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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
设计了一款应用于北斗导航卫星系统(CNSS)和全球导航卫星系统(GNSS)的双频圆极化微带天线,该天线覆盖了1 258~1 278MHz和1 575~1 609MHz频段.天线采用了3dB电桥作为馈电网络,展宽了阻抗带宽的同时也实现了天线的右旋圆极化并提高了圆极化性能;另外为了抵消探针引起的感抗,在探针的顶层串联了电容能更好的实现阻抗匹配,有效地降低了天线的驻波比.通过HFSS软件建模仿真,结果表明,在带宽范围内天线的驻波比1.5;法线方向的圆极化轴比均1.3dB;高频段增益5.45dB,低频段增益5.7dB,辐射特性较好.  相似文献   

2.
设计了一种程控高增益、宽带直流放大器.采用三级直接耦合级联放大方式,扩展了放大器的通频带宽,且具有良好的直流特性;采用数控增益自动稳定技术,提高了有效带宽内增益稳定性,在0~9 MHz频带内,增益起伏小于等于1dB;选用两路数控开关,分别实现40 dB和60 dB放大,提高了控制精度.系统具有键盘输入预置、增益可调、液晶显示等功能,具有较高的实用性.  相似文献   

3.
在现代微波收信机中,为保证宽频带传输性能,通常是在基本增益级间插入可控衰减器来实现增益控制。电容电桥—差分放大单元电路是一种新颖而实用的可控增益单元电路,计算和实验表明,对于微波中继收信机要求40~50dB的增益控制指标,使用三这种单元电路就可实现。  相似文献   

4.
设计实现了一种增益连续型的dB线性中频可变增益放大器.该放大器由2级优化了线性度的可变增益单元级联而成,通过宽范围的指数增益产生电路的设计,实现放大器的增益与控制电压成dB线性;同时,还设计了1种连续时间型Gm-C反馈结构的消直流失调电路,可实时抑制放大器的输出直流失调电压.电路采用0.18μm CMOS工艺进行流片,测试结果表明,在3.3V电压下,连续增益动态范围为-10~46dB,-3dB带宽大于20 MHz,直流失调的抑制增益小于-5dB,核心电路面积仅为0.11mm2.  相似文献   

5.
在PAC-Designer软件的支持下,在系统可编程模拟器件可非常方便地构成高输入电阻,增益在104 dB范围内可精确设定、任意调整,而且带宽也能进行设计的放大器.为测量电桥的设计和制作带来了极大的便利.  相似文献   

6.
设计了一个高精度可变增益放大器,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行前仿真和后仿真.运用电流反馈型闭环运算放大器获得了高精度的固定电压增益,输出级中加入了共模反馈电路,使得输出共模电压可以由外部控制电压在0.8~1.3 V之间进行调节.另外,先进的补偿网络可以对工艺偏差进行校准,使其带宽达到2 GHz;为了实现增益可调,采用了无源R-xR网络实现步长为2 dB的精确衰减,最终使得增益在数字信号控制下以2 dB步长在-0.93~39.19 dB范围内可调.整个系统结构简单,增益控制方便.  相似文献   

7.
采用0.18 μm工艺设计1个用于UWB接收端的4阶切比雪夫有源RC带通滤波器.给出1种有损积分器直流增益补偿策略,从而减小滤波器对运算放大器直流增益的要求.同时,采用1种数控电阻的方式实现通带增益的调节.仿真结果表明:所设计的滤波器在通带增益为0dB时,通带纹波增益为0.112 dB,下-3 dB频率为156 kHz,上-3 dB频率为259 MHz,带宽为258.844 MHz;频率为500 MHz处的信号衰减为28.25 dB,频率为792MHz处的信号衰减为45.16dB,完全符合UWB接收端对带通滤波器的性能指标要求.  相似文献   

8.
基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明:在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5~11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22~10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.  相似文献   

9.
光纤拉曼放大器的设计及实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
该文设计并实现了C+L波段的宽带光纤拉曼放大器.测试结果表明,在仅有3个泵源的条件下,实现了带宽大约57nm、开关增益平均为10.5dB的宽频带放大,并且本系统具有优良的增益平坦特性( ±0.4dB)和平均有效噪声系数(约-3.2dB).  相似文献   

10.
基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点.  相似文献   

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