单纯三重有向三元系的相交数

证明了对于任意正整数ｖ≥３,存在两个ｖ阶单纯三重有向三元系相交于ｓ个公共有向三元组的充要条件是：当ｖ＝３时,ｓ∈｛６｝;当ｖ＝４时,ｓ∈｛０,１,２,…,１２｝＼｛１,１１｝;当ｖ≥５时,ｓ∈｛０,１,２,…,ｖ（ｖ－１）｝＼｛ｖ（ｖ－１）－１｝,从而完全确定了单纯三重有向三元系相交数的谱     

单纯Handcuffed三元系的嵌入

本文证明了对任意给定的正整数λ，当且仅当λ（ｖ－１）≡λｖ（ｖ－１）≡λ（ｕ－１）≡λｕ（ｕ－１）≡０（ｍｏｄ ４），ｕ≥２ｖ＋１且λ≤２（ｖ－２）／３时，任一单纯Ｈａｎｄｃｕｆｆｅｄ三元系ＮＨ（ｖ，３，λ）可嵌入于某个单纯Ｈａｎｄｃｕｆｆｅｄ三元系ＮＨ（ｕ，３，λ）。     

有序三元系超大集的进一步结果

本文对有序三元系超大集的存在性进行了进一步讨论，得到了ｖ≡１２（ｍｏｄ２４）及ｖ＝３．４＾ｋ．５＾ｎ＋４＾ｋ（ｋ≥０，ｎ≥１），ｖ＝６３．５＾ｎ＋１（ｎ≥０）时，ＯＬＭＴＳ（ｖ）及ＯＬＤＴＳ（ｖ）的存在性。     

有序三元系超大集

本文对有序三元系超大集的存在性进行了讨论，得到了ｖ≡４（ｍｏｄ２４），ｖ≡４（ｍｏｄ１２０）及ｖ＝７＇１１＾ｍ１３＾ｎП↓ａ，ｔ（４＾ａ＋１）＾ｔ－１（诸指数均为非负整数）时ＯＬＭＴＳ（ｖ）（１＝０）及ＯＬＤＴＳ（ｖ）（１≥０）的存在性。     

多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．     

介子与核碰撞的B—E关联及其方向性

本文研究了２５０Ｇｅｖ／ｃ下π＾＋（Ｋ＋）同质子，核碰撞的Ｂｏｓｅ－Ｅｉｎｓｔｅｉｎ关联，用Ｑ＾－ｖＫｙ（Ｑ）分布拟合实验数据得出：当靶粒子为ｐ时，ｒ０＝２．１ｆｍ；发靶为Ａｌ核时，ｒ０＝３．５ｆｍ；当靶为Ａｕ核时，ｒ０＝４．１ｆｍ。     

（4，2）－IPMD（v，u）的存在性

证明了当２≤ｕ≤７和ｕ≥３８时，存在区组大小为４和指数为２的不完全的完备Ｍｅｎｄｅｌｓｏｈｎ设计（４，２）－ＩＰＭＤ（ｖ，ｕ）的充要条件为ｖ≥３ｕ＋１，其中（ｖ，ｕ）≠（２０，６）。     

特殊(v,4,1)-PMD的存在性

设Ｑ＝｛ｖ：存在单纯的（ｖ，４，１）－ＰＭＤ，其基础设计Ｂ（４，３；ｖ）是不可分的｝，则ｖ∈Ｑ的充要条件是ｖ≡０，１（ｍｏｄ４），ｖ＞１且ｖ≠４或８。     

1，10－菲罗啉－5，6－二醌伏安行为研究

在０．５０ｍｏｌ·Ｌ~（－１）ＮＨ_３－ＮＨ_４Ｃｌ缓冲溶液中，１，１０－菲罗啉－５，６－二醌有一还原伏安峰。当静止富集２ｍｉｎ，ｖ＝１００ｍＶ·ｓ~（－１）时，其峰电位Ｅ_ｐ＝－１．３１Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）。用线性扫描和循环伏安法等手段研究体系的伏安行为，特别是吸附性。实验表明，该体系属具有吸附性的不可逆过程。用于单扫示波极谱法测定，线性范围为５．０×１０~（－８）～５．０×１０~（－６）ｍｏｌ·Ｌ~（－１），其相关系数为０．９９９５。     

Wolstenholme定理的推广

本文将数论中的Ｗｏｌｓｔｅｎｈｏｌｍｅ定理推广为定理设素数ｐ＞３，ｖ，ｔ＿０，ｔ＿ｋ∈Ｚ（１≤ｋ≤ｐ－１），并且０≤２ｖ＜ｐ－３，（ｔ＿０，ｐ）＝１及ｔ＿１＋ｔ＿（ｐ－１）＝ｔ＿２＋以ｓ表示满足（ｍｏｄｐ￣２）的整数，那么，     

