声子色散和磁场对极化子基态的影响

采用线性组合算符和幺正变换的方法,得出极化子基态能量与色散系数、耦合强度以及磁场强度之间的关系.数值计算表明：对弱耦合极化子,振动频率λ随磁场强度的增大而单调增大;基态能量E0随磁场强度增大而增大、随耦合系数α增大而单调下降、随色散系数γ增大而减小.对强耦合极化子,基态能量E0随磁场强度增大而增大、随耦合系数α增大而单调下降、与声子色散无关.     

外场对量子阱中极化子基态能的影响

研究了外场对量子阱中极化子基态能的影响,通过计算得出了在外场作用下量子阱中极化子的振动频率和基态能量E,并分别讨论了极化子在强磁场和弱磁场作用下基态能量与阱宽、电场强度和回旋频率之间的关系。     

声子之间相互作用对弱耦合量子点中极化子内声子平均数的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了量子点中弱耦合极化子的性质。在考虑声子之间相互作用时,讨论了极化子的基态能量随量子点受限长度和平均声子数的变化关系。数值计算结果表明：极化子的基态能量和平均声子数都随量子点受限长度的增加而减少,平均声子数随基态能量的增加而增加。在基态能量相同时,考虑声子之间相互作用时的平均声子数比不考虑声子相互作用时的平均声子数要小一些,即声子之间的相互作用对量子点中平均声子数影响不能忽略。     

强耦合表面极化子的基态能量

研究了强耦合表面极化子基态的性质 ,采用Landau -Pekar变分法计算强耦合表面极化子的基态能量 ,讨论基态能量与电子—声子耦合常数的依赖关系     

介子中的胶子自由度

在假定有质量的组分胶子是介子的构成子之一的基础上,根据Ｌｏｒｅｎｔｚ群与ＳＵ（Ｎｃ）色群的分析,构造了基态Ｊ＾ｐ＝１＾－介质的波函数,分析了基态１＾－介子中ρ＾±,κ＾±,ρ＾０,ω和φ介子的磁矩阵与自矩与自旋结构）即夸克,反夸克与组分胶对介子自旋的贡献）得到了关于ρ＾±,κ＾±介子的磁矩和自旋朗德因子ｇ。的限制条件以及关于基态１＾－介子各组成子（夸克,反夸克或组分胶子）所携带的介子自旋的份额ｒ的     

用屏蔽法计算较高电荷态类锂离子的电离能

在类氢离子能级相对论修正的基础上,依据屏蔽方法,给出了类锂离子基态电离能的一种表达式。依据原子序数3至14的元素类锂体系基态电离能实验数据,总结出类锂离子1s态电子屏蔽系数与原子序数的函数关系。计算了原子序数15至30的类锂离子基态电离能,计算结果与文献提供的实验数据相符合。     

GaAs/G_(a1-x)Al_xAs量子阱中激子的结合能

提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进行了讨论。     

极性晶体中界面强耦合激子的性质

采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。     

量子阱中弱耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了量子阱中弱耦合磁极化子的性质,得到了极化子的基态能量和振动频率、磁场强度以及阱宽之间的关系．数值计算结果表明：随着磁场强度的增加极化子的基态能量增加,随着阱宽和振动频率的增加磁极化子的基态能量减小,阱宽越小,量子尺寸效应越显著．     

声子之间相互作用对量子点中弱耦合激子基态能量的影响

采用线性组合算符方法研究了半导体量子点中弱耦合激子的性质.讨论了声子之间相互作用对激子基态能量的影响.数值结果表明:声子之间相互作用对激子基态能量的影响不能忽略.     

Nd:YIG中旋轨耦合对磁矩和磁光效应的影响

应用量子理论计算了Nd:YIG中Nd3 离子基态旋轨耦合对离子磁矩、磁光效应以及磁光系数的影响. 计算结果表明, 这种影响很大, 而且磁矩、磁光效应以及磁光系数与相对旋轨耦合系数α的关系是非线性的.     

无限深量子阱中弱耦合极化子的性质

采用改进的线性组合算符和变分相结合的方法,导出了量子阱中弱耦合极化子的光学声子平均数和基态能量;讨论了阱宽对基态能量的影响以及Lagrange乘子u对光学声子平均数和基态能量的影响.数值计算结果表明:光学声子平均数随u的增加而增大;基态能量随u的增加而减小,随阱宽的增加而减小.     

