直接光学相移器

根据声光调制中的频率、相位调制原理,文章提出了一种光学相移的方法.利用一对声光调制器,合理校准它们,可以构建出一个光学相移器.这个相移器通过两声光调制器的超声波相位差可以直接控制两光束的相位差.当使用与偏振无关的声光调制器时,该相移器对入射光的偏振并不敏感,而且不需要精确的机械刻度.这是把相移直接引入校准激光束的光学相移方法,且提出的该方法与实验结果完全一致.     

声光器件的全息功能分析

光学信息处理中,通常的声光调制器都是振幅型的。本文在正常声光互作用范围内,推出声光器件的相位调制关系并结合声光振幅调制,分析出声光器件所具有的全息功能。     

声光器件及其在大学物理实验中的应用

该文首先阐述了声光效应的概念；然后较详细地介绍了声光调制器、声光偏转器和可调谐声光滤光器三种声光器件；最后通过声光法测声速、声光偏转和声光可调谐滤光器测原子光谱三个实验，探讨了声光器件在大学物理实验中的应用。     

非理想发射机情况下的OQPSK性能分析

偏移四相相移键控(OQPSK)是一种适用于在限带非线性信道中使用的高效恒包络数字调制技术。OQPSK调制器的不均衡以及放大器的非线性对接收机的性能具有非常大影响。由于不均衡对载波跟踪环路的稳态锁定点的影响,使得平均误比特率(BEP)的性能受到了的决定性影响。通过对OQPSK调制器不均衡的模型讨论,深刻分析了调制器不均衡对载波跟踪环路稳态锁定点和平均BEP的影响。     

声光调制器和偏转器的设计方法讨论

本文根据输入扫描和输出扫描的要求,探讨声光调制器和声光偏转器的设计方法。     

新型的汉字激光照排机

本文介绍四束激光同时扫描的滚简式激光照排机。该机用一支1.5 mW的He-Ne激光器和一个声光调制器,四个不同频率的超声信号经一宽带功率放大器放大后,加到声光调制器上,产生四束衍射光,作为扫描光束。该机每秒钟可照排100个五号汉字,扫描线密度为29.2线/mm,阴图与阳图具有同样的高质量。     

一种用于助听器的1-V 110-μW 105.5-dB 20-kHz CT-ΣΔ调制器

设计了一种应用于助听器的4阶连续时间单环单比特量化ΣΔ调制器.采用有源RC积分器实现连续时间前馈环路滤波.通过采用2级AB类放大器同时实现了低电压下积分器的低功耗和大电压输出摆幅.提出了用固定延时锁存比较结果的方法,消除了由量化器的信号相关延时带来的负面影响.调制器采用中芯国际0.13μm工艺,通过仿真显示,在20kHz信号带宽和128倍过采样率条件下,调制器的信号噪声失真比可以达到105.5dB.在1V电源电压下,调制器功耗仅为110μW.     

CO2激光器声光Q开关的原理与设计

用Ｇｅ单晶体作为声光介质研制出用于Ｑ开关ＣＯ２激光器的声光调制器件，文中对此调制件的理论分析和设计作了介绍     

一种新型基于两通道声表面波器件的全光纤调制器

研究了多通道声表面波与光纤中传播的光导波相互作用,推导出其相应的耦合模方程.研制了一种两通道声表面波全光纤声光调制器并进行了实验,理论分析与实验结果相符合.     

高阶Σ-Δ调制器的滑模电路设计方法

提出了一种新的高阶Σ-Δ调制器滑模电路设计方法.首先,证明了滑模控制系统的Σ-Δ调制编码功能,进而推出了Σ-Δ调制器传输函数形式的稳定性判据;然后,结合判据提出了一种稳定的巴特沃斯极点、零点优化的传输函数设计算法;最后,利用建立参数方程及求解、参数仿真调整,设计了Σ-Δ调制器的环路滤波器级联结构的电路,并通过一个设计实例及仿真,验证了所提方法的可行性.     

硅基环形电-光调制器的理论分析和性能优化

对硅基环形电-光调制器的电学特性和光学特性进行了理论分析.给出环形电-光调制器的调制速率解析表达式.该表达式表明,环形调制器的光学谐振特性对于整个系统调制速率起重要的作用.分析得到调制速度和Q值及波导宽度的关系.并给出了定量的表达式,它可以用于器件特性的优化,同时从理论上指出该器件的理论极限调制速度大于10,GHz.     

