共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
研究了固相反应法合成PbBi2Nb2O9(PBN)层状结构压电陶瓷粉体的化学反应过程,发现固相反应主要发生在590,710,820℃·590℃时反应产物为Pb2Bi6O11、Pb5Bi8O17、Pb3Nb4O13及PBN;710℃时反应产物为Pb5Bi8O17和PBN;在820℃保温1h,可以获得单相PBN·PBN粉体在1080℃进行烧结,可获得相对密度达975%,组织细小均匀的PBN陶瓷· 相似文献
2.
钛酸钡作为一种高介电材料,在相变温度120℃附近具有较大的介电常数,为了更好应用于电子陶瓷材料中,需添加锶、锆、硅等掺杂物降低其相变温度至室温附近。本文用固相反应法制备了多种比例锶掺杂的钛酸钡陶瓷(Ba1-xSrxTiO3)。在不同频率下对其介电性能与相变温度做了对比研究。研究结果表明:一定比例锶掺杂能提高钛酸钡陶瓷的有效介电常数,同时随着掺杂比例增加可使相变温度向低温方向移动。x=0.3的锶掺杂比例使钛酸钡的相变温度移至室温附近,介电常数高于6000,满足了一般电容器的工作环境要求。 相似文献
3.
采用低温固相法制备BiFeO_3前驱体,经煅烧得到BiFeO_3粉体,并在不同温度下烧结制得BiFeO_3陶瓷。分析前驱体的热分解过程、粉体和陶瓷的物相组成及陶瓷的磁性能和介电性能。结果表明,采用低温固相法制备的BiFeO_3前驱体,经700℃煅烧可制得基本为单相的BiFeO_3粉体,再经800℃烧结可以制得体积密度较大的BiFeO_3陶瓷,其在室温下不表现宏观磁性;BiFeO_3陶瓷的介电常数和介电损耗均随其烧结温度的升高而下降。 相似文献
4.
采用固相烧结法制备了Nd掺杂Bi4-xNdxTi3O12(%=0,0.25,0.5,0.75,1)层状铋系钙态矿无铅介电陶瓷。利用XRD、SEM和宽频IZR数字电桥测试手段研究了Nd掺量、烧结温度和保温时间对Bi4-xNdxTi3O12(BNT)陶瓷晶相、显微结构及介电性能的影响。研究表明,本实验中Nd的最佳质量掺量为0.75,最佳烧结温度为1050℃,保温时间为4h,BNT陶瓷具有良好的介电性能。 相似文献
5.
6.
采用传统固相法在低温下合成CdWO4单相,研究了CdWO4陶瓷的微波介电性能.实验结果表明:普通球磨CdO和WO3混合物10h,在200℃下预烧2h后获得CdWO4纯相粉体;用此粉体制成的素坯在1075~1 200℃烧结,均能得到相对密度比较高的单斜结构CdWO4陶瓷;在1 150℃烧结的CdWO4陶瓷表现出优良的微波介电性能,其中Q×f=41 000GHz,εr=12.8,τf=-14×10-6℃-1. 相似文献
7.
以片状SrTiO3晶粒作为模板,使用模板晶粒生长法(TGG)控制制备[001]取向的有序化Bi0.5Na0.5TiO3压电陶瓷,同时研究了过量Bi2O3、烧结温度以及掺MnO对Bi0.5Na0.5TiO3有序度的影响.研究结果表明,过量Bi2O3的最佳掺入量为BNT粉料质量的1%;1190℃是合适的烧结温度,在1190℃下,BNT-1试样的有序度相对较高,有序度为88.2%;MnO的加入有效地提高了试样的有序度,并且降低了试样的烧结温度,同时也使得烧结温度范围变窄.在烧结温度为1170℃下,掺质量分数为0.3% MnO的BNT-1试样的有序度为91.1%. 相似文献
8.
采用传统固相烧结方法制备了Er~(3+)掺杂0.5Ba(Ti_(0.8)Zr_(0.2))O_3-0.5(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3无铅压电陶瓷.考察了不同浓度Er~(3+)离子掺杂对其晶体结构和上转化发光性能的影响.XRD实验结果表明制备出的陶瓷样品均为纯的钙钛矿结构,且形成三方相和四方相的准同型相界.在980 nm波长激发下,陶瓷显现出明显的上转化发光性能,有3个明显的Er~(3+)特征峰,分别位于528,550 nm处绿光发射和661 nm处红光发射;当Er~(3+)掺杂量x=0.015 mol时,上转换发光性能达到最佳.该材料属于一种光-电多功能材料,即既具有上转换发光性能又具有铁电/压电性能.稀土掺杂0.5Ba(Ti_(0.8)Zr_(0.2))O_3-0.5(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3固溶体的发光性能可以通过电场来调控. 相似文献
9.
本文以KNO_3,Fe(NO_3)_3·_9H_2O,TiO_2为原料,通过固相反应,制备出高结晶度K-Fe-Ti层状金属氧化物。并详细考察了不同配比、不同反应时间以及不同反应温度对产品结晶度的影响,筛选出最佳合成条件。经过XRD,SEM,TG-DTA及BET表征,初步探讨了层状金属氧化物(简称为LMO)的基本性能。以乙二醇为分散体系,正已铵的插入,使LMO的面网间距由0.78nm增加到2.65nm. 相似文献
10.
以柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法获得了Ca3Co4O9的纳米前驱体,用常压烧结法成功制备了Ca3Co4O9陶瓷.利用TGD-TA,XRD,SEM等方法研究了其显微结构和热电性能.结果表明,Ca3Co4O9陶瓷为取向无规则片状结构,属于P型半导体热电材料,其功率因子随温度的升高而增大,具有一定的热电性能. 相似文献
11.
张红晨 《大庆师范学院学报》2008,28(2):99-101
通过熔炼、机械粉碎、热压法制备了Bi0.5Sb1.5Te3(三碲化二铋、三碲化二锑固溶体,比例为1∶3)热电材料,研究了不同掺杂浓度对材料性能的影响。材料的XRD图谱显示,随着Te浓度的增加,衍射峰后移。性能测试表明,随着Te浓度的增加,材料的温差电动势率增高,电导率下降,这说明Te浓度对材料的热电性能有重要影响。 相似文献
12.
综述了国内外关于(Na0.5Bi0.5)TiO3(简称BNT)基无铅压电陶瓷材料的发展进程及研究现状,着重介绍了BNT基无铅压电陶瓷的制备工艺和掺杂改性,并对其发展趋势进行了展望. 相似文献
13.
刘汉忠 《聊城大学学报(自然科学版)》2001,14(1):52-53
通过对La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷的导电性、导电机制和微观形貌的研究,探讨了元素对该系导电陶瓷各方面性能的影响.发现稀土元素Y和La0.5Ba0.5CoO3系导电陶瓷的导电性有较大的影响. 相似文献
14.
Na0.5Bi0.5TiO3-BaTiO3无铅压电陶瓷制备及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同烧结制度下的NBBT6陶瓷的致密度、介电和压电性能.870℃左右预烧,可以得到致密且压电和介电性能较好的陶瓷(d33=107 pC/N.∈r=750,tanδ为3.23%).通过相应的粒度分析可知,提高预烧温度对粒度的影响不太大,但可用于湿法制备工艺中的原材料制备,解决湿法工艺中材料易被极性水分子解离而影响材料组分的问题.加入少量的BaTiO3到NBT中形成NBT-BT的固溶体,通过对压电介电性能及XRD的分析可知.当质量分数x=0.06时.(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3晶体结构出现由三方相到四方相的转变,此时的性能达到最大值(d33=114 pC/N,∈r=1 173.tanδ为3.4%). 相似文献
15.
采用传统陶瓷工艺,制备了(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3压电陶瓷.研究了烧结温度为1 120~1 180℃时陶瓷样品的密度、相组成、显微组织、压电和介电性能.结果表明,所有样品均为三方、四方相共存,有高的体密度.1 160℃烧结陶瓷,体密度可达到最大值(理论密度的98%),并且有很好的电子性能(压电系数d33=131 pC/N,平面机电耦合系数 kp=0.297,介电常数(ε)r=615,介电损耗tanδ=0.020.) 相似文献
16.
铝镁复合氢氧化物的合成研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以硝酸铝、硝酸镁为原料,NaOH 为沉淀剂,采用变化pH 值法,经过共沉淀水热合成了铝镁层状复合氢氧化物。详细测定了不同镁铝摩尔比混合盐溶液的碱滴定曲线,利用正交设计探讨各个主要因素在合成过程中的影响,借助XRD鉴定合成物相结构。结果表明,当混合盐溶液中n(Mg)/n(Al)= 1.0~10.0 时,在pH= 5.0~10.0 下,与NaOH 共沉淀物经回流处理后,均能合成层状复合氢氧化物;最佳合成条件为:n(Mg)/n(Al)= 1.0~6.0,pH= 8.0~9.0,110℃,3 h 的水热处理。 相似文献
17.
用氯铂酸铵对铋系超导陶瓷进行铂掺杂,既能改善Bi(Pb)SrCaCuO陶瓷的烧结性能,又可以提高其超导特性.通过XRD和SEM分析,发现一定含量的铂掺杂能促进铋系超导陶瓷晶粒定向排列.文中亦讨论了铂掺杂对铋系超导陶瓷材料磁化率和磁滞回线的影响. 相似文献
18.
本文对SH型压电表面波在由不同压电陶瓷组成的180°畴层结构中的传播问题进行了讨论,通过理论分析和数值计算得出了铁电畴层波在此结构中传播时的存在条件和色散关系.文中给出了铁电畴层波的一般化存在条件.研究结果表明,层状结构中除了Love型波外,还能传播另一类SH型表面波,即铁电畴层波. 相似文献
19.
20.
采用化学共沉淀法制备了掺钕钛酸铋陶瓷粉料,对其相组成和形貌进行研究,进而制备块体陶瓷,对其电学性能和疲劳特性进行分析.结果表明:粉料经550℃烧结后开始结晶,随烧结温度的进一步提高,结晶逐步完善而形成单相层状钙钛矿结构.块体材料的2Pr和Ee值分别为12.56μC/cm^2和29.9V/cm.经过10^11次读/写循环后BNT的Pr值基本上没有下降,说明材料具有良好的抗疲劳特性。 相似文献