磁场作用下量子阱中极化子的性质

研究了磁场作用下量子阱中弱耦合极化子的性质,计算了磁极化子的有效质量并分别讨论了磁极化子基态能量与其他物理量之间的关系。结果表明:量子阱中弱耦合磁极化子的有效质量仅与耦合强度α有关,且随α增大而迅速增大。随着阱宽的减小基态能量迅速增加,说明量子尺寸效应较显著;基态能量随磁场回旋频率和极化子的速度的增加而增大。     

一维量子XXZD模型的量子临界现象

采用矩阵乘积态算法对不同单粒子各向异性系数(D=-0. 6,-0. 3,0,0. 3,0. 6)和类伊辛参数(Jz=-0. 5)的一维量子XXZD模型的基态进行模拟,基于基态波函数中纠缠的概念,计算冯诺依曼熵和平移算子之间的标度关系,从而确定中心荷和相比普适类。任意选取临界区域内的单粒子各向异性参数,研究了一维量子XXZD模型的单点几何纠缠的有限尺寸修正项系数与Luttinger液体紧致半径之间的关系。结果表明,单点几何纠缠的有限尺寸修正的方法是一种普适的研究量子临界性的方法,可以简捷的计算出Luttinger液体的紧致半径值。     

多支LO声子作用对量子点中强耦合极化子基态能量的影响

本文采用线性组合算符和幺正变换方法研究了量子点中极化子的性质,得到了极化子的基态能量.考虑多支LO声子之间相互作用时,研究了多支LO-声子对量子点中极化子基态能量的影响.结果表明：极化子的基态能量随量子点受限长度的增大而减小;量子点受限长度随振动频率λ的增大而减小.在不同的量子点受限长度下,极化子的基态能量随量子点振动频率的减小而增大.考虑多声子相互作用时,基态能量的附加能量等于电子与多支声子耦合.     

磁场和LO声子效应对量子盘中强耦合磁极化子qubit的影响

采用Lee-Low-Pines-Huybrechts变分法研究了外磁场、LO声子效应和量子点厚度对量子盘中电子-LO声子强耦合磁极化子的振动频率和qubit的影响,推导出磁极化子的振动频率λ,量子比特振荡的周期T0和电子的几率分布ρ的表达式。数值计算结果表明,磁极化子基态的振动频率大于激发态的振动频率,λ随ωc和α的增加而增大,随L的增加而减小;T0随受限强度ω0和量子盘厚度L的增加而增大,随电子-声子耦合强度α的增加而减小;ρ随ω0的增加而减小,随L的增加而振荡减小;T0和ρ随ωc和L的变化规律受ω0和α的影响显著。     

N层单电子垂直耦合量子点的基态跃迁

用精确对角化的方法研究了处于外磁场中的N层单电子垂直耦合量子点系统,计算了基态跃迁随外磁场的变化关系. 结果表明量子点与量子点之间的距离和电子与电子之间的相互作用对耦合量子点的低激发态有比较大的影响,在强耦合情况下基态会随着外磁场的增大出现不连续跃迁,而在弱耦合情况下就不会产生基态跃迁,角动量为零的态始终为基态.     

半导体量子阱中磁极化子的基态能量

本文从量子阱中电子-声子相互作用的哈密顿量出发,进一步考虑了外加磁场对极化子性质的影响,讨论了量子阱中磁极化子的基态能量与磁场和量子阱宽度的关系。数值计算结果表明,量子阱中界面声子与电子的相互作用是不可忽略的。     

纤锌矿GaN/AlN量子阱中磁极化子能量

采用改进的Lee-Low-Pins变分方法研究纤锌矿GaN/AlN量子阱材料中磁极化子能级.给出纤锌矿GaN/AlN量子阱中磁极化子基态能量随阱宽L和外磁场强度B的变化关系.计算中考虑了纤锌矿GaN/AlN量子阱中长波光学声子模的各向异性和电子与长波光学声子之间的相互作用.为了定量分析和对比,计算了闪锌矿GaN/AlN量子阱中磁极化子基态能量.     

纲函数,度量和Hausdorff测度的关系

讨论加倍条件,Hausdorff测度的等价性及度量的等价性之间的关系.证明了Hρ,g 1与Hρ,g2对所有紧度量空间(X,ρ)等价,当且仅当纲函数g1与g2等价;对于给定的c∈(0,∞)＼{1},证明了Hρ,g和Hcρ,g对所有紧度量空间(X,ρ)等价,当且仅当纲函数g满足加倍条件.其中Hρ,g是X上关于度量ρ与纲函数g的Hausdorff测度.