Preparation,Structure and Intriguing Electrical Conduction of NBM

通过共沉淀工艺合成了陶瓷化合物Ｎｄ０．６７Ｂａ０．３３ＭｎＯ３（ＮＢＭ）．与传统的陶瓷烧结法相比，成相温度降低了４００℃。经Ｘ射线衍射分析表明，所得化合物为立方钙钛矿结构，其晶胞参数ａ＝３．８８３８．样品的四极法电阻率测试结果表明：在该样品中的电阻率－温度曲线中存在两个电阻转变峰，并提出了一个假设模型用于解释该奇特异电性．     

La1—xCaxMnO3多晶材料的巨磁阻特性

用传统的电子陶瓷工艺制备了Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１５，０．３，０．４，０．５，０．６７，０．７）的系列多晶样品，测量了样品的直流电阻率随温度（４￣３００Ｋ）、磁场的变化（０￣８Ｔ）。结果表明：ｘ＝０．３的样品具有最好的磁阻效应，ｘ＝０．１５，０．６７的样品在测量范围内没有巨磁阻效应，但ｘ＝０．７的样品出现较弱的巨磁阻效应，其金属－半导体转变温度为１０５Ｋ。     

新型线性热敏陶瓷复合材料的设计与实现

通过对Ｂａ（Ｓｎ，Ｓｂ）Ｏ３和Ｂｉ２Ｏ３化合物的复合，设计并得到了晶界偏析型复合陶瓷结构．由于复合材料的晶粒具有极小的Ｂ值而晶界势垒也极小，使得该复合材料的电阻－温度特性呈现出良好的线性特征．通过调节Ｂｉ２Ｏ３的含量，可以方便地调节复合材料的室温电阻率．     

La2／3Ca1／3MnO3掺Bi的磁电阻行为

研究了Ｌａ（２－ｘ）Ｂｉｘ／３Ｃａ１／３ＭｎＯ３体系的电阻行为和磁性转变，当ｘ＝０．０，０．２时，样品表现为铁磁转变，居里温度Ｔｃ分别为２６５Ｋ和２４５Ｋ，铁磁转变伴随着半导体－金属转变，对应于磁电阻效应的极大值；当ｘ＝０．４时，样品表现为复杂的磁性转变，样品的电阻率为半导体特性，对应的磁性转变没有半导体，金属转变发生，在ｘ＝０．４和０．６两个样品中，１Ｔ外场下８５Ｋ时获得大于８６％的巨磁电阻效应     

La_(0.7)Ba_(0.3)Mn_(1-x)Fe_xO_3的巨磁电阻效应及磁性

采用溶胶－凝胶工艺制备Ｌａ０．７Ｂａ０．３Ｍｎ１－ｘＦｅｘＯ３化合物．研究其磁性、导电性和磁电阻效应．结果表明,随着Ｆｅ含量的增加,电阻率增加,铁磁居里温度近似线性下降     

衍射模型对非晶态Fe－Co合金适用的温区

研究了非晶态合金（Ｆｅ（１－ｘ）Ｃｏｘ）８２Ｃｕ０．４Ｓｉ４．４Ｂ１３．２（ｘ＝０．０２，０．０５，０．１０，０．１５）的电阻率和温度之间关系，样品的德拜温度在３５０～５３０Ｋ之间，在１１Ｋ（Ｔ＜１００Ｋ和２００Ｋ以上的温区，电阻率分别与温度平方户和温度Ｔ成线性关系，在１１Ｋ＜Ｋ２００Ｋ的温区内，样品的导电机制可用衍射模型描述．     

湿化学法制备钙钛矿型La1—xSrxMnO3的电学性能及其晶体学研究

采用湿化学法制备了粒度在０．２～０．８μｍ范围的钙钛矿型Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３粉末，用室温和高温Ｘ衍射法测定其晶体结构，发现其在１ ２００℃高温发生了四方→立方的相变；制备的粉末粒度与水浴温度有一定的关系，在室温时电阻率在６．０×１０＾－３～６．９×１０＾－３Ω．ｃｍ范围内，在温度大于４５０℃后，随着温度的升高，电阻率亦升高。     

