离子液体/半胱氨酸修饰电极测定抗坏血酸

利用自组装膜技术,将离子液体和半胱氨酸修饰到金电极上,制备离子液体/半胱氨酸自组装膜修饰电极,以循环伏安法和交流阻抗法研究其电化学性质,并用于抗坏血酸（AA）的电催化氧化。结果显示：当 AA 的浓度在 1 ×10 6~ 8 ×10 4mol / L 范围内时,与所测得的氧化峰电流呈良好的线性关系,检出限为 8. 6 ×10 7mol / L。催化效果明显,可实现对 AA 的电化学检测。     

二茂铁甲酸/L-半胱氨酸修饰金电极的制备及对抗坏血酸的电催化测定

实验制备了二茂铁甲酸/L-半胱氨酸自组装金电极,并用循环伏安法和电化学阻抗予以表征,研究了该电极在磷酸氢钾-磷酸氢二钾溶液(pH=7.0)中的电化学行为,考察了介质、酸度对修饰电极伏安行为的影响.实验表明,该电极对抗坏血酸(AA)的电化学氧化具有明显的催化作用.用示差脉冲伏安法对AA进行了测定,其氧化电流于AA的浓度在2.52×10-5-6.31×10-3mol L-1范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9931,检出限为1.30×10-6mol L-1.     

L-半胱氨酸自组装单层膜修饰金电极测定抗坏血酸

选用L-半胱氨酸(L-Cys)通过S-Au键修饰到金电极上形成L-半胱氨酸自组装单分子膜修饰金电极(L-Cys/Au),探讨了该电极形成机理并发现它对抗坏血酸具有电催化作用.进而利用示差脉冲伏安法对各种样品中的抗坏血酸含量测定,结果令人满意.     

L-半胱氨酸自组装膜修饰电极对抗坏血酸的电催化氧化及其分析应用

研究了L-半胱氨酸自组装膜修饰电极(L-Cys/Au SANs)的制备方法和其电化学行为,发现该电极对抗坏血酸(AA)具有明显的电催化氧化作用,在pH 4.03的BR缓冲溶液中,AA在L-半胱氨酸自组装膜修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电流与AA浓度分别在8.0×10-7-8.0×10-6mol·L-1和4.0×10-5-4.0×10-4 mol·L-1范围内呈良好的线性关系,相关系数分别为0.997 0和0.996 7,检测限为1.6×10-7mol·L-1.该方法可用于AA的测定.     

酸性铬蓝K修饰电极的制备及其对抗坏血酸的测定

应用电化学方法将酸性铬蓝K固定在玻碳电极（ GCE）表面上而制备出新型的修饰电极,并用循环伏安法对其电化学行为进行表征,考察了其对抗坏血酸的电催化性能。结果表明：在HAc-NaAc缓冲溶液（pH=3.6）中,-200-800 mV电位扫描范围内,抗坏血酸在此修饰电极上发现有一个氧化峰,并且此峰的高度和抗坏血酸的浓度成正比关系。在选定的最佳条件下,氧化峰电流与抗坏血酸的浓度在8×10^-8-1×10^-3 mol·L^-1范围内有良好的线性关系（R=0.9992）,检出限为2×10^-8mol·L^-1（信噪比3∶1）,并用于实际样品分析中,得到较满意的结果。     

抗坏血酸在纳米金/石墨烯复合物修饰电极上的电化学行为研究

根据Hummers方法制备了石墨烯(GR),通过在石墨烯修饰玻碳电极(GR/GCE)表面电沉积纳米金粒子(Au NPs)制备了纳米金/石墨烯复合物修饰电极(Au NPs/GR/GCE),采用扫描电镜表征了电极形貌;并用循环伏安法研究了抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学行为,在p H=4.0的磷酸氢二钠-柠檬酸缓冲溶液中,AA在复合物修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,氧化峰电流显著高于裸玻碳电极(GCE)和石墨烯修饰玻碳电极(GR/GCE);在优化实验条件下,建立了循环伏安法测定AA的方法,氧化峰电流与AA的浓度在7⁵00μmol/L和1500μmol/L和1³0 mmol/L范围内呈良好的线性,检出限为5μmol/L(信噪比=3);用该方法测定维生素C片中AA的含量,回收率在97.69%30 mmol/L范围内呈良好的线性,检出限为5μmol/L(信噪比=3);用该方法测定维生素C片中AA的含量,回收率在97.69%¹03.5%之间.     