集总型电极光波导调制器的研究

光波导调制器是光纤通信系统中的重要器件，本文分析了Ｍ－Ｚ干涉型光波导调制器的工作原理，研究集总参数型电极的频宽特性，在ＬｉＮｂＯ３基片上用导波技术设计、制作了光波导调制器，并测量了主要性能。     

反射型光纤信号干涉调制器

利用光纤传输系统中菲涅耳反射所产生的反射回波和多光束干涉效应设计了一种反射型光纤信号干涉调制器.实验中从X型光纤耦合器输入端输入光波,从输出端输出光波并入射到晶体表面上.将调制信号以电压形式加载于压电陶瓷管用共伸缩振荡来控制光纤端与晶体表面间距离,光信号在光纤端面与晶体表面发生菲涅耳反射产生的回波发生多光束干涉效应,实现对反射光的调制,从光纤耦合器的回波端输出被调制的回波光信号.这种光纤信号调制器主要针对光的振幅调制,实验中获得调制度约为44%,信噪比约为13 dB,带宽约为200 kH z.具有价格低廉、调制度高的特点,可应用于光纤传输信号的调制及信号斩波等.     

利用径向剪切干涉法测量液晶空间光调制器的位相调制特性

研究了一种测量液晶空间光调制器的相位调制特性方法，采用共光路径向剪切干涉仪，对经空间光调制器调制后的波面进行径向剪切干涉后，获得其干涉条纹图，并用迭代算法计算其波面的相位分布，从而得到液晶光空间调制器上的相位调制曲线。     

A high-speed silicon optical modulator based on a metal-oxide-semiconductor capacitor

Silicon has long been the optimal material for electronics, but it is only relatively recently that it has been considered as a material option for photonics. One of the key limitations for using silicon as a photonic material has been the relatively low speed of silicon optical modulators compared to those fabricated from III-V semiconductor compounds and/or electro-optic materials such as lithium niobate. To date, the fastest silicon-waveguide-based optical modulator that has been demonstrated experimentally has a modulation frequency of only approximately 20 MHz (refs 10, 11), although it has been predicted theoretically that a approximately 1-GHz modulation frequency might be achievable in some device structures. Here we describe an approach based on a metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor structure embedded in a silicon waveguide that can produce high-speed optical phase modulation: we demonstrate an all-silicon optical modulator with a modulation bandwidth exceeding 1 GHz. As this technology is compatible with conventional complementary MOS (CMOS) processing, monolithic integration of the silicon modulator with advanced electronics on a single silicon substrate becomes possible.     

硅上液晶微型显示器工作原理

硅上铁电液晶显示器是以Flos空间光调制器为光引擎的微显示系统,空间光调节器的工作原理与表面稳定型铁电液晶器件相同。硅上铁电液晶微显示器运行时,图像信号被编码后经由空间光调制器加载到光波前,再通过光学系统解码读出,灰度和色彩则可通过时序编码方法来产生。     

以多量子阱异质结构掺杂超晶格作为波导区的新型光波导调制器

本文提出一种以多量子阱导质结构掺杂超品格作为光波导区的新型光波导调制器。这种结构的器件结合了多量子阱和掺杂超品格两者的优点,即极低强度的激发导致大的光吸收非线性。这种结构和平面加工技术的兼容使其特别适合于作为大规模光电集成的单元器件。     

液晶光学双稳态及自振荡研究

研究了一种扭曲向列相液晶电光调制器的电光特征，讨论了在两种不同偏振配置下液晶对光行为的影响及两种电光特性的区别，实现了液晶调制光学双稳态及多种光逻辑工作状态，发现了一种新的自振荡，观察到振荡的阈值现象和振荡周期对偏压的依赖关系．由于液晶非线性系数大，实验中只需中等强度的连续激光，避免了使用高强度脉冲激光而产生的脉冲间的不确定性。     

闪耀光栅产生光学势阱阵列

提出用液晶空间光调制器制作闪耀光栅产生光学势阱的新方案,优化设计光栅的相位变化参数,用单束激光照明,产生3×3和4×4等光强光学势阱阵列.根据现有空间光调制器性能和尺寸,模拟设计光栅,计算光阱阵列光强分布.研究结果表明：所产生的光阱阵列中各光阱具有较高的峰值光强和光强梯度,且光强分布均匀;对冷原子或冷分子囚禁有较高的光学偶极势和较强的偶极力,在原子光学晶格的实验研究中具有很好的应用前景.     

Strained silicon as a new electro-optic material

For decades, silicon has been the material of choice for mass fabrication of electronics. This is in contrast to photonics, where passive optical components in silicon have only recently been realized. The slow progress within silicon optoelectronics, where electronic and optical functionalities can be integrated into monolithic components based on the versatile silicon platform, is due to the limited active optical properties of silicon. Recently, however, a continuous-wave Raman silicon laser was demonstrated; if an effective modulator could also be realized in silicon, data processing and transmission could potentially be performed by all-silicon electronic and optical components. Here we have discovered that a significant linear electro-optic effect is induced in silicon by breaking the crystal symmetry. The symmetry is broken by depositing a straining layer on top of a silicon waveguide, and the induced nonlinear coefficient, chi(2) approximately 15 pm V(-1), makes it possible to realize a silicon electro-optic modulator. The strain-induced linear electro-optic effect may be used to remove a bottleneck in modern computers by replacing the electronic bus with a much faster optical alternative.