改进型信息安全风险评估计算模型研究

介绍了信息系统安全风险评估概念、要素和基本评估方法,分析了典型的信息安全风险评估计算模型和计算步骤。针对传统的信息安全风险评估计算模型和方法,构建了改进型的信息安全风险评估计算模型,在原有计算方法的基础上提出了新的模型计算方法,克服了传统模型和计算的缺点,为信息安全风险评估提供了一种新的评估方法和计算思路。     

网格计算的应用

介绍了网格计算的概念,实现网格计算的关键技术以及现实中网格计算工作。根据目前网格计算发展的现状,对网格计算需要解决的问题作了阐述,并对网格计算技术在我国的应用前景作了分析。     

偏心受压构件计算方法存在的问题及改进

为了进一步完善偏心受压构件的计算方法,在回顾偏心受压计算发展过程的基础上,指出了现行规范计算方法存在的问题与不足,提出了偏心受压的统一计算模式。统一计算模式是在引入平截面假定和材料应力—应变关系的基础上,以截面实际受压区高度为主要参数,建立截面的力矩平衡方程,从而求得构件的承载能力。通过实际算例与现行规范计算方法进行比较,验证了统一计算模式的精确性和可靠性。统一计算模式扩展了偏心受压计算适用的范围,使偏心受压的计算公式能够与受弯构件和轴心受压构件的计算衔接起来,完善了偏心受压计算的理论体系。     

RKS方程计算制冷工质的热力学性质的应用

对RKS方程在计算制冷工质的热物理性质方面的应用进行了研究,并用余函数法计算了焓和熵的值,用VB语言编写了计算程序,分别计算了R22和R134a的热力学数据。将所得的结果与某制冷剂物性计算软件的计算结果进行了比较,误差在允许范围内。     

算力网络与交易风控

算力作为数字经济的核心生产力,已经成为全球战略竞争的新焦点。传统计算模式不足以满足网络环境下的业务对于自身敏捷构造需求和外部大数据应用需求。在对比分析了网格计算、云计算、边缘计算、多云与云际计算的优缺点后,提出了一种新型计算模式:方舱计算,并介绍了方舱计算系统的三大组成部分。在此基础上,进一步提出了基于方舱计算构建算网系统的设想。作为方舱计算的典型应用,介绍了当前网络交易风控遇到的难题,结合方舱计算模式,通过建立并发系统行为理论与流量计算方法,发明了业务流程网络横切并发的调度技术,提出网络交易风控的行为认证方法,设计并实现了系统高并发、高辨识、高时效的目标。     

铣削叶片螺旋面的误差分析与对刀计算新方法

对立铣刀加工叶轮螺旋面的原理误差进行了分析计算,提出了计算齿形角的概念,给出了用计算齿形角以齿顶为计算直径的对刀计算新方法。     

一端固定一端铰支压杆临界载荷的级数计算方法

探讨细长压杆的临界载荷计算问题。介绍了采用试验计算方法计算压杆临界载荷,针对试验计算方法比较繁琐问题,以一端固定一端铰链连结压杆为研究对象,提出压杆临界载荷计算的级数展开方法,得到了计算压杆临界载荷的实用计算公式。为研究压杆稳定性和计算临界载荷提供了理论依据。     

面向智能空间的普适计算技术

普适计算作为智能空间的一种新型计算模式,从根本上改变人们对什么是计算的思考。普适计算是信息空间与物理空间的融合,在这个融合的空间中人们可以随时随地和透明地获得数字化的服务。本文综述了普适计算研究的现状和发展趋势,并讨论了普适计算关键研究内容—普适计算体系结构、觉察上下文计算和游牧计算。     

天线座架风载荷参数化计算

将天线座架风载荷计算过程参数化和规范化。提炼出天线结构的主要参数,依据这些参数完成风载荷的计算,使风载荷的计算更加清晰。建立了通用的风载荷计算模型,综合考虑了天线各姿态的受力情况,通过5×37的矩阵计算所有姿态的受力,更加准确的计算出了各轴的最大值。通过Matlab编程实现自动计算,避免人为失误。     

基于互联协作的高性能嵌入式计算模型应用研究

传统的嵌入式计算受应用的限制,资源十分有限,计算功能较为单一,这种计算架构限制了其功能扩展和可重用性。为此,提出了一种互联协作的高性能嵌入式计算模型——NHPEC。该模型是通过多种具备计算能力的设备的互联协作,来实现复杂嵌入式计算;并能够通过对嵌入式计算设备的现场动态配置,进行功能重组,来实现嵌入式计算的重用。该模型能够有效实现传统嵌入式计算不能实现的复杂嵌入式计算,极大地提高嵌入式计算的性能和可重用性,可以广泛应用于普适计算环境中的复杂计算需求。     

真空共蒸发法沉积的ZnTe：Cu薄膜

用真空共蒸发法沉积了ＺｎＴｅ和ＺｎＴｅ：Ｃｕ多晶薄膜,研究了Ｃｕ含量对薄膜结构和电学性能的影响。发现刚沉积的ＺｎＴｅ薄膜和轻掺杂的ＺｎＴｅ：Ｃｕ薄膜的结构均为高度（１１１）择优取向的立方相。掺杂浓度较高的ＺｎＴｅ：Ｃｕ薄膜除了立方相外,还存在六方相。重掺杂薄膜中（１１１）择优取向消失。在ＺｎＴｅ：Ｃｕ薄膜中观察到反常的暗电导温度关系曲线。薄膜的光学能隙在２．１５～２．２１ｅＶ之间。用结构相变的观点对实验现象作了解释。     

Cu(111)面上原子扩散势垒的密度泛函理论研究

用密度泛函理论(DFT)结合平板周期模型方法,对Cu在Cu(111)表面fcc洞位、hcp洞位的吸附模型进行了几何优化,并用从fcc洞位到hcp洞位过渡态计算的方法,研究了Cu在Cu(111)表面的扩散势垒.通过对不同基底层数、不同表面弛豫层数、不同覆盖率的比较,得到基底层数为4层、表面弛豫1层、覆盖率为1/4ML(monolayer)时,Cu在Cu(111)表面的扩散势垒和实验结果吻合得较好.在此基础上,计算了Fe、Ni、Co等磁性原子在Cu(111)表面的扩散势垒.     