酸性铬蓝K修饰电极的制备及其对抗坏血酸的测定

应用电化学方法将酸性铬蓝K固定在玻碳电极(GCE)表面上而制备出新型的修饰电极,并用循环伏安法对其电化学行为进行表征,考察了其对抗坏血酸的电催化性能。结果表明:在HAc-Na Ac缓冲溶液(p H=3.6)中,-200~800 m V电位扫描范围内,抗坏血酸在此修饰电极上发现有一个氧化峰,并且此峰的高度和抗坏血酸的浓度成正比关系。在选定的最佳条件下,氧化峰电流与抗坏血酸的浓度在8×10-8~1×10-3mol·L-1范围内有良好的线性关系(R=0.9992),检出限为2×10-8mol·L-1(信噪比3∶1),并用于实际样品分析中,得到较满意的结果。     

用电化学方法测定金电极上自组装单分子膜的电位稳定性

用电化学方法研究了在金电极上十二烷基硫醇自组装单分子膜（ＳＡＭ）在乙腈、乙醇及丙酮中的电位稳定性。在０．０Ｖｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ（饱和ＫＣｌ）,十二烷基硫醇自组装单分子膜有最大的稳定性,在较负电位（如２．０Ｖ）和较正电位（如＋０．６Ｖ）电解时,在不同溶剂中的ＳＡＭｓ的表面覆盖率则表现出不同程度的损失,但在三种溶剂中,最大稳定性的电位窗口是相似的。     

离子液体/石墨烯复合物修饰电极同时测定多巴胺和尿酸

<正>近年来,石墨烯由于其具有优良的电学、机械学及热力学性能而得到了广泛关注.离子液体也因其具有特殊的性质已经引起了研究热潮.离子液体的引入能提高石墨烯复合物的性能,并能扩大其应用范围[1].因此,很多研究者致力于离子液体功能化石墨烯制备及其应用研究.然而,氧化石墨烯的还原通常要用到高毒性、易爆炸的试剂(如硼氢化钠或水合肼).这些试剂可能会污染制备的石墨烯而限制石墨烯及其复合物的应用.于是我们建立了一种简便、温和的方法,并合成了环境友好的1-丁基-3-甲基咪唑半胱氨酸盐离子液体功能化的石墨烯复合物(IL/石墨烯)[2].所制备的离子液体功能化石墨烯复合物能很好     

L-抗坏血酸在锂-对苯二甲酸修饰电极上的电化学行为及其测定

利用电沉积法制备了1种[Li-BDC]/GC修饰电极,并用循环伏安法和交流阻抗法研究了L-抗坏血酸（AA）在修饰电极上的电化学行为.结果表明,与裸玻碳电极相比,该修饰电极对AA具有更高的电催化活性,其氧化峰电流增大了约1.6倍.探讨了不同实验条件对电极性能的影响,在最佳实验条件下,检测AA药物浓度的线性范围为3.0×10-7～2.5×10-3 mol·L-1,线性相关系数为0.9990,检出限为6.0×10-8 mol·L-1（信噪比为3∶1）,回收率为97.2%～100.4%.该修饰电极具有较好的稳定性和重复性,并用于维生素C片剂中AA的含量测定,结果与药典方法一致.     

聚L-精氨酸修饰玻碳电极测定抗坏血酸

用循环伏安法制备了聚L-精氨酸修饰玻碳电极,并研究了抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,建立了测定抗坏血酸的新方法.在pH7.5的磷酸盐缓冲溶液中,抗坏血酸在修饰电极上产生一氧化峰,峰电位为0.050V(对AgA/gCl电极).用线性扫描伏安法测定抗坏血酸的线性范围为5.0×10-6～5.0×10-3molL/,检出限为2.0×10-6molL/.用于药物中抗坏血酸的测定,结果满意。     

抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰电极上电极过程的研究

运用循环伏安(CV)法、计时电量法和稳态极化曲线法研究了抗坏血酸(AA)在多壁碳纳米管修饰玻碳电极(MWCNT/GCE)上的电化学行为.实验表明:AA在MWCNT/GCE上的电极过程为扩散控制的不可逆过程,其极限扩散电流id为1.500×10-5A,扩散系数D0为1·634×10-5cm2/s,标准电极电势时的电极反应速率常数ks为1·694×10-3?/s.     

