新型TeO2-SiO2-ZnO-B2O3玻璃的光谱特性和热稳定性研究

采用高温熔融法制备了新型TeO2-SiO2-ZnO-B2O3系列掺铒碲酸盐玻璃,测试了样品的吸收光谱、发射光谱及差热分析曲线,利用McCumber理论和Judd-Ofelt理论计算了样品的受激发射截面σe和J-O强度参数Ω1(t=2,4,6).结果表明,在BT60玻璃中,△Tmax值为142℃,受激发射截面σemax =0.75×10-20 cm2,且其在1.53μm附近的发射带宽可达到92 nm.可见,BT60玻璃是制造掺铒光纤放大器的理想材料.     

Sn的添加对Ti60Zr10Ta15Si15非晶薄带的热稳定性及腐蚀行为的影响

用单辊甩带法制备出了Ti60Zr10Ta15Si15和(Ti60Zr10Ta15Si15)96Sn4薄带,用X射线衍射仪(XRD)确定了这些薄带的非晶特征,使用示差扫描量热计(DSC)研究了其热力学行为,使用动电位测试仪研究了两种非晶薄带在PBS溶液中的动电位极化曲线.结果表明,Sn元素的添加,降低了Ti60Zr10Ta15Si15的热稳定性.在PBS溶液中,Sn元素的添加,导致非晶薄带的腐蚀电流密度减小,钝化电位降低,显著提高了抗腐蚀能力.     

应用于超大规模集成电路的新材料WSi2的快速热退火形成

用喇曼散射、扫描电镜、转靶X射线衍射、俄歇电子能谱和电阻率的测量研究了共溅射W-Si薄膜经真空15秒快速热退火后形成WSi_2的行为.在331和450cm~(-1)处有两个WSi_2的特征喇曼峰.随着快速热退火温度的升高,WSi_2的晶化不断增强.发现WSi_2中伴有W_5Si_3相存在,但其行为仍显示为WSi_2的特征.     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

方程d~3x/dt~3+f(x)(d~2x/dt~2)+b(dx/dt)+cx=e(t)的周期解的存在性与唯一性

本文应用李雅普诺夫函数方法,得到了方程d~3x/dt~3+f(x)(d~2x/dt~2)+b(dx/dt)+cx=e(t)的周期解的存在性、唯一性与稳定性的判别准则。