一类变系数半线性热方程初值问题解的blow—up问题

本文讨论了初值问题｛δｕ／δｔ－１／ｔΔｕ＝ｕ＾ｒ ｔ〉ε０〉０ ｘ≤Ｒ＾ｎ（０．１） ｕ（ε０，ｘ）＝（ｘ） ｘ∈Ｒ＾ｎ（０．２）其中γ≥１，ψ（ｘ）连续有界，且ψ（ｘ）≥０但不恒为零。我们证明了当１／γ－１≥ｎ／２时，初值问题（０．１）（０．２）的非负解必在有限时间ｂｌｏｗ－ｕｐ。即问题（０．１）（０．２）在１／γ－１≥ｎ／２时没有非负的整体解。     

一类可缩区域上半线性椭圆型方程多个正确的存在性

本文考虑下列方程｛－Δｕ＋λｕ＝│ｕ│＾ｐ－１ｕ，在Ω内，ｕ〉０，在Ω内，θｕ／θｖ│θΩ＝０，其中，Ω∪→Ｒ＾Ｎ（Ｎ≥３）为一类有界可缩区域，θΩ充分光滑，λ∈Ｒ，ｖ为θΩ的单位外法向量，ｐ＝Ｎ＋２／Ｎ－２为临界指标。我们证明了λ〉０充分大时，上述方程具有多个正解。     

二维渗流临界状态连接函数的幂估计

本文对二维边渗流模型给出了临界状态时连接函数τＰｃ（ｏ，ｖ）的幂估计，即存在常数ａ＞０，Ｃ１＞０，Ｃ２＞０使得Ｃ１｜ｖ｜＾－１≤τｐｃ（ｏ，ｖ）≤Ｃ２｜Ｖ｜＾－ａ，这里ｏ＝（０，０），ｖ＝（ｖ１，ｖ２）∈Ｚ＾２，｜ｖ｜＝｜ｖ１｜＋｜ｖ２｜．     

依诺沙星的电化学研究

依诺沙星在Ｂｒｉｔｔｏｎ－Ｒｏｂｉｎｓｏｎ缓冲液（ｐＨ２．０～１１．０）中产生两个极谱还原峰。两峰强烈地受溶液ｐＨ值的影响，峰Ⅰ（－１．ＩＶ～－１．５Ｖｖｓ．ＳＣＥ）对应于吡啶环的双电子还原，峰Ⅱ（１．５伏～－１．７伏ｖｓ．ＳＣＥ）对应于羰基的还原。实验表明电极过程是受扩散控制的不可逆过程，并测定了ｎ，ａ和Ｄ０的值。当ＰＨ＝２．２时，峰Ⅰ的峰电流与依诺沙星的浓度在４．０×１０－８～６．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ之间有线性关系，检测限为２．５×１０－８ｍｏｌ／Ｌ，可用于依诺沙星的检测。     

关于单纯不可分的Mendelsohn设计(英文)

证明了：（１）对ｖ＝９，１０，１２，１３，１５，１６，存在单纯不可分的ＭＴＳ（ｖ，３）；（２）对一切ｖ≥６，存在单纯不可分的（ｖ，４，２）－ＰＭＤ．     

(Bu_4N)_2Mo(mnt)_3的晶体结构

（Ｂｕ４Ｎ）２ＭＯ（ｍｎｔ）３系针状墨绿色晶体，晶胞参数，ａ＝１０．２０８（６）Ａ；ｂ＝１５．８４１（５）Ａ；ｃ＝１８．００３（３）Ａ；α＝８６．６７（２）°；β＝８４．２０（４）°γ＝１０７．７４（４）°，空间群Ｃ＇ｉ－ＰＴ；Ｚ＝２；ρｏｂｓ＝１、２１８，ρｃαｌｃ＝１．２１０克／厘米３．在四园衍射仅上收录 Ⅰ≥１σ（Ⅰ）独立衍射点３０３５个，晶体结构由三维Ｐａｔｔｅｒｓｏｎ函致和电子密度函数解出，经全矩阵最小二乘法精修，偏离因子Ｒ＝０．０８７．结构分析结果表明，晶体结构由Ｍｏ［Ｓ２Ｃ２（ＣＮ２］２－３和［Ｎ（Ｃ４Ｈ９）］４＋构成。阴离子Ｍｏ［Ｓ２Ｃ２（ＣＮ）２］２－３是由三个配位体［Ｓ２Ｃ２（ＣＮ）２］２－中的二个Ｓ原子与Ｍｏ原子螯合，基本上成三棱柱方式配位．     