抗坏血酸在半胱氨酸自组装膜上的电化学行为及应用

半胱氨酸自组装修饰金修饰电极对抗坏血酸(Vc)具有很高的电催化氧化活性.在pH 2.0的0.1 mol/L缓冲溶液中,可得到一对准可逆的氧化还原峰.电极反应受扩散控制.氧化峰电流与抗坏血酸浓度在5.0×10-6～1.1×10-3 mol/L范围内成线性关系,检测限为1.0×10-6 mol/L.该分析方法应用于果汁中的抗坏血酸分析,结果令人满意.     

伏安法测定抗坏血酸的应用研究

采用电聚合方法制备了依来铬黑T修饰玻碳电极,该修饰电极对抗坏血酸(AA)具有较好的催化氧化作用。在优化的实验条件下,AA的氧化电位大大降低,氧化峰电流显著增大,AA浓度在1.0×10-5～2.0×10-3 mol.L-1范围内与氧化峰电流成良好的线性关系。该电极制备简单,响应快,使用方便,用于AA的样品检测,效果良好。     

猕猴桃浆修饰碳糊电极测定抗坏血酸

研制猕猴桃浆修饰碳糊电极,探讨该电极的性能和实用性。用示差脉冲伏安法检测维生素片剂中抗坏血酸的含量,结果与药典法相符。检测下限为5.00×10-6mol.L-1,电极具有良好的重现性和选择性,响应时间短,使用寿命12d以上。     

抗坏血酸在石墨烯修饰金属有机骨架-离子液体-碳糊电极上的电化学行为及其测定

利用水热法合成铜基金属有机骨架材料(Cu3(BTC)2),用扫描电子显微镜、X射线粉末衍射、红外光谱和热重分析等表征其形貌、结构和热稳定性。按照一定比例将Cu3(BTC)2、碳糊和离子液体(IL)[HPPF6]混合研磨制备Cu3(BTC)2-IL-CPE;利用恒电位法在该电极表面沉积石墨烯(GR)制备GR/Cu3(BTC)2-IL-CPE,采用循环伏安法和差分脉冲伏安法测试工作电极的电化学性能。结果表明GR/Cu3(BTC)2-IL-CPE对抗坏血酸(AA)的电催化性能明显提升,抗坏血酸浓度在0.005～7.0 mmol/L范围时氧化峰电流与浓度呈线性关系,检测限为0.0017 mmol/L(3σ)。该修饰电极成功应用于市售维生素C片剂的测定,证明本方法具有良好的准确性和选择性。     

二苯基硫脲自组装膜电极的制备及其特性

藉金硫键将二苯基硫脲组装在金电极上,形成二苯基硫脲自组装膜电极.利用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV),考察氧化还原指示剂在自组装膜上的电子传递过程,并运用离子通道理论探讨膜电极与醋酸根阴离子的作用机理.实验结果表明,二苯基硫脲自组装膜电极在1.0 mol.L-1,V(氯化钾)∶V(乙氰)为3∶2的混合底液中,随着加入醋酸根阴离子阴离子的增加,指示剂的氧化还原峰峰最流增大,峰形查逆性变好,且DPV峰电流与醋酸根阴离子浓度在0~0.07 mol.L-1范围内呈现线性关系.     

多壁碳纳米管修饰电极对抗坏血酸的电催化作用

对抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为的研究表明,与裸玻碳电极相比,抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰电极上具有更高的氧化峰电流和更低的氧化电位。实验优化了支持电解质、pH值、扫描速度等测定条件,此法测定抗坏血酸的线性范围为(1.0×10-5~5.0×10-4)mol.L-1,检测下限为8.0×10-7mol.L-1。此修饰电极制作简便,重现性和稳定性较好。     

金/硫醇-卵磷脂双层膜制备中金/硫醇单层膜的重复使用

将实验后的金／正18硫醇－卵磷脂（Au supported octadecanethiol-phosphatidylcholine,Au/ODT-PC)双层膜用无水乙醇冲洗并浸泡数小时后以除去卵磷脂（phosphatidylcholine,PC)层,电化学研究表明,这样重新得到的金／硫醇（Au supported octadecanethiol,Au/ODT)单层膜与用自组装法新制备的Au／ODT单层膜具有相同的循环伏安和交流阻抗性质,而且仍保持着其原来的完整性,在制备双层膜的过程中可以有限次重复使用。