电子化合物晶体结构的新解释及其与Hume-Rothery经验规律的比较——Ⅱ.过渡金属电子化合物

本文系统地复习了国外所记载过的过渡金属电子化合物晶体结构的大量历史资料,发现Hume-Rothery经验规律在解释这一类电子化合物晶体结构上所出现的矛盾和混淆。 如果引用作者提出的合金晶体态电子浓度理论来进行解释,不但可以解释清楚,而且清除了原来含混不清的可变原子价的观念,为研究过渡金属电子化合物的晶体结构提供了一些新看法。     

电子化合物晶体结构的新解释及其与Hume-Rothery经验规律的比较 Ⅲ.γ结构相电子化合物

本文系统地综述了γ结构相电子化合物晶体结构的大量资料,发现Hume-Rothery经验规律在解释这一类含过渡金属的电子化合物晶体结构上所出现的局限性.文中引用合金晶体态电子浓度理论,对研究γ相电子化合物,尤其是含过渡金属的合金晶体结构,提出了一些新的看法.     

电子化合物晶体结构的新解释及其与Hume-Rothery经验规律的比较——Ⅳ.β_1型电子化合物

本文应用合金晶体态电子浓度Ψ理论,为研究β-Mn型电子化合物的晶体结构提供了新途径.     

金属间化合物晶体结构的研究(Ⅰ)——砷化镍结构相的新解释

本文引用文献[1]阐明的晶体态电子浓度Ψ法则,重新解释了砷化镍结构相的晶体结构问题,同Hume-Rothery电子浓度e/a规则比较,本文结果有大幅度的改进。 本文的分析结果与早期Makarov根据能带理论对砷化镍结构相所作出的定量计算结果相符合,再次证实了本文所提出的分析方法是有根据的。     

金属间化合物晶体结构的研究——Ⅳ.σ相及α-Mn结构相晶体结构的新解释

综述了国外所记载过的σ相及其相关的α-Mn结构相电子化合物晶体结构的大量历史资料,讨论了上述化合物的电子浓度e/a值与固体能带理论分析值之间的重大偏离;并从两个不同的角度确定了σ相的晶体态电子浓度临界值之间的等价性,为研究过渡金属合金相提供了一条新路.     

金属间化合物晶体结构的研究——Ⅲ.β-W结构相晶体结构的新解释

本文系统地回顾了文献记载的β-W结构相电子化合物晶体结构资料,讨论了上述电子化合物电子浓度e/a值与固体能带理论分析值之间的重大偏离;并首次系统地解释了上述电子化合物晶体结构,讨论了它们的意义和应用.     

金属间化合物晶体结构的研究（Ⅱ）：—Laves相的新解释

本文首先讨论Laves相的晶体结构，列出Hume-Rothery电子浓度e/a规则在Laves相研究中难于解决的一类问题，并将晶体态电子浓度Ψ法则的分析结果与前者作出对等的比较，然后给出相应的结论。     

Hume-Rothery电子浓度定律的实质与局限性

本文应用晶体学和量子力学的观点及理论对合金理论中的重要定律——Hume-Rothery电子浓度定律——进行了系统地推导与分析。结果表明,定律所阐述的电子浓度对结构的控制作用,实际上是与合金电子浓度有关的费米面和与合金的晶体结构有关的布里渊区相互作用,造成能量的升高、结构的不稳定,从而发生相变的结果,并且电子浓度不仅对电子化合物的晶体结构起决定作用,而且对纯金属、固溶体,金属化合物甚至由几何因素决定的化合物的结构也有重要影响。从这个意义上讲,电子浓度定律也适用于其它合金相。     

贵金属基初次固溶体的固溶度和晶体态电子浓度之间的关系

本文引用文献[1]中提出的晶体态电子浓度φ=N_e/N_α的概念,重新解释了贵金属基初次固溶体的固溶度问题,分析结果与预期结果基本上是一致的,消除了Hume-Rothery初次固溶体规则在解释这一问题上所出现的矛盾和分歧。     

