基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路.利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能.该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个N...     

一种基于SET/CMOS电路的二阶低通滤波器

在研究单电子晶体管(single electron transistor，SET)I-V特性的基础上，依据分区处理法，设计了一个SET、积分器电路，并采用级联方法实现了一个SET／CMOS二阶低通滤波器。仿真结果表明，该滤波器的幅频特性增益比采用其它方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的幅频特性增益高出1倍多。     

基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器

基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.     

基于MOS管PDE模型的RF电路瞬态包络仿真算法分析

提出了以谐波平衡技术为平台,基于RF电路中MOS晶体管PDE模型的混合域瞬态包络仿真算法,解决了将MOS晶体管的PDE模型与表征电路系统的ODE耦合在一起进行数值求解的问题,并以一个功放电路为例说明了这种仿真技术的有效性。     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

SET-MOS混合结构的触发器设计及应用

基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器,对所设计的新型触发器电路进行了分析研究,并将其应用到寄存器和移位寄存器电路.利用SPICE对所设计的触发器电路进行仿真验证,仿真结果表明电路运行良好.该新型触发器电路与SET实现的电路相比,具有更高的驱动能力;与传统CMOS电路相比,电路的功耗仅为10-10 W的数量级.     

一种SET的SPICE宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究

基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.     

MOS电流模逻辑电路的设计方法和流程

本文主要介绍了MOS电流模逻辑电路的特点与整个设计流程中主要的要点和方法,以便今后在设计过程中引起人们对于MOS晶体管使用的重视。     

高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路的设计

设计了一种高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路,能有效抑制开关转换过程中产生的dv/dt噪声,消除高压电路工作过程中可能出现的误触发,提高系统的稳定性和可靠性.采用共模反馈从而使电路结构简单,同时采用窄脉冲触发式控制降低了功耗.本电路可以集成在高压集成电路(HVIC)中.采用某公司高压600V0.5μm BCD工艺模型,通过Cadence仿真验证表明:本电路可有效滤除dv/dt噪声,被消除的dv/dt噪声最高可以达到60V/ns,同时被消除的失调噪声可以达到20%,保证了高压栅驱动电路稳定、可靠地工作.     

基于SSL协议与SET协议的电子商务支付安全研究

随着互联网的普及,电子商务以其高效率、低成本的优势为企业的发展带来了机遇。由于电子商务是建立在开放的Internet平台上的,因此,其安全性就成为网上交易亟待解决的问题。本文在对网络通信安全协议SSL和电子交易的SET协议的研究基础上,对其进行融合,使得交易更加实用、安全。同时,本文还对电子商务支付系统的流程进行了分析,加入了物流方,融合SSL和SET协议,来完善电子商务的交易流程,对电子商务实务的交易安全保障方面有一定的参考意义。     

基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进

以双岛单电子晶体管（SET）为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.     

基于混合电路模型的亚毫米波谐波混频器的实现

针对亚毫米波频段混频二极管管对模型获取困难的问题,提出了利用全波电磁场分析算法提取管对无源结构参数,并与管对直流电流-电压特性参数结合获取混合电路等效模型的建模方法.分析了谐波混频器原理,设计并实现了一个工作于2mm波段的二次谐波混频器.测试结果显示在116～120GHz频率范围内,其变频损耗小于20dB,与仿真数据基本吻合,证明本文提出的混合电路建模方法及所提取模型的有效性.     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.