掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

铂-硅系复合电极的界面反应及电特性

本文对Al-Ti-Pt-Si、Al-Mo-Pt-Si、Al-Ti-Si等电极系统薄膜间的相互扩散和反应,利用电子能谱分析、扫描电镜、电学等方法进行了全面研究,并对相应的作用机制也进行了讨论.     

发可见光的掺氮砷化镓

鉴于氮在磷砷化镓中能形成等电子陷阱,人们曾希望向砷化镓掺氮并研究其有关特性,但均未获成功^[1~3]。主要困难是,即使用离子注入技术向砷化镓注¹⁴N⁺,但退火后的结果表明,氮的特征峰已不复存在。     

氩离子注入PET表面沉积Cu膜的界面特性

为了研究Ar离子注入对薄膜沉积的影响,使用2 keV的氩离子对PET进行表面注入,注入剂量为5×1011ions.cm-2,然后用离子溅射镀膜法,在PET表面均匀地沉积一层Cu膜,用台阶仪、俄歇探针、原子力显微镜等对其进行测试分析。结果表明,该合金膜的厚度为490 nm,膜表面平整,无缺陷。对该合金膜进行纳米划痕测试,得到临界载荷为8.5 mN。实验结果证明,Ar离子注入对薄膜性能有提高。     

Rich-Prospect浏览界面之研究

This chapter addresses some of the fundamental issues involved in designing rich-prospect browsing interfaces,which are defined as those that combine a meaningful representation of every item in a coll...     

超声反射法单面检测钢-混凝土粘结界面质量的研究

根据超声检测的原理,提出了采用超声多次反射法单面检测钢-混凝土粘结界面质量,分析了该方法的可行性,综合考虑各试验参数的影响.试验表明采用底波衰减系数和底波个数作为判断钢-混凝土粘结界面质量的依据是可行的.     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.     

集成温度传感器的温度特性分析

本文叙述了集成温度传感器的基本原理,给出了描述电路温度系数的解析公式.借助于SPICE程序,进一步对温度测量精度与制造工艺容差的关系进行定量模拟,为电路的优化设计提供了依据.通过对国内首次研制的SL616集成温度传感器的温度特性测量表明,在一40℃~+120℃的范围内,温度测量的精度可以达到 1℃左右.     

Al—Ti／W—PtSi—Si系统电性能的研究

本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.     

金和铂在Si-Al2O3界面的电学效应

本文系统地研究了金、铂等杂质在Si-Al₂O₃界面的电学特性及其热处理变化,给出了界面的电子能谱分析结果,并对Au (Pt)等杂质界面效应的作用机制进行了探讨.     

自然光照条件下硅光电池组件伏安特性

本文给出了利用DS—125型光电池(阵)户外特性测试仪测得的自然光照条件下硅光电池组件的伏安特性。对同类产品在自然光照下和人工模拟光照下测得的电性能进行了比较。同时也对单晶硅和多晶硅两类不同晶体硅组件在两种不同测试条件下获得的结果进行了比较。 作者认为,由于模拟光下测得的光电池组件输出比自然光照下的输出值为大,因此,若以模拟光照条件下的峰瓦值来确定光电系统的容量时,应考虑1.10—1.20的修正系数。     

掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响

半绝缘(S.I)GaAs材料既在微波MESFET器件中用作外延生长的衬底又在集成电路中用作直接离子注入的掺杂层材料,因此进一步了解S.I-GaAs材料的质量是十分重要的.本文将Si²⁸直接注入到不同质量的掺Cr.S.I-GaAs衬底,然后测量注入层的载流子浓度分布和迁移率,从而直接评价SI-GaAs材料的质量,并对实验结果进行了讨论.     

钢铁常温发黑工艺研究

本文报道了在钢铁表面常温发黑新工艺,探讨了发黑机理,与传统工艺相比,其主要优点是防腐蚀性好、无毒、能耗低。     

速滑运动员不同负荷强度时体温变化的特点

１９９８年６月到１９９９年２月期间,我们每周三次采用上海产口腔体温表,测量３０名优秀速滑运动员,女１５名平均１９．１岁,其中有运动健将２７名,占９０％基础条件下的口腔体温和血乳酸等生理生指标。     

裂纹扩展过程裂尖温度场的实验研究

表明裂纹扩展过程中在裂尖处由于塑性流变变形而造成温度场,它形成如下的热-力耦合的循环关系:变形→能量耗散→内部耗散热→温度场→变形.实验结果证明,内部耗散热源的影响不可忽略。     

高频脉冲电弧的电特性及引弧性能的研究

讨论了频率为６６～１４０ｋＨｚ高频电孤的电特性及引弧性能，并对其影响因素，如脉冲频率、输出电感、及空载电压进行了分析．