AlF3:Fe3+系统局域晶体结构理论的研究

本文通过对角化d5电子组态的能量矩阵,同时模拟二阶和四阶EPR参量D和（a-F）,发现Fe3+在AlF3:Fe3+系统有一个膨胀的畸变。这个膨胀的畸变可能是由于Fe3+离子半径大于Al3+离子半径,当Fe3+取代Al3+离子时, Fe3+离子将会推动氟配体向外移动.     

LiTaO3：Fe^3＋（Mn^2＋）的EPR参量D与局域结构的研究

用晶体场理论研究了ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋（Ｍｎ＾２＋）的ＥＰＲ参量Ｄ和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合较好。结果表明,ＬｉＴａＯ３：Ｍｎ＾２＋局域结构的畸变程度大于ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋。     

Ni^2＋离子在CsCdCl3晶体中的占位研究

当固体中不只一个阳离子晶位时 ,金属杂质离子在这种晶体中的占位是一个很有意义的问题 ,它涉及到缺陷的形成、缺陷结构及杂质引起的材料改性 .例如 ,过渡金属离子杂质在ＬｉＮｂＯ3晶体中的占位对认识该材料光折变效应的微观机制就很有帮助 .人们通常用比较杂质离子与基质晶体离子的价态和大小 (离子半径 )来判断占位情况 .但这种方法对位于不同晶位的阳离子都具有相同的价态和类似的离子半径时 ,就难以奏效 .特别是 ,对同一种阳离子占据二个不同晶位时 ,就更困难 .例如 ,ＣｓＣｄＣｌ3晶体中的Ｃｄ2 就占有二个晶位 :Ｃｄ2 (Ⅰ )和Ｃｄ2…     

KMgF3：Mn^2＋晶体自旋晶格—耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下，建立了轴对称（三角和四角）晶场中3d^5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式，进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44，并将上述公式应用于KMgF3：Mn^2 晶体，在不引入调节参量的情况下，得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好。     

用光谱和EPR谱确定A12O3：Ni^2＋晶体的局部结构参数

采用半自洽场（semi-SCF）d-轨道模型和点电荷模型，通过完全对角化方法，在晶体掺杂过渡金属离子后其空间结构对称性不会被破坏的条件下，由吸收光谱、EPR谱确定了A12O3：Ni^2＋晶体的局部对称结构参数，建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系，统一解释了A12O3：Ni^2＋晶体的吸收光谱、EPR谱．所得理论计算结果与实验值符合得很好．     

α—LiIO3：Ni^2＋l晶体中的Ni^2＋_VLi三角中心局域结构？…

通过计算α－ＬｉＩＯ３：Ｎｉ＾２＋晶体零场分裂Ｄ和ｇ因子，研究了掺杂Ｎｉ＾２＋的α－ＬｉＩＯ３晶体中Ｎｉ＾２＋＿Ｖｕ三角中心的局域结构，估算出Ｎｉ２＋离子应向Ｌｉ＾＋空位位移，以及Ｖｕ附近的氧离子应位移△ｘ≈０．１４９Ａ。     

Fe^3＋离子的颜色初探

本从水解作用、晶体场理论、电荷迁移等方面讨论了Fe^3 离子的颜色，并通过实验总结出如何配制Fe^3 的淡紫色溶液。     

用光谱和EPR谱确定CsMgCl3:Ni2+和CsCdCl3:Ni2+的局域结构

采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振（EPR）谱,确定了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体在77K温度时的Ni^2＋占位和局域结构参数,统一解释了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体的结构、光谱和EPR谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.所得理论结果与实验值符合得很好.     

LiNbO3：Fe^3＋晶体中Fe^3＋离子的发射光谱研究

在１００００￣４００００ｃｍ＾－１范围内，观测得ＬｉＮｂＯ３晶体掺Ｆｅ＾３＋离子的发射光谱与赵等的理论预言基本一致，从而证明了Ｆｅ＾３＋离子杂质在ＬｉＮｂＯ３中取代Ｎｂ＾５＋离子。     

