射频溅射ZrO_2薄膜的摩擦学特性

利用磁控射频反应溅射方法制备了 ＺｒＯ２薄膜。分析了工艺对薄膜结构的影响，结构与摩擦学特征的关系。研究表明，氧分压和基片温度是影响薄膜结构，从而影响其摩擦学特性的关键因素。     

射频溅射法研制SnO2纳米薄膜

采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

衬底温度对射频溅射a—Ge：H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜（ａ－Ｇｅ：Ｈ和μｃ－Ｇｅ：Ｈ）。研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ＜２９０℃，沉积出ａ－Ｇｅ：Ｈ膜；Ｔｓ≥２９０℃沉积出μｃ－Ｇｅ：Ｈ膜。其结构、光电性能均当Ｔｓ≥２９０℃时有明显的变化。     

射频溅射法制备Pb1—xCoxSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体Ｐｂ１－ｘＣｏｘＳｅ薄膜研究了薄膜的成分结构以及电阻率－温度特性和磁化率温度特性间的关系，结果表明，由于Ｃｏ离子介入，Ｐｂ１－ｘＣｏｘＳｅ发生了由金属特性的向半导体特性的转变，在充分低的温度下，并伴有磁相转变，磁相转变温度与磁性离子浓度相关，磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关。     

射频溅射两步法制备立方氮化硼（c—BN）薄膜

用常规射频(RF)溅射系统，采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c—BN)薄膜。沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步，当由第一步变为第二步时，工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体，衬底温度和偏压也降为较低的值。对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析，对最后沉积的薄膜进行了XPS分析。结果表明：采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c—BN薄膜内应力较之常规方法减小约11．3GPa，薄膜的B、N原子之比为1．01，c—BN的体积分数为88％，薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象。文中还讨论了c—BN薄膜的综合生长机制。     

基于热应力的高温超导薄膜界面热阻模型研究

依据基于热应力理论的高温超导薄膜材料界面热阻数学模型,对高温超导薄膜Er-Ba-Cu-O与其基体MgO界面热阻随热应力变化的模型进行参数辨识.应用MATLAB开发工具设计界面热阻仿真软件,对其变化规律进行仿真研究.结果表明:界面热阻实验与仿真温度范围为20~180 K,模型误差小于10%,高温超导薄膜界面热阻随热流增加而减小,仿真结果与实验数据有较好的一致性.     

高温超导薄膜微波表面电阻测试方法讨论

本文介绍了国内采用蓝宝石介质谐振器法测试高温超导薄膜微波表面电阻RS的几种不同的结构,这种测试方法采用低损耗高介电常数的蓝宝石构成工作在TE011 δ谐振模式的介质谐振器,在77K时,利用它对高温超导薄膜的微波表面电阻RS进行测试。并且对目前拟作为国际RS测试标准的双谐振器法进行了分析。     

射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_y高T_c超导薄膜

本文采用射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_7高T_c超导薄膜,研究了溅射电压、气流、气压、基片及热处理工艺对超导膜成分、相结构及超导性能的影响,所得到的超导薄膜T_c(R=0)=89K,临界电流密度10~4～10~5A·cm~(-2).     

Bi—Ca—Sr—Cu—O体系中的高温超导电性

本文报道掺Pb和不掺Pb的Bi-Ca-Sr-Cu-O体系中高温超导电性的变化规律,讨论了体系组成、制备条件、物相与超导电性的关系。在合适的制备条件下,Bi-Pb-Ca-Sr-Cu-O体系中所形成的T_(ce)为103K的物相,除个别衍射峰外,几乎与纯铋系的4334相完全一致。     

溅射法制备梯度薄膜研究进展

梯度薄膜是一种涂覆型梯度材料,具有均质薄膜无法比拟的优越性。溅射法效率较高且环保,较广泛地应用于梯度薄膜的制备。对于反应溅射,可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。对于非反应溅射,可通过溅射一系列不同成分比的靶材制得梯度薄膜,但成本较高,且梯度层有限。而通过连续改变溅射参数来制备梯度薄膜是较常用的方法。     

磁控溅射法制备Half-Heusler化合物半导体TiCoSb薄膜

设计一种特别的TiCoSb复合靶材, 通过调节各元素在复合靶材上所占面积的大小, 可以方便地调节薄膜的成分. 采用这种靶材, 利用直流磁控溅射和快速退火成功制备单一物相的多晶TiCoSb薄膜; 采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)和原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)分析TiCoSb薄膜的结构和表面形貌; 利用Hall测试仪初步研究薄膜的电学性质. 结果表明, 所制备的TiCoSb薄膜对石英玻璃衬底具有良好的粘附力, 薄膜均匀致密. 经600 ºC, 5 min退火的TiCoSb薄膜的结晶质量较好, 薄膜的室温电导率为13.7 S/cm.     

磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究

磁控溅射法是制备薄膜材料的重要手段,薄膜属性受其制备参数的制约,诸参数相互关联,共同影响薄膜的沉积、成核及生长。本文在简要介绍了磁控溅射制备薄膜的基本原理及基本流程的基础上,讨论了溅射参数影响薄膜属性的基本规律和作用机理,并简述了使用磁控溅射法制备薄膜的注意事项。     

磁控溅射工艺对纳米Ti膜形貌的影响

实验研究了磁控溅射工艺的溅射功率及溅射时间对纳米金属Ti膜的厚度影响,并对薄膜形貌作了简单探讨。结果表明,在其它工艺参数恒定时,金属Ti膜厚度与溅射时间呈正比例关系;金属Ti膜厚度随溅射功率的提高而增大;长时间溅射后的纳米金属Ti膜表面平整,主要源于薄膜进入连续生长阶段,出现晶粒合并的现象。     

超导与高Tc超导红外探测

本文介绍了超导电性理论,论述了高TC超导薄膜红外辐射探测器的工作原理、主要性能参量及国内外的研究与发展状况,并提出了今后的研究方向。     

束缚在高温超导体Cu－O面中的极化子

本文采用绝热近似理论，用变分法讨论了束缚在高温超导材料Ｃｕ－Ｏ面中的极化子。结果表明：Ｃｕ－Ｏ面上对电子的库仑束缚和电子－声子耦合的增强以及材料的光学介电常数与静态介电常数差别的减少，将有利于形成稳定的极化子．     

多靶射频磁控共溅射SmCo/Cr薄膜的制备和磁性能

采用多靶射频磁控共溅射方法制备了SmCo/Cr薄膜,用XRD和VSM测量了各样品的微结构和矫顽力.结果表明,SmCo膜具有较强的垂直各向异性,当Cr底层溅射时间为5min、SmCo磁性层溅射时间为14min、Co靶溅射功率为220W时,所得到的薄膜垂直矫顽力最大.     

双靶反应溅射Ti-B-N复合膜的研制

采用基片架旋转的多靶磁控溅射仪，通过六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）和Ｔｉ靶反应溅射制备Ｔｉ－Ｂ－Ｎ复合薄膜，并用ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ等方法研究了薄膜的微结构．结果表明，室温下沉积薄膜均呈非晶态，经过４００°Ｃ热处理薄膜晶化．基片加热为４００°Ｃ沉积的薄膜则已晶化，ＴＥＭ分析确定薄膜结构为ＴｉＮ结构．显微硬度表征发现，室温沉积Ｔｉ与ｈ－ＢＮ的原子数约为２∶１时的薄膜达到最高硬度ＨＫ２６００．