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在0.03mol·L-1的盐酸介质中,当有非离子表面活性剂tritonX-100存在时,硫氰酸钴络阴离子与结晶紫能生成可溶于水的三元离子缔合物,我们研究了缔合物生成的条件,测定了缔合物的组成。标准曲线表明,表观摩尔吸光系数为1.1×104L·mol-1·Cm-1。Co(Ⅱ)在0~3μg·mL-1范围内服从比耳定律,本法回收率为96.7~104.3%。 相似文献
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根据量子力学和晶场理论,计算晶场系数,解久期方程,得到了Co^2+3d能级在钡铁氧体中不同晶座的能级。 相似文献
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通过UVVIS光谱研究了两种咪唑基尾式卟啉钴在室温下与氧的作用,结果表明,在室温下这两种尾式卟啉均未呈现与氧可逆结合的特性. 相似文献
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用光度法研究了八乙基卟啉(OEP)与Co^2+离子的配位反应动力学及热力学,结果表明配位反应对OEP为一级,对Co^2+离子为1/2级,HAc对反应有催化作用,提出了OEP与Co^2+离子配位反应的可能机理。 相似文献
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详细地研究了均匀的球形磷酸钴胶体粒子的制备方法;并对其性能进行了综合测试考查,其粒子的化学组成经鉴定在常温下为Co_3(PO_4)_2·XH_2O。 相似文献
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合成了双水杨醛缩邻苯二胺希夫碱与铜,钴,镍的配合物,用元素分析,X射线粉末衍射,红外光谱,热重分析,磁化率和电导率测试进行了表征,测定了这些配合物的组成,磁性和热稳定性。 相似文献
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研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结. 相似文献