强子物理中的电荷不对称性与高p^2⊥处的粒子数比

在能区Ｓ＝２０～１８００ＧｅＶ，π介子，Ｋ介子与质子反质子间的粒子数比与电荷不对称性作为横动量ｐ２⊥的函数可用标度分布（ａＱ⊥）νＫν（ａＱ⊥）中的〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉关联与都普勒效应得到解释．都普勒速度ＶＪ／ｃ为：Ｋ介子发射源的速度比π介子发射源的小，但比质子发射源的速度大．这是强子物理中的新的质量效应．     

反质子与原子核的电荷交换反应

本文研究在扭曲波冲量近似下，反质子与原子核的电荷交换反应Ａ（ｐ，ｎ）Ｂ．用严格的分波法计算反质子能量为４６．８ＭｅＶ和１７９．７ＭｅＶ的１６Ｏ（ｐ－，ｎ－）１６Ｎ到达１－，３－态和１７Ｆ（ｐ－，ｎ－）１７Ｏ到达Ｏ＋，２＋态的微分截面．讨论了同位旋相似态跃迁和非相似态跃迁微分截面的差别．     

^138Ce的高自旋态与扁椭集体转动带

通过重离子熔合－蒸发反应＾１２４Ｓｎ（＾１８Ｏ，４ｎ）＾１３８Ｃｅ研究＾１３８Ｃｅ的高自旋态结构，实验在中国原子能科学院Ｈ－１３串列加速器上进行，束流能量为７８ＭｅＶ，经过γ－γ符合及方向关联比率ＤＣＯ的分析，建立了＾１３８Ｃｅ新的高自旋态能级图，发现了两个扁椭形变集体转动速，并对这种扁椭集体带的特性进行了讨论。     

密度泛函方法研究HFe（CO）_5~＋中H~＋的电离反应

用密度泛函方法（ＤＦＴ）的ＬＤＡ和ＮＬ／ＬＤＡ优化分子片试剂ＨＦｅ（ＣＯ）５＋和Ｍｎ（ＣＯ）５－的几何结构，并计算了Ｆｅ（ＣＯ）５的ＮＬ／ＬＤＡ质子亲合能，其值为７５１．６ｋＪ·ｍｏｌ－１，介于文献报道的ＨＣＮ和ＮＨ３的质子亲合能之间，解释了Ｆｅ（ＣＯ）５容易从Ｈ２ＣＮ＋中得到质子而难以由ＮＨ４＋夺得质子的实验事实。ＨＦｅ（ＣＯ）５＋电离Ｈ＋后其几何结构由Ｃ４ｖ对称性变为Ｄ３ｈ对称性，与等电子体ＨＭｎ（ＣＯ）５电离Ｈ＋后几何构型的弛豫相类似。ＮＬ／ＬＤＡ计算的分子片Ｆｅ（ＣＯ）５的弛豫能为－５９．７８ｋＪ·ｍｏｌ－１。计算结果还表明，ＨＦｅ（ＣＯ）５＋电离Ｈ＋后Ｆｅ→ＣＯ反馈π键得到加强，使得ＦｅＣ键缩短，ＣＯ键增长；同时，Ｆｅ原子上的电子电荷减少，而Ｃ和Ｏ原子上的电子电荷增加。Ｍｕｌｉｋｅｎ布居分析同样表明，在ＨＦｅ（ＣＯ）５＋电离Ｈ＋后，Ｆｅ和Ｃ之间的Ｍｕｌｉｋｅｎ键级增加，Ｃ和Ｏ原子之间的键级减少     

H2SO4介质中Ce（Ⅲ）在铂电极上的氧化及其对Mn（Ⅱ）催化氧 …

在１ＭＨ２ＳＯ４，Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化－还原伏安图表明，电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ＾－１时氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ，△Ｅｐ＝０．２８Ｖ，能峰电位随扫描速度而变化，峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方根√ｖ不成线性关系：Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程，生成的Ｃｅ（ＩＶ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均能催化氧化作用，催化电流峰电位在１．２６Ｖ处，催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）。     

合成的具有天然猛矿晶型的M_nO_2的循环伏安研究

使用合成的钡镁猛矿（ＴＯＤＯＲＯＫＩＴＥ），碱硬猛矿（ＨＯＬＬＡＮＤＩＴＥ）型的ＭｎＯ２及电解ＭｎＯ２修饰碳膏电极，报告了它们在＋０１Ｖ～－０１Ｖ电压范围和０１ＭＫＣｌ溶液中的循环伏安图。Ｔｏｄｏｒｏｋｉｔｅ和ｈｏｌａｎｄｉｔｅ的循环伏安图相似，都没有显明的电流峰。而电解ＭｎＯ２的循环伏安图中，有两个阳极峰（＋０１Ｖ，＋０５ＶｖｓＳＣＥ）两个阴极峰（００Ｖ，－０１５ＶｖｓＳＣＥ）。     

