用硅半导体探测器测量T(d,n)~4He反应产生的中子的能量

本文用硅半导体探测器测量了低能氘束通过(d,n)~4He反应产生的中子的平均能量,误差±26Kev。这是一种较新的方法,设备简单,精度较高,而且可以和某些其它实验同时进行。     

T(d,n)~4He反应的中子能谱的测量和模拟计算

本文描述用飞行时间谱仪对T(d,n)~4He反应的α关联中子能谱和角分布的测量,以及介绍对这些中子能谱的蒙特卡罗模拟。在计算中考虑了氘在氚-钛靶的多次散射。对发射中子谱自寺和关联中子平均能量的计算结果分别与Pavlik等人的计算结果和我们的实验结果很好地符合。     

2.7～4.5MeV D(~4He,~4He)D弹性反冲激发函数的测量

本文介绍用厚 TiDx 靶测量 D(~4He,~4He)D 弹性反冲激发函数的方法.测量了2.7～4.5Mevθ=30°的激发函数.本文还将测量结果与卢瑟福反冲截面进行了比较,发现在该能区内.D(~4He,~4He)D 弹性反冲微分截面比卢瑟福反冲截面大很多.     

~(65)Cu(n,2n)~(64)Cu,~(63)Cu(n,α)~(60)Co 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc反应截面测量

本文用活化法以~(27)Al(n,α)~(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子~(65)Cu(n,2n)~(54)Cu 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子~(63)Cu(n,α)~(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较.     

14Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面测量

本文用活化法分别以~(56)Fe(n,P)~(56)Mn和~(63)Cu(n,2n)~(62)Cu反应截面为标准,测量了14.61Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面,其值分别为190.1±5.3mb和196.3±7.7mb。又以~(27)Al(n,P)~(27)Mg反应截面为标准,测量了14.13Mev、14.61Mev和14.85Mev三个能点的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应戡面,其值分别为116.0±8.7mb、189.4±14.2mb和197.2±14.8mb。活化生成核发射的γ射线用高纯锗(HPGc)γ谱议进行测量。     

(n,d)-phantom与(n,d)-Ext-phantom态射

设n,d是非负整数且n≥1,引入了(n,d)-phantom态射与(n,d)-Ext-phantom态射的概念,研究了它们的一些性质。作为应用,得到了模的FPn-平坦维数与FPn-内射维数的一些新刻画。     

(n,d)-FC模与(n,d)-FC环(英文)

作为FC模与FC环的推广,引进了(n,d)-FC模与(n,d)-FC环的概念,给出它们的基本刻画,并利用预包络,预覆盖和余挠理论进一步研究了(n,d)-FC模与(n,d)-FC环的性质.     

~(148)Sm(n,p)~(148m)Pm、~(144)Sm(n,p)~(144)Pm和~(150)Sm(n,α)~(147)Nd反应截面的测量

报道了从１３．４ＭｅＶ到１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法相对９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ的反应截面，对１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４８ｍＰｍ、１４４Ｓｍ（ｎ，ｐ）１４４Ｐｍ和１５０Ｓｍ（ｎ，α）１４７Ｎｄ三个反应截面的初步测量，并将所得结果和已有数据进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

14MeV中子(n,~3He)反应截面的系统学计算

对14MeV中子的(n,~3He)反应截面的系统学特性作了研究,并得列了反应截面随不对称参数(N—Z)/A的增加而缓慢下降的趋势.在对实验数据分析、评价和拟合的基础上给出了一套经验参数.利用导出的系统学经验公式计算了一些核素的(n,~3He)反应截面,与实验结果比较符合较好.最后讨论了(n,~3He)反应的机制.     

~(97)M_0(n,p)~(97)N_b 反应截面的测量

钼的天然同位素较多,活化后的γ谱复杂,给用活化法测量~(97)M_0(n,p)~(97)N_b快中子反应截面带来了很大困难,以前虽然有多人曾经测量过~(97)M_0(n,p)~(97)N_b 的反应截面,但大多数只测量了个别能量点的数据,这些现存的数据分散较大,国内尚未见有报道,且钼又是核聚变的结构材料之一,所以精确测量~(97)M_0(n,p)~(97)N_b反应截面是十分必要的,为此我们用活化法测量了13.40～14.79MeV 中子能区的~(97)M_0(n,p)~(97)N_b 反应截面并和所能收集到的数据进行了比较。     

(d,n)-余挠模与(d,n)-平坦模

设R是环,定义了(d,n)-余挠模与(d,n)-平坦模,并研究了这两类模的性质.证明了(Fd,n,Cd,n)是完全且遗传的余挠理论,其中Fd,n(Cd,n)表示(d,n)-平坦右R-模类((d,n)-余挠右-模类).给出了这两类模在环的优越扩张下的等价刻画.     

