子在９Ｂｅ核上的弹性及２．４３ＭｅＶ能级的非弹性散射微分截面．给出了从１５～１３５°（实验室系）范围内散射截面的数据，以及散射角分布的勒让德系数．对中子通量衰减、电子学死时间和初级束形状等作了修正．实验数据的总误差为４．０％～７．０％，其中统计误差为０．５％～３．５％．     

三电子原子体系基态能量的关联变分计算

用形式上比较简单的径向关联波函数计算了三电子原子体系Ｌｉ、Ｂｅ＋、Ｂ２＋和Ｃ３＋的基态能量，对于Ｌｉ原子，其结果为－２０２．５８７６ｅＶ，比用Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ自洽场方法得到的最好结果－２０２．２５５６ｅＶ和苟清泉等人用他们设计的原子解析波函数计算得到的结果－２０２．３４５ｅＶ均好，更接近实验值－２０３．４８８３ｅＶ。     

￣（28）Si（p，p＇）散射的自洽折叠模型分析

测量了２２ＭｅＶ质子在~（２８）Ｓｉ上的弹性散射和四个激发态的非弹性散射微分截面。实验数据与自洽单散射折叠模型计算进行了比较，并对有关问题作了讨论。折叠模型计算中直接使用了由电子非弹性散射实验中提取的~（２８）Ｓｉ核的结构信息以及密度和能量依赖的复数有效相互作用ＣＥＧ。     

利用伴随粒子飞行时间法测量碳的快中子散射微分截面

利用伴随粒子飞行时间法（ＴＯＦ）测量了１４．７ＭｅＶ中子在碳核上的弹性散射和非弹性散射微分截面，给出了截面的实验数据及相应的勒让德系数，截面的总误差在４．０％￣６．５％之间，其统计误差为０．５％￣３．５％。