14 MeV医用电子直线加速器上270°偏转磁铁系统

２７０°偏转磁铁系统是 １４ ＭｅＶ医用电子驻波直线加速器上的关键部件。通过用 ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ—ＥＭ／ＰＣ程序和ＰＯＩＳＳＯＮ程序计算，完成了偏转磁铁样机设计方案。２７０°偏转 磁铁样机与加速管联合进行了出束试验，测试结果表明，具有 ６～１４ ＭｅＶ能量范围、不同的初 始发射度的电子束流，通过２７０°偏转磁铁系统受到消色散和聚焦作用，传输到靶点在能量１５．１ ＭｅＶ时，束流强度为３．５ｍＡ，束流斑点直径约为２ｍｍ。上述结果证明２７０°偏转磁铁系统性能完 全满足 １４ ＭｅＶ医用直线加速器放射治疗条件要求。     

H_2SO_4介质中Ce(Ⅲ)在铂电极上的氧化及其对Mn(Ⅱ)催化氧化的研究

在１ＭＨ２ＳＯ４中,Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化──还原伏安图表明：电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ－１时,氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ。还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ,△Ｅｐ＝０．２８Ｖ,且峰电位随扫描速度而变化,峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方不成线性关系;Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程,生成的Ｃｅ（Ⅳ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均相催化氧化作用,催化电流峰电位在１．２６Ｖ处,催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）离子向电极表面的扩散控制,Ｍｎ（Ⅱ）的氧化产物为ＭｎＯ２。但Ｃｅ（Ⅳ）的催化能力与其在铂电极上再生的速率有关。在本实验条件下,催化作用的效率较低。     

核反应在谷物蛋白质测量中的应用

利用１３ＭｅＶ氘束在＾１４Ｎ和＾１２Ｃ内引发（ｄ，Ｐ）反应测量了小麦和大米的＾１４Ｎ／＾１２Ｃ比率，讨论了在农作物繁殖方面利用该技术的可能性。     

二（四甲基环戊二烯基）四羰基二铁的合成及反应

四甲基环戊二烯与五羰湛铁在二甲苯中加热回流６ｈ，即生成标题化合物１，１与碘在氯仿中反应生成Ｆｅ－Ｆｅ键断裂在铁碘化物（Ｃ５ＨＭｅ４）Ｆｅ（ＣＯ）２Ｉ，２，１与氯化汞反应生成Ｆｅ－Ｆｅ键断裂的铁氯汞化物（Ｃ５ＨＭｅ４）Ｆｅ（ＣＯ）２ＨｇＣｌ３和铁氯化物（Ｃ５ＨＭｅ４）Ｆｅ（ＣＯ）２Ｃｌ４．１与氯化亚锡反应仅分离到铁氯化物４．以元素分析，ＩＲ和ＨＮＭＲ谱表征化合物１～４的结构。     

纵轴配位固载金属卟啉催化的环己烷氧化反应

由简单方法合成了ＰＶＣ,ＣＰＶＣ和Ａｌ２Ｏ３纵轴固载的氧桥连金属卟啉ＴＰＰＭ（Ⅲ）ＯＬ（Ｍ＝Ｆｅ,Ｍｎ;Ｌ＝ＰＶＣ,ＣＰＶ和ＡｌＯ３）并将它们用于温和条件下催化ＰｈＩＯ氧化环己烷的反应。实验结果表明,与未固载金属卟啉ＴＰＰＭ（Ⅲ）Ｃｌ比较,纵轴固载金属卟啉ＴＰＰＭ（Ⅲ）ＯＬ具有催化效率高,对产物的选择性强和重复使用性能好等优点。     

二（四甲基环成二烯基）四羰基二铁的合成及反应

四甲基环戊二烯与五羰基铁在二甲苯中加热回流６ｈ，即生成标题化合物１，１与碘在氯仿中反应生成Ｆｅ－Ｆｅ键断裂的铁碘化物（Ｃ５ＨＭｅ４）Ｆｅ（ＣＯ）２Ｉ２，１与氯化汞反应生成Ｆｅ－Ｆｅ键断裂的铁氯汞化物（Ｃ５ＨＭｅ４）Ｆｅ（ＣＯ）２ＨｇＣｌ３和铁氯化物（Ｃ４ＨＭｅ４）Ｆｅ（ＣＯ）２Ｃｌ４．１与氯化亚锡反应仅分离到铁氯化物４．以元素分析，ＩＲ和１ＨＮＭＲ谱表征了化合物１～４的结构．     

