体位相全息透射光栅的设计和应用

运用重铬酸盐明胶（DCG）制作的体位相全息透射光栅可在宽谱带范围内获得高衍射效率，与表面浮雕型光栅相比，它使后续光学系统的光通量大为提高。因此，此类光栅在天文光谱仪中有广泛的应用。本文从Kogelnik的标量耦合渡理论出发，设计在400nm到800nm波段范围内可获得高衍射效率且具有偏振无关性能的体位相全息透射光栅。     

稀释显影卤化银全息干板的光谱特性的研究

近年来,报道了一种利用银盐干板的稀释显影方法来获得具有高的衍射效率的位相型全息图,其衍射效率可高达40％以上,它比振幅全息和化学漂白方法形成的薄位相全息图具有更高的衍射效率,高的信噪比和良好的光稳定性。一般显影方法处理的振幅型银盐全息图呈灰黑色,而稀释显影处理的银盐全息图则呈现出鲜艳的桔黄色或橙红色,这些优异的特性引起人们很大的兴趣,虽然关于稀释显影的全息图的一些性能的测量已有不少报道,但是,至今还没有关于产生这些优异特性的物理机理或原因的报道。在本文中报道我们首次运用光谱分光研究方法测量了稀释显影全息干板的紫外-可见-近红外的透射光谱和光声吸收光谱以及利用含有银微粒的透明介质中的Maxwell-Garnett有效介质理论解释了这种全息干板的光谱特性和产生折射率空间调制的原因。     

半导体ZnS纳米管的软模板法制备与表征

在含有表面活性剂Triton X-100 (聚氧乙烯辛基苯酚醚)的溶液中成功地合成了ZnS纳米管, 利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对所制得的纳米管进行了表征. XRD和SAED模式表明, 所得产物为纯的多晶结构的立方相ZnS; 由透射电子显微镜照片可以看出, 产物为中空的纳米管, 外径在37~52 nm之间, 管壁厚约9 nm, 长度可达3 μm. 并对纳米管的形成机理进行了探讨.     

实时光学强度相关器的研究

利用菲涅尔全息滤波器实现无透镜光学强度相关已有较深入的研究。这种相关器的最大特点是空间滤波器具有面内位移不变性,当用它作多通道的光学相关时可以无需多焦点全息透镜,从而解决了衍射效率的问题。这种非相干光空间滤波技术还可在二维光学神经网络系统中执行关联记忆功能,获得无相干噪声的图象复现。然而无论是多通道光学相关检测还是二维光学神经网络的应用,都需要解决实时输入的问题。利用液晶光阀的光学图象转换特     

Ar离子激光泵浦的掺Nd光纤激光特性

用514.5nm的Ar离子激光泵浦掺Nd的石英光纤获得激光输出已有报道,最近我们进一步的工作结果表明,Ar离子激光中除了514.5nm波长外,用476.5nm、488.0am和496.5nm波长分别泵浦Nd掺杂光纤也都可获得1060nm的激光输出,实验测量了各种泵浦条件下的阈值、效率,并用高分辨率双光栅单色仪系统测量了光纤激光谱的精细结构,同时还对泵浦光和光纤激光在光纤中的场分布进行了研究。     

氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

用扫描隧道显微镜观察Cr12钢中马氏体

扫描隧道显微镜(STM)是80年代初研制成功的一种新型表面分析仪器,现已在物理、化学、生物等领域获得了广泛应用.与扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及场离子显微镜(FIM)相比,STM具有结构简单、分辨率高、样品制备方便等特点.STM的横向分辨率可超过0.1nm,纵向分辨率可达0.01nm,因而STM适用于观察样品表面微观结构以及由于微观缺陷的存在而引起的原子尺度的起伏,如表面台阶、界面等.目前STM已成功地用于石墨中碳原子及单晶硅表面7×7结构的直接观察.用STM研究金属材料表面的精细组织结构,可有效地填补其它分析手段的不足,但至今由于实验技术及仪器本身的局限,扫描隧道     

基于长周期波导光栅的宽范围电光调谐滤波器

设计了一种基于长周期波导光栅的电光调谐滤波器, 它具有偏振无关性. 理论分析表明, 调谐电压在?84 ~ 84 V之间, 波长调谐范围从1530 ~ 1565 nm, 覆盖了整个C波段; 在整个调谐范围内, 准TE模的耦合效率都在97%以上, 3 dB带宽小于0.8 nm, 波长对电压敏感性为0.208 nm/V. 此滤波器在WDM动态光网络有潜在的应用, 可以用作快速波长扫描/选择, 信道重构以及光学开关等用途.     

氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga₂O₃/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样品表面, 显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射. 另外, 简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

嗜热古菌Aeropyrum pernix K1酰基氨基酸释放酶/酯酶(APE1547)一种新晶型的晶体学研究

应用悬滴汽相扩散法,用PEG4000作沉淀剂,获得了嗜热古菌Aeropyrum pernix酰基氨基酸释放酶APE1547的一种新晶型.这种新晶型属于正交晶系,晶胞参数a=6.399nm,b=10.439nm,c=16.953nm,晶体空间群属于P212121.单位晶胞中每个晶体学不对称单位含2个分子,Matthews常数为2.2×10-3nm3·D-1,溶剂含量为43％,晶体衍射的最高分辨率达0.27nm.与以前获得的三斜晶系的晶体相比,这种新晶型更适合于结构分析,可以加快结构解析的进程.