稀土掺杂ZnO半导体气敏传感器的性能研究

介绍了一种稀土(Tb2O3) 掺杂ZnO气敏传感器的制作工艺和传感器的性能.其特点是选择性好,工作温度比无稀土掺杂的ZnO 气敏传感器的工作温度低     

SnO_2簿膜(掺Sb)光学气敏选择性的实验研究

郑顺旋等人观察到常用的气敏-电阻型材料氧化锡薄膜的光学性质和气敏特性有关.这一发现突破了近半个世纪以来氧化物的气敏特性仅与电阻有关的模式.使得可以用光学量去探索至今还未清楚的氧化物气敏机理.也为新型气敏传感技术提供了有效的敏感材料.然而与气敏-电阻效应一样,纯SnO_2器件的气敏-光学效应对各种还原性气体的灵敏度几乎相同,因此制造出气体选择性良好的元件很不容易.为了提高SnO_2薄膜气敏光学效应的气体选择性,在纯SnO_2薄膜中掺杂了0.1wt%的Sb.实验观察     

Cd_2SnO_4薄膜的气敏效应研究

在Ar+O_2混合气氛中,应用射频反应溅射Cd-Sn合金靶沉积了Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜,并获得了该膜的电阻率与氧浓度和衬底温度的关系。研究了Cd_2SnO_4薄膜对液化石油气、一氧化碳、氢气和甲烷的敏感性及其物理机制;讨论了薄膜沉积条件对于气敏效应的影响以及在工作温度和气敏效应之间的关系。     

纳米SnO2材料气敏机理及其制备研究

分析了氧化锡(SnO2)材料的气敏机理；纳米SnO2材料由于具有更大的表面积和晶界密度而具有更好的气敏特性；通过适当掺杂的纳米氧化锡材料在室温下就可以具有较高的灵敏度和气体选择性，并介绍讨论了几种氧化锡纳米材料的制备方法．     

纳米SnO2气敏性质研究

利用液相化学法制备Pd掺杂的纳米SnO2气敏材料，研究了材料对三种还原性气体的灵敏度和选择性，并对敏感机制进行了讨论。     

纳米多孔InP对氨气的气敏特性研究

InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性.     

ZnO气敏器件的研制和应用

对ＺｎＯ的气敏特性进行了研究，实验观察到通过烧结形成结晶状的ＺｎＯ有较好的气敏性质，并且在ＺｎＯ中掺一定量的Ｐｔ后，利用Ｐｔ的催化作用，能大大提高ＺｎＯ的气敏灵敏度，这种气敏特性可采用表面电阻模型理论来中通过合理设计电路，利用ＺｎＯ的气敏器件对有害气体进行监测和报警。     

集成补偿式气敏元件的敏感特性

用γ－Ｆｅ２Ｏ３和ＬａＦｅＯ３作为补偿材料制作了集成补偿式气敏元件。气敏特性的测试结果表明，集成元件的特性与补偿材料、工作条件密切相关。     

盐酸浓度对多孔中空棒状In_2O_3结构的影响

用化学腐蚀的方法把ZnO/In_2O_3核壳结构中的ZnO纳米棒除去形成多孔中空棒状的In_2O_3纳米结构,探讨化学腐蚀中ZnO核恰好完全去除,且壳层In_2O_3中空形貌不被破坏时HCl的最佳浓度。采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对产物的物相、微观形貌进行表征。结果表明:pH=1的HCl既可保证ZnO完全去除,又不影响In_2O_3多孔中空形貌。     

In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究

利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.     

SnO2气敏材料研究进展

本文主要介绍了SnO2基传感器的气敏性能，改进措施，制备方法等，阐述了纳米SnO2为基的气敏传感器的前景。     

花状ZnO纳米晶的合成及其气敏性能研究

采用回流法合成了花状ZnO纳米晶。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对所制得样品的结构和形貌进行了表征。结果表明:产物为自组装构成的尺寸均一的花状ZnO纳米晶,花状ZnO直径约为2μm,其晶相结构为纤锌矿ZnO。对NO、NH3、H2、CO四种气体在浓度为97 ppm下进行了选择性测试,结果显示:花状ZnO纳米晶结构的样品对NO气体表现出较高的灵敏度和较好的选择性。     

常温气敏元件的研究及其应用

气敏元件不但在煤炭、石油、化工、电力等工业部门有着广泛应用,而且在民用上也日趋增加,如宾馆、饭店、家庭等。但是,目前应用的气敏元件基本上都是加热元件,常温元件很少有报道^[1]。常温元件与加热元件比,它的突出特点是不需要加热,因此带来一系列优点,如工艺结构简单、功耗低、成本低、灵敏、稳定、安装使用方便、减少引起火灾的不安全因素等。     

添加剂对SnO2气敏特性的影响

本文考查了不同添加剂对二氧化锡气敏特性的影响,研究了工作温度与元件电阻之间的关系,并对二氧化锡气敏半导体的检测机理作了一些探讨。     

SnO_2及掺杂CuO的SnO_2纳米粉末的制备与表征

本文用溶胶 -凝胶法制备了纯SnO2 和CuO掺杂的纳米粉末 ,并利用TG -DAT、XRD等测试手段对样品进行分析 .结果表明 ,以无机盐为初始原料 ,用溶胶 -凝胶法可得纳米级SnO2 粉末 ;且CuO掺杂使颗粒度减小 ,有利于其作为气敏元件     

烧结温度对纳米SnO2传感器灵敏度的分析研究

通过研究烧结温度对纳米SnO2传感器灵敏度的影响,并与传统的SnO2传感器进行对比分析,得出最佳的烧结温度是660℃,且纳米SnO2传感器的气敏响应远远好于传统SnO2传感器,适合做高灵敏度的气体传感器．     

Bin Tem(n+m=3)分子体系的结构和稳定性的密度泛函理论研究

利用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/LANLADZ水平上对B inTem(n m=3)分子体系的几何构型和稳定性进行了系统的研究,通过对体系的能量、结合能的计算分析,确定体系的基态结构均为具有C2V对称性的弯曲结构,掺杂后体系B i2Te和B iTe2的稳定性比单元分子体系B i3和Te3的稳定性增强.