金属间化合物Ni3Al和NiAl晶体中电子杂化态结构和结合能的…

用余瑞璜的“经验电子理论”的方法有结合能公式，计算了金属间化合物Ｎｉ３Ａｌ和ＮｉＡｌ的晶体中原子的杂化态电子结构及其结合能，并对 两种材料的脆性问题从电子 层次上进行了讨论。     

金属Cr的电子结构和物理性质

依据纯金属单原子理论(OA)确定了体心立方结构(bcc)Cr的电子结构为[Ar](3dc)3.32(3dn)2.26(4sc)0.25-(4sf)0.17,并对Cr的面心立方结构(fcc)和密排六方结构(hcp)初态特征晶体和初态液体的电子结构进行了研究.在此基础上,定性地解释了Cr的电子结构和晶体结构之间的关系:bcc→hcp→fcc结构的转变过程中,dc电子逐渐减少(3.32→3.24→3.14),sc电子逐渐增加(0.25→0.28→0.32),电子云分布的对称性逐渐增强而方向性逐渐减弱,故形成晶体时配位数逐渐增加的现象;并通过计算得到了bcc Cr的势能曲线、弹性和热膨胀系数随温度的变化曲线.     

金属间化合物Ni_3Al和NiAl晶体中电子杂化态结构和结合能的计算及其脆性

用余瑞璜的“经验电子理论”的方法及结合能公式，计算了金属间化合物Ｎｉ３Ａｌ和ＮｉＡｌ的晶体中原子的杂化态电子结构及其结合能，并对这两种材料的脆性问题从电子结构的层次上进行了讨论     

N掺杂p-型ZnSe电子结构的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理全电子势线性缀加平面波方法(FPLAPW),对N掺杂ZnSe晶体的几何结构进行了优化,从理论上给出了N掺杂ZnSe晶体结构参数并对中心Zn原子近邻和次近邻位N掺杂前后总态密度及分态密度进行了对比分析,讨论了不同Se位N掺杂对ZnSe晶体性能的影响,在次近邻掺杂中,晶体表现出更为优良的半导体性质.     

金属同素异构性的研究

本文引用晶体态电子浓度的概念讨论了某些金属的同素异构变化问题,从中可以看出金属晶体态电子浓度在同素异构转变中的重要影响,为研究金属同素异构性找到了正确方法.     

关于过渡金属镍的外层电子性质的探讨

利用概念－－－分数电子占居态,用以解释Ｎｉｎ的几何结构和磁性。预测了Ｎｉ２、Ｎｉ３、Ｎｉ４的原子磁矩。这个概念（模型）在解释镍晶体的各种重要性质方面具有广泛的意义。     

三酮类化合物的电子结构与活性关系的研究

采用量子化学半经验的AMl方法计算了三酮类化合物的电子结构，用分子中原子的静电荷，分子的前沿轨道能级探讨了该类化合物的构效关系，从理论上解释了三酮类化合物的生物活性。     

贵金属基连续固溶体和晶体态电子浓度之间的关系

本文继前文[1]之后,引用晶体态电子浓度的概念讨论了贵金属基连续固溶体问题,分析结果与预期结果完全一致,为研究二元系连续固溶合金找到了一条入门之径。     

过渡元素族价态化合物的氧化性初探

关于过渡元素族价态化合物氧化性变化规律之讨论,尚无统一认识。本文笔者从含氧酸根键的强度和中心离子受电子轨道势能递变情况对过渡元素族价态化合物氧化性及其递变的影响,从不同侧面进行了初步探讨。     

电子-声子相互作用对压电表面态的影响

采用LLP中间耦合方法，研究了电子—声子相互作用对压电表面的影响．结果表明，当电子接近晶体表面处时，表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大．尤其是电子—压电声子耦合较强的化合物，压电声子对电子在表面的束缚比光学声子的束缚强很多．因此，研究压电材料的电子表面态时，应主要考虑压电声学声子．     

[Cu(C_7H_4No_3S)_2(H_2O)_4]·2H_2O晶体的电子结构

术文报告了[Cu(C_7H_4NO_3S)_2(H_2O)_4]·2H_2O 晶体的电子吸收光谱和ESR谱的测定结果。并利用配位场理论和非自由CuⅡ离子的径向波函数对实验结果进行了定最的讨论。该化合物的电子结构与其晶体结构存在密切的关联性。