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在金属富勒烯盐C60Mx(M=Sm,Pt,Ni,Rh)的激光烧蚀飞行时间质谱研究中,观察到正负离子通道中有金属富勒烯C2nM与C2n+1M的形成.金属富勒烯的谱峰强度与根据碳原子与金属原子的同位素分布计算所得到的理论谱相一致,证实了金属富勒烯的形成.实验表明金属原子取代了碳笼上的一个碳原子而形成取代型金属富勒烯.同时,在激光烧蚀金属富勒烯盐的负离子通道中观察到奇数碳笼团簇的产生.激光烧蚀产物随激光轰击次数演变的实验表明,金属富勒烯的形成与金属碳化物MC的产生密切相关.在对奇数碳笼团簇结构优化计算的基础上,对金属富勒烯团簇C2n+1M与C2nM的结构特性以及形成机理进行了讨论. 相似文献
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二元非线性等重码的纠错性能 总被引:2,自引:0,他引:2
证明n≠2ω时符方伟提出的改进的王氏猜想成立;当n=2ω时,除(24,6,12),(26,6,13)(32,8,16),(34,8,17),(40,10,20)不能确定外,所有的(n,2δ,ω)都是非最佳纠错码。 相似文献
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特征数为2的有限域上对称矩阵的结合方案 总被引:1,自引:0,他引:1
1.结合方案与编码、设计及有限群理论有着密切的联系.1965年,万哲先讨论了由有限域上n×n Hermite矩阵构作的结合方案,并且计算了n=2时这个方案的参数.后来,本文第一作者对于这个方案的参数给出了一种递推的计算公式,并且把这种方法推广到交错矩阵和m×n矩阵构作的结合方案.近来,霍元极和祝学理,万哲先和霍元极相继讨论了特征数不为2的有限域上对称矩阵的结合方案.本文是这方面工作的继续,讨论特征数为2的有限域上对称矩阵的结合方案.关于结合方案的定义及参数的基本关系式可参见文献[1]. 相似文献
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多电子原子模型势理论中的矩阵元计算 总被引:4,自引:2,他引:2
最近,郑能武提出了一个近似描述多电子原子或离子体系中单电子运动的势模型。应用这一新的势模型,并根据实验光谱或电离数据确定模型势的参数后,单电子的径向波函数可用广义拉盖尔函数表示。 如果以该模型作为量子化学计算的出发点,我们还需计算各种幂次径向算符的矩阵元。本 相似文献
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所有非平凡、单调的图性质的判定树复杂性等于(2^n),其中n是图的顶点数,这就是关于图性质的Karp猜想,综述关于Karp猜想的研究进展。 相似文献
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用T-矩阵法计算得到的后向散射矩阵求解了代表植被叶子的盘状粒子与代表植被枝条的针状粒子的后向散射同极化相位差与植被的几何参数和物理参数间的相互关系,以及雷达入射波频率和入射角等参数对这些关系的影响。结果表明,植被的叶子或权条的形状和匐伏状态等几何参数,以及植被的介电常数的实部、虚部和不同成分含量等物理参数,对极化雷达后向散射同极化相位差的影响各不相同;而雷达入射波频率和入射角等参数对计算结果也有较大影响。所有这些在农作物的长势监测及产量评估等方面有重要意义。 相似文献
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E(s2)最优超饱和设计与BIB设计的对等关系 总被引:2,自引:0,他引:2
证明了大小为(n,m)=(2k+2,t(2k+1))(k≥2,t≥2,且当k为偶数时,t亦为偶数)的E(s^2)最优超饱和设计与BIB设计的对等关系,使得可以通过构造BIB设计来寻求E(s^2)最优的超饱和设计。 相似文献
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MnAc_3·2H_2O在pH=4.0的HAc-NaAc的缓冲水溶液中和2,2'-联吡啶(bipy)反应,制得了双核锰(Ⅲ)配合物[(bipy)_2Mn_2(μ-O)(μ-Ac)_ 2(H_2O)_2](ClO_4)_2该配位化合物的 X射线单晶衍射表明,该晶体属单斜晶系,空间群 C2/C,晶胞参数: a= 3.408 2(7) um, b= 0.864 4(2) um, c= 2.174 9(4) um,β=105.12°,Z=8.其紫外可见光谱在400和600 nm之间有两个非常强的峰,这和一些从生物体中提取的含锰过氧化氢酶及含锰核糖核苷酸还原酶的电子光谱相似.循环伏安实验说明,此配合物在乙腈溶液中经历了一个半可逆的一电子氧化和还原。 相似文献
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给出了n参数无穷维(r,δ)-Ornstein-Uhlenbeck过程{Xt(.)}(记为(r,δ)-OUP^∞n)的定义;研究了Xt(.)的分布μt的绝对连续性;讨论了当|t|→∞时Xt(.)的极限行为 。 相似文献
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二端口网络噪声谱矩阵理论 总被引:3,自引:0,他引:3
信号检测系统中关键部件之一的低噪声前置放大器,通常是由低噪声放大器件及反馈网络联接而成.电路低噪声设计目的不仅是计算放大器的最佳源阻抗及最小噪声系数,而且要通过改变电路形式及反馈元件参数全面比较其性能,以期有好的噪声性能指标同时,能兼顾放大器其他性能指标.国内外现使用的噪声源迭加法是对电路中每个噪声源分别计算输出噪声功率,通过功率迭加法得到总输出噪声功率后,再等效到输入端的电压噪声E_n及电流噪声I_n,从而求出最小噪声系数及最佳源阻抗.由于电路中(特别是器件内部)有大量噪声源,这种方法的计算量十分惊人.而且由于噪声源之间相关性无法考虑,使计算误差较大(最多可 相似文献