（Ba1—xNdx）TiO3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ＾３＾＋浓度（０．１ｍｏｌ％－２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能。结果表明，当Ｎｄ＾３＾＋逍度为０．１ｍｏｌ％－０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ＾３＾＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷呈半导性，而当Ｎｄ＾３＾＋为０．６ｍｏｌ％－２ｍｏｌ％时呈绝缘性，ＢａＴｉＯ３陶恣室温下的体电阻率ρｖ随Ｎｄ＾３＾＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ＾３＾＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρｖ和最佳的正温系数     

新型氧化物导电陶瓷的物理性质

以一氧化物为主要原料，掺以少量杂质，采用传统的电子陶瓷工艺制备了新型导电陶瓷．经检测表明：该导电陶瓷具有较优良的物理性质．其室温电阻率为０．０６８Ω·ｃｍ，密度为４．９６～５．４５ｇ／ｃｍ３，３０～２８０℃温度范围的平均比热为０．４５８Ｊ／ｇ·℃，１４～１０００℃时的平均线膨胀系数为５．８８５Ｘ１０－６℃－１，当跨距为１５ｍｍ时，其抗折强度（抗弯强度）的平均值为２５．２７５ＭＰａ，ＨＲＡ（洛氏）硬度的平均值为６３．０８．     

Y1—xGdxBa2Cu3O7—δ超导体的磁场烧结致各向异性

在磁场下（Ｈ＝１．３Ｔ）烧结得到的Ｙ１－ｘＧｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ）（ｘ＝０～１．０）系超导体表现出明显的电阻率ρ超导转变零电阻温度Ｔｃｆ和临界电流Ｊｃ各向异性，样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大８％～７０％，零电阻温度Ｔｃｆ∥比Ｔｃｆ┴大１．０～５．０临界电流Ｊｃ比Ｊｃ大９％～７３％，而且在外磁场（Ｈｔ＝２．０Ｔ）下测得的临界电流Ｊｃ随外扬Ｈｔ与烧结磁场     

湿化学法制备钙钛矿型La_（1－x）Sr_xMnO_3的电学性能及其晶体学研究

采用湿化学法制备了粒度在０．２～０．８μｍ范围的钙钛矿型Ｌａ（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＭｎＯ＿３粉末，用室温和高温Ｘ衍射法测定其晶体结构。发现其在１２００℃高温发生了四方→立方的相变；制备的粉末粒度与水浴温度有一定的关系，在室温时电阻率在６．０×１０￣（－３）～６．９×１０￣（－３）Ω·ｃｍ范围内，在温度大于４５０℃后，随着温度的升高，电阻率亦升高。     

PZN基陶瓷超低频介电弛豫的研究

采用线变零起始电压法，对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基陶瓷样品在－１５０～１６０℃温度范围内的超慢介电弛豫进行了详细测试；并结合普适型弛豫函数进行了实验数据的有效拟合，实现了介电常数从时域向频域的傅利叶转换，从而得到该样品的超低频（１０－５～１０－１Ｈｚ）介电频谱、温谱．观察到该样品的超低频介电温谱在居里温度点１１０℃附近存在扩散相变温区，并且在相变温区以下表现出明显的弛豫弥散现象、用热刺激电流（ＴＳＣ）得到样品的弛豫激活能Ｅ和本征驰豫时间τ０，并对其弛豫极化机制进行了讨论．     