三角晶场中3d^3离子精细光谱结构和局域结构的关系

目的研究三角晶场中3d3离子光谱精细结构和晶体局域结构之间的关系。方法利用自旋哈密顿理论,采用对角化能量矩阵的方法。结果计算了YAG：Cr3＋晶体的光谱精细结构和键角之间的关系。结论三角晶场中3d3离子基态能级分裂对晶格局域结构变化非常敏感,而其它激发态能级对晶格局域结构不很敏感。     

Cr3+在 AlBr3·6H2O晶体中电子顺磁共振光谱的理论研究

采用半自洽场(Semi-SCF)Cr3+3d轨道径向波函数、点电荷模型和三级微扰方法,计算了AlBr3·6H2O: Cr3+晶体中Cr3+电子顺磁共振的g(g=1.9707)因子和零场分裂D(D=-0.0323),理论值与实验值(实验值g=1.976±0.001,D=-0.0325±0.0001)符合很好。并认为在AlBr3·6H2O: Cr3+晶体中取键长R(Cr3+—O2+)=0.191nm是合理的。同时Cr3+离子掺入AlBr3·6H2O中占据Al3+离子位置后,引起键角较小的改变,仅增加0.35°。     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

Cr3+离子在Na3Li3In2F12石榴石中电子顺磁共振参量的理论研究

用Macfarlane的高阶微扰公式计算了Cr3+离子在氟石榴石Na3Li3In2F12中八面体晶位的电子顺磁共振(EPR)参量.计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据一致.     

Y2O3：Eu^3＋电荷迁移激发光谱的纳米效应

利用低温燃烧法合成Y2O3：Eu^3＋体相及纳米粉体材料,通过XRD图谱和电荷迁移（CT）激发光谱测定粉体的平均尺寸、电荷迁移能及CT激发光谱能量跨度。在理论分析与实验验证的基础上,探讨Y2O3：Eu^3＋发光材料的纳米化对电荷迁移（CT）激发所需电荷迁移能的影响。结果表明：在Y2O3：Eu^3＋材料发光中心CT激发的谐振子模型中,发光中心的振动频率ω（基态）及ω’（CT态）将随材料纳米尺寸的下降而下降;CT激发光谱能量跨度Espan以及CT激发中发光中心所获得的振动能量Evib将随CT态振动频率ω’的下降而下降;此外,基于发光中心零声子电荷迁移能Ezp以及发光中心振动能量Evib随Y2O3：Eu^3＋纳米尺寸的下降幅度,求得CT激发所需电荷迁移能ECt的变化幅度,所得结果与实验测量值基本相符。该文揭示了Y2O3：Eu^3＋材料纳米化后CT激发能的下降以及CT激发光谱能量跨度的收缩机理,具有一定的理论和实际意义。     

CaF2晶体中四角对称的Yb3+- F-中心的电子顺磁共振参量的理论研究

作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量，计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai)，计算结果与实验结果符合较好。     

3d过渡金属离子在晶体中的光学和磁学性质理论研究的基础和现状

3d过渡金属离子研究较多的是V2+、Cr2+、Cr3+、Mn2、Mn3+、Fe2+、Fe3+、Co2+、Ni2和Cu2,它们是一类活跃的金属离子,包含这些离子的晶体的光学和磁学性质大多决定于这些离子,这些离子掺杂在其它晶体中常会很大地改变原晶体的物理和化学性质,因而一直是实验和理论研究的热点.介绍了3d过渡金属离子在晶...     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF:Ni 晶体中的23(4 515 键长与键角,证实了 ZnF:Ni晶体的局域结构畸变的存在%研究结果表明,ZnF:Ni晶体与/01( 基晶的结构参数对比,发现掺杂23(4 离子的ZnF:Ni晶体分别产生了沿. 轴的伸长畸变和在,平面的压缩畸变.光谱和,-.参量计算的理论值与实验值非常接近.     

MPO4 (M=Sc, Lu, Y) :Ti3+ 自旋哈密顿参量的理论研究

利用高阶微扰方法和完全对角化方法分别计算了MPO4 (M=Sc, Lu, Y) ：Ti3+的自旋哈密顿参量（g 因子 g// , g和超精细结构常数A//, A),两种方法的计算结果非常接近,并且均和实验值吻合的很好,这表明这两种方法都是研究过渡金属离子自旋哈密顿参量的有效方法。另外,还对所研究的三种不同材料的共价性和芯极化常数性质进行了讨论。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。 