2.8 MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面的测量

用中子活化法和离线γ能谱测量技术对2.8MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面进行了测量.2.8 MeV强流中子由D-D中子发生器获得,中子注量率的波动通过测量伴随~3He粒子得到;中子的平均能量通过~(64)Zn(n,p)~(64)Cu和~(115)In(n,n′)~(115m)In的反应截面比得到.γ能谱采用低本底高分辨率高纯锗伽马谱仪进行测量.实验结果与已发布的截面数据及评价核数据库ENDF/B-Ⅷ.b4、JENDL-4.0u+和CENDL-3.1的数据进行了比较.利用模型程序TALYS-1.8对~(232)Th的中子俘获反应激发函数曲线进行理论计算,并与实验数据和评价数据进行了对比分析.     

(d,n)-余挠模与(d,n)-平坦模的环刻画

设R是环,研究了(d,n)-余挠模和(d,n)-平坦模的应用,证明了每一个右R-模是(d,n)-余挠模当且仅当每一个(d,n)-平坦右R-模是(d,n)-余挠模;对偶地,证明了每一个右R-模是(d,n)-平坦模当且仅当每一个循环右R-模是(d,n)-平坦模.最后给出了这两类模在多项式环下的等价刻画.     

40Ca(n,α)37Ar反应的测量

快中子核反应数据,不论对反应堆的设计,还是对核反应机制和核结构的研究及其理论的发展均有着重要的意义。由于屏栅电离室的诸多特点,被用于快中子核反应截面、能谱及双微分截面的测量。作为系统研究的一部分,文章利用屏栅电离室在北京大学４．５ＭＶ静电加速器上对薄Ｃａ靶的（ｎ,α）反应进行测量,得到５ＭｅＶ和６ＭｅＶ时的４０Ｃａ（ｎ,α０）３７Ａｒ、４０Ｃａ（ｎ,α１,２）３７Ａｒ的角分布和反应截面,同时给出总截面及微分能谱。实验结果表明４０Ｃａ（ｎ,α）３７Ａｒ的角分布大致关于９０°对称,说明在此能区,复合核反应机制起主要作用。     

低能~(12)C+~(12)C反应的测量

在鲁尔大学DTL实验室4MV串列加速器上利用12C束流轰击高纯度的C靶.通过γ谱学方法测量了Ec.m.=2.10-4.75MeV12C+12C熔合蒸发反应,并导出了12C(12C,α)20Ne和12C(12C,p)23Na反应的天体物理S(E)*因子.在Ec.m.≤3.0MeV时发现新的共振.特别是在Gamow峰的高能尾部Ec.m.=2.14MeV处出现强共振峰.当T=8×108K时,这些共振使得α链的反应率比无共振情况下提高了近5倍.     

Toroidal网格C(d1,d2)的(d,4)-控制数

本文讨论二维Toroidal网格的(d,4)-控制数,得到如下结果:(1)如果,m≥2,G＝C(2m+1)或G＝C(2m+2,3),当d＝diam(G)+1时,Rd,4(G)＝2;(2)如果G＝C(d1,4)(d1≥3)或G＝C(d15)(d1≥9),当d＝diam(G)时,Rd,4(G)＝2.     

热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响

以14 MeV快中子引起的52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n, γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n, 2n)51Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n,2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d, n)4He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n, 2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n, 2n) 92mNb和90Zr(n, 2n) 89m＋gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.     

14MeV能区中子诱发~(232)Th(n,f)~(138)Xe裂变截面的测量

利用中子活化法,精确地测量了14 Me V能区中子诱发的232Th(n,f)138Xe裂变截面.在测量中用27Al(n,α)24Na反应出射的α射线监督中子通量,中子的能量由90Zr(n,2n)89Zr反应与93Nb(n,2n)92mNb反应的截面之比给出.在中子能量为14.1±0.3和14.7±0.3 Me V下,其裂变截面分别为12.72±1.24和11.82±1.13 mb.