La0.822Sr0.178MnxO3薄膜电磁性质的研究

报道了用Ｌａ、Ｓｒ、Ｍｎ的环烷酸盐溶液,采用两次旋转覆盖的溶胶－凝胶方法在ＬａＡｌＯ３（１００）基底上合成了Ｌａ０．８２２Ｓｒ０．１７８ＭｎｘＯ３薄膜。阻温特性测量表明：当ｘ＝０．９时,样品是绝缘体;当ｘ≥０．９４４时,随着ｘ的增加,磁转变温度Ｔｃ增加,电阻率降低,用该方法得到样品的Ｔｃ比其它方法得到的Ｔｃ要高。     

弛豫铁电体中激活能的讨论

从德拜弛豫理论出发,通过介电温度谱得到弛豫时间温度谱,由此计算弛豫铁电体的弛豫激活能Ｑ和指数前因子τ０。计算得Ｐｂ（Ｓｃ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３（ＰＳＴ）单晶（有序度Ｓ＝０．３５）,ＰＳＴ陶瓷（Ｓ＝０．４０）,０．８５Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．１５ＢａＴｉＯ３（ＢＺＮ－ＢＴ）陶瓷,０．９３Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．０７ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ－ＰＴ）陶瓷４种典型弛豫铁电体激活能Ｑ     

Y_（1－x）Gd_xBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体的磁场烧结致各向异性

在磁场下（Ｈ＝１．３Ｔ）烧结得到的Ｙ１－ｘＧｄｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０～１．０）系超导体表现出明显的电阻率ρ、超导转变零电阻温度Ｔｃｆ和临界电流Ｊｃ各向异性．样品的常态电阻率在平行于烧结磁场方向上的值ρ比垂直于烧结磁场方向上的值ρ大８％～７０％；零电阻温度Ｔｃｆ比Ｔｃｆ大１．０～５．０Ｋ；临界电流Ｊｃ比Ｊｃ大９％～７３％，而且在外磁场（Ｈｔ＝２．０Ｔ）下测得的临界电流Ｊｃ随外场Ｈｔ与烧结磁场ＨＳ间的夹角α呈椭圆形变化规律．这表明烧结过程中所加的磁场引起了该系超导体的各向异性．     

SAG法Ba_（1－x）Sr_xTiO_3的介电性质

ＸＲＤ法分析和介电测量结果表明，ＳＡＧ法Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ｘ＝０、０．３、０．５和０．７）微粉和陶瓷的室温结构为立方相．其居里温度明显低于相应Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３晶体或常规工艺陶瓷的值，但居里温度仍随着Ｓｒ２＋含量的增加而线性下降．晶粒含杂质Ｆｅ３＋以及表面富钡可能使其晶格立方化，从而使居里温度下降以及三方－正交和正交－四方铁电相变消失．     

间甲基酚钡的合成及其溶解度的测定

本文以间甲基酚和ＢａＣｌ２为原料合成了间甲基酚钡。重量法分析证明了本实验样品的结构式。该化合物新合成的样品和烘干后的样品在水中的溶解度有很大的差别，３０℃时溶解度分别是１２．０２和０．２０，５０℃时分别是１３．６５和０．２１，说明了样品的溶解度随温度变化不大。     

类金刚石碳膜在大气热退火过程中的稳定性

本文对双离子束溅射淀积法制备的类金刚石碳膜进行了大气中的热退火研究。退火温度３００℃，时间分别为１．５ｈ和３．０ｈ。对退火前后的样品分别作了红外透射谱、Ｒａｍａｎ光谱和电阻率的测量，并在退火过程中对膜层电阻率进行了即位测量。结果表明，３００℃的退火并不能使膜层中的Ｃ－Ｈ键断裂，而使膜层结构趋于完整，膜层氧化变薄，其电阻率和红外透过率过率增高；但退火对膜的影响程度只与退火温度有关，而与退火时间无关。     

单晶样品La_3Co的电阻率的测定

我们采用直流四引线法，对两个单晶样品Ｌａ３Ｃｏ（１）和（２）的电阻率的温度变化进行了测定．结果表明，超导转移温度、电阻率的值、各向异性以及饱和现象等都有很好的再现性．     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。