胶球到两赝标介子的衰变

胶球的存在是ＱＣＤ理论的直接预言．目前实验上已经找到了一些胶球候选者,如ｆ０（１５００）,ｆＪ（１７００）等．所以进一步从理论上研究胶球产生和衰变的物理性质从而为胶球的确认提供判据是十分必要的．本文我们主要研究Ｏ＋＋胶球的衰变．由量子场论的基原理论出发,我们建立了双胶子胶球的ＢＳ方程．恰当地选取这个积分方程的积分核,在瞬时近似下求解ＢＳ方程我们得到了胶球的波函数,这个波函数是研究胶球衰变的出发点．Ｏ＋＋　胶球到ππ的衰变是在微扰论框架下计算的,所得数值结果为：Г（π＋π－）＝２．４ＭｅＶ,Г（π…     

（C6Me6）2Fe.PCNP2类化合物的导电模型

用ＣＮＤＯ／２Ｍ方法计算了（Ｃ６Ｍｅ６）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２和（１，３，５－Ｍｅ３Ｃ６Ｈ３）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２有机导体分子的电荷密度、键级等量子化学参数。计算表明，（Ｃ６Ｍｅ６）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２分子中两个苯环骨架Ｃ原子和Ｆｅ所带的电荷密度分别大于（１，３，５－Ｍｅ３Ｃ６Ｈ３）２Ｆｅ．ＰＣＮＰ２分子的。     

利用光核反应产生几种缺中子核素

利用２００ＭｅＶ电子直线加速器产生的轫致辐射束诱发（γ，ｎ）、（γ，２ｎ）、（γ，αｎ）三种光核反应，得到了１１Ｃ、１５Ｏ、１８Ｆ、２２Ｎａ、６１Ｃｕ、６２Ｃｕ、６４Ｃｕ等七种核素，推算了饱和活度和Ｃ与Ｆ的探测限，讨论了在该加速器上开展光子活化分析的可行性     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

Fe6（CO）14（μ—CO）3（μ—η^2—OOCNC6H11）的合成和表征

（Ｎ（Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３）２（ＨＦｅ３（ＣＯ）１１）与异氰酸苯酯反应，酸化后给出了簇合物Ｆｅ６（ＣＯ）１４（μ－ＣＯ）３－（μ－η＾２－ＯＯＣＮＣ６Ｈ１１）异氰酸苯酯的Ｃ＝Ｏ双键劈开加氧，以（μ－η＾２－ＯＯＣＮＣ６Ｈ１１）形式配位于２个铁原子，异氰酸苯酯的苯加氢还原子为环己烷，同时表征了产物的ＩＲ，＾１ＨＮＭＲ和ＭＳ谱。     

MCO,MCONa^＋中CO催化活化的成键能研究（I）

使用相对论赝势从头计算方法和成键能判据研究了模型化合物ＭＣＯ和ＭＣＯＮａ＾＋分子的电子结构，讨论了Ｍ对ＣＯ分子的活化作用及Ｎａ＾＋的助活化作用，由分子轨道成键能分析指出ＣＯ的次最高占据分子轨道１π的消弱是使ＣＯ活化的关键，得出在模型化合物ＭＣＯＮａ＾＋中Ｎａ＾＋的引入消弱了ＣＯ的１π轨道成键强度，Ｎａ＾＋的助催化作用是通过电荷而非通过化学键实现的。     

1，1′─［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基三羰基钨配合物）的合成及反应

１，２－二环戊二烯基四甲基二硅烷与丁基锂作用生成［四甲基二硅撑］双（环戊二烯基负离子盐），后者随即与六羰基钨反应形成１，１－［四甲基二硅撑］双［环戊二烯基三羰基钨负离子盐］，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）·［Ｃｐ′（ＣＯ）３Ｗ－］２·２Ｌｉ＋（Ｉ）．（Ｉ）分别与六种卤化物反应，生成在钨原子上引入取代基的产物：（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）．［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｒ］２，（Ｒ：Ｍｅ，Ｃ２Ｈ５，２；ＰｈＣＨ２，３；ＣＨ２ＣＯＯＣ２Ｈ５，４；ＣＨ３ＣＯ，５；Ｐ３ｈＳｎ，６）．（Ｉ）用醋酸处理后，随即分别与ＣＣｌ４，ＮＢＳ及Ｉ２作用，生成相应的钨卤化物，（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３Ｘ］２，（Ｘ：Ｃ１，８；Ｂｒ，９；Ｉ，１０），（Ｉ）与Ｆｅ３＋／Ｈ３Ｏ＋作用发生氧化偶联，生成双核Ｗ－Ｗ键产物（Ｍｅ２ＳｉＳｉＭｅ２）［Ｃｐ′Ｗ（ＣＯ）３］２，１１．（Ｃｐ′＝Ｃ５Ｈ４）     

真空紫外光直接光化学气相沉积SiO2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２膜界面进行了比较，结果表明，在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心，根据俄歇电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释。