Adlayer structure of TCNQ molecules on Cu(111): Anin situ STM study

In situ electrochemical scanning tunneling microscopy (STM) was employed to examine tetracyano- quinodimethane (TCNQ) layer adsorbed on Cu(111) electrode surface in 0.1 mol/L HClO₄ solution. The TCNQ molecules are found to form highly-ordered long range adlayer with a (4×4) symmetry. Each TCNQ molecule is adsorbed on Cu(111) surface in flat-lying orientation. The molecules are preferentially aligned with their long axes in the [121] direction. A structural model is proposed for the adlayer.     

第一性原理研究碳在Ni(111)表面上的功函数及磁性

应用基于密度泛函理论广义近似梯度下的第一性原理方法计算了不同覆盖度下C吸附在Ni(111)表面的吸附能、功函数以及材料的磁性.计算结果表明,无论C原子是吸附在F位或是H位,对应相同的覆盖度,吸附能的大小基本保持一致.而且,随着C吸附覆盖度的增加,吸附能呈线性减小.同时,通过C的吸附可以诱导Ni(111)表面功函数和磁性发生变化,即材料表面功函数的变化量(ΔΦ)随着C覆盖度(θ)的增加而增大,并且材料表面层和次表面层的磁矩表现出明显减小的变化规律.     

镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析

目的研究在Ni（100）基体上沉积Ag和Cu膜的择优取向的形成机理。方法采用X-射线衍射进行分析,根据固体与分子经验电子理论（EET）的键距差（BLD）方法,计算Ni（100）晶面、Ag和Cu的33个晶面的平均电子密度及相对电子密度差。结果X-射线衍射分析结果表明,在Ni（100）基体上沉积Ag和Cu膜的主要择优取向为（111）,其次依次为（100）和（110）。计算结果表明,2个晶面的电子密度差越小,相应的择优取向越强。结论从界面处电子密度的连续原理成功地分析了在基体上沉积薄膜的择优取向的产生机理。     

Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构及形貌的影响

研究了不同厚度SmCo薄膜的结构以及Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构、形貌及性能的影响.结果表明,对于较厚的SmCo薄膜,延长退火时间可有效提高样品的结晶度;Cr缓冲层能够提高样品表面的平整度,降低SmCo平均晶粒尺寸,增强SmCo（002）衍射峰与Cu（111）衍射峰强度之比（R）,从而提高样品的磁性能.同时发现,SmCo/Cu薄膜的磁性能可以通过调节Cr缓冲层厚度进一步得到优化,其中通过调控缓冲层厚度提高R值,形成Cu（111）与SmCo（002）织构,是提高SmCo5/Cu薄膜磁性的关键所在.     

Si6团簇与Si（111）表面碰撞的分子动力学模拟

利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si6团簇与Si(111）表面碰撞的微观过程，结果表明，Si6团簇在表面再构并吸附的能量阈值为10cV，损伤域能为60eV。通过对碰撞结果的讨论得到了改变轰击能量可以控制外延生长的结构的结论。     

单晶铜纳米线弯曲、扭转的变形机制的分子动力学研究

本文利用分子动力学方法研究了〈001〉/{100}和〈110〉/{111}两种单晶铜纳米线在弯曲、扭转载荷作用下的变形机制和力学行为.在〈001〉/{100}铜纳米线的弯曲过程中,当弯曲角度很大时,我们观察到了一些五重变形孪晶.分析表明,配位数为12的其它原子类型与hcp原子类型间的相互转化是导致出现这种五重变形孪晶的重要因素.这个结果与文献（Appl Phys Lett,2006,89：041919）所报道的纳米晶铜在拉伸状态下所观察到的五重变形孪晶的形成过程截然不同;然而该孪生变形机制并未在相应的？110？/{111}单晶铜纳米线的弯曲加载过程中被发现.此外,通过对〈001〉/{100}和？110？/{111}单晶铜纳米线进行扭转模拟,我们发现,这两种纳米线的扭转塑性变形分别是以从表面边角和侧表面发射全位错为主的变形机制.     

高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究

采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电高法在Si衬底上沉积了Cu膜,用扫描电镜（SEM）研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度,用X射线衍射（XRD）研究了沉积Cu膜的结构,用电子能谱等对Cu膜进行了成分分析．实验结果表明,在该条件下沉积的Cu膜致密,晶粒尺度在100～1000nm,膜基界面比较紧密,没有明显的空洞,并且Cu膜呈（111）织构．通过实验,找到沉积Cu膜的最佳实验参数,并希望这一工艺能应用在集成电路中．     

Ag在单晶硅(111)基面上的反应润湿与固液界面能计算

采用滴座法研究Ag在高定向生长单晶硅(111)基面上的高温反应润湿行为及固液界面结构.结果表明,Ag/Si(111)润湿体系在1 200℃高温下的最终润湿角为96.7°,呈现不润湿现象,反应润湿界面有Si原子溶解到液态Ag中,但没有新相生成,Si和Ag仍以单质形式存在,因此Ag(l)/Si(s)界面能保持不变.通过计算得到1 200℃下Ag/Si(111)润湿体系的固体表面能和固液界面能分别为565.6和667.1 mJ.m-2.