化工原料及制药中间体中二苯胺亚硝化衍生的极谱法测定

报道一种经亚硝化后用极谱定量二苯胺的极谱测定方法。在０．２ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－０．０２５ｍｏｌ／ＬＨ＿２ＳＯ＿４－４×１０￣（－６）ｍｏｌ／ＬＮａＮＯ＿２底液中，二苯胺的亚硝化产物有一良好的极谱还原波，峰电位为－０．６１Ｖ（ｖｓ，ＳＣＥ），峰高与二苯胺浓度在２×１０￣（－７）～１×１０￣（－５）ｍｏｌ／Ｌ范围内有线性关系（ｒ＝０．９９９９）。     

双－N（2－羟基乙基）邻香兰素亚胺合锌（Ⅱ）的合成、晶体结构及热分解动力学

报道了双－Ｎ（２－羟基乙基）邻香兰素亚胺合锌（Ⅱ）－Ｚｎ（ｍｏｓｅｎ）：的合成、晶体结构和热分解动力学．标题配合物Ｚｎ（ｍｏｓｅｎ）：属三方晶系，空间群为Ｐ３ｌ，晶胞参数α＝１．１４６７（４），ｃ＝１．３２４２（３）ｎｍ，ｖ＝１．５０７ｎｍ３，ｚ＝３；最终的偏离因子Ｒ＝０．０５６，Ｒｗ＝０．０６３．其第一步热分解反应动力学方程式为：ｄａ／ｄｔ＝Ａ·ｅ－Ｅ／ＲＴ·（ｌ－α）２     

1,3-二咔唑基丙烷三元激基复合物的形成及光谱特征

对１ ,３ － 二咔唑基丙烷（１ ,３ － ＤＣＺＰ） 在光激发下与电子受体化合物１ , ４ － 二氰基苯（１ ,４ －ＤＮＢ） 形成三元激基复合物的光物理过程进行了研究． 结果表明, 当１ , ４ － ＤＮＢ 对高浓度的１ , ３－ ＤＣＺＰ荧光猝灭时, 随着猝灭剂浓度的增加, 电子给体和电子受体分子形成了［ＤＤＡ］＊ 型（２个１ , ３ － ＤＣＺＰ分子和一个１ , ４ － ＤＮＢ分子） 的三分子激基复合物; 当１ , ４ － ＤＮＢ 对低浓度的１ , ３ － ＤＣＺＰ荧光猝灭时形成了［（ＤＤ）Ａ］ ＊ 型（１ 个１ , ３ － ＤＣＺＰ分子具有２ 个电子给体基因, 与１ 个１ , ４ － ＤＮＢ分子） 的三元激基复合物．     

用球面Jackson多项式刻划Besov空间

记Ｓｎ－ １ 为ｎ（ｎ ≥３） 维欧氏空间Ｒｎ 中的ｎ － １ 维单位球面,Ｘｐ （Ｓｎ－ １） 为Ｓｎ－ １ 上的ｐ（１ ≤ｐ ≤∞） 幂可积函数空间,或连续函数空间,并记Δ＝ ｛ｇ（ｘ）｜ｇ,Δｇ ∈Ｘｐ （Ｓｎ－ １）｝,Δｆ ＝ ｎｉ＝ １２ｇ（ｘ）ｘｉ２ ｜｜ｘ｜＝ １,ｇ（ｘ） ＝ ｆ（ ｘ｜ｘ｜）．作Ｋ 泛函Ｋ（ｆ,δ）ｐ ＝ ｉｎｆｇ∈Δ｛‖ｆ － ｇ‖ｐ ＋ δ‖ｇ‖Δ｝以及Ｂｅｓｏｖ 空间（Ｘｐ ,Δ）θ,ｑ（０ ＜ θ＜ ２,１ ≤ｑ ≤∞）,则有下面的（ｉ）,（ｉｉ） 为等价的：（ｉ）　ｆ ∈（Ｘｐ ,Δ）θ,ｑ;　（ｉｉ）　［∞ｖ＝ １（ｖθ‖Ｊｖ,ｓ（ｆ） － ｆ‖ｐ）ｑ １ｎ ］１ｑ ＜ ＋ ∞当ｑ＝ ∞时,ｆ ∈（Ｘｐ ,Δ）θ,∞‖Ｊｖ,ｓ（ｆ）－ ｆ‖ｐ ＝ Ｏ（ｖ－ θ）,其中Ｊｖ,ｓ（ｆ）为球面Ｊａｃｋｓｏｎ 平均。