单卟啉铁分子自旋输运性质第一性原理研究

分子器件是指构建在单个分子或有限个分子上的具有特定功能的器件,它是电子器件向小体积化发展的极限,而它也被证明将会是未来电子元器件的替代者.利用密度泛函理论与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了单卟啉铁分子与金纳米线电极构成的分子器件的自旋输运的性质.研究发现：该分子器件中存在自旋相干的量子现象;在非平衡态下,两种自旋态电流都随偏压的增大而非线性增大,自旋过滤效应在偏压的调控实现正负的转化.     

双铁酞菁分子自旋输运性质第一性原理研究

利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了双铁酞菁(Fe_2Pc_2)与金纳米线电极构成分子器件的自旋输运性质.研究发现即使不存在磁性电极的情况下,Fe_2Pc_2分子器件也能表现出良好的自旋过滤效应和较大的磁阻.与传统的磁隧道结相比,仅通过改变位于酞菁分子中心的铁原子的磁矩方向即可实现对该分子结的自旋输运性质的调控.     

双原子分子的Stretching效应

系统分析５０个双原子分子的ａ,ｂ值,确定双原子分子的软度。     

自旋波频率移动的缺陷效应

本文讨论了一维铁磁体中含有单个缺陷对自旋波频率移动的影响，结果表明，缺陷的存在会产生以缺陷为中心的局域自旋取向运动模式．     

d~8低自旋配合物分子轨道稳定化能曲面研究

本文自编程序计算了d~8低自旋配合物中不同方向上的配体与不同电子构型的中心离子相配位所产生的分子轨道稳定化能(MOSE),并绘制了分子轨道稳定化能曲面,从而满意地解释了d~8低自旋配合物的几何构型.     

通过分子轨道稳定化能曲面研究d~8低自旋配合物的几何构型

自编程序计算了d8低自旋配合物中心离子不同d电子分布时配体在不同空间方向上与中心离子配位所产生的分子轨道稳定化能 ,并首次绘制了分子轨道稳定化能曲面 ,由此阐明了该类配合物的配位数、几何构型、配体配位方向等随中心离子电子排布不同而发生的变化     

苯环上取代基定位效应的简易判定法

本文提出了一种判定苯环上取代基定位效应的方法,简便、易行、准确,便于推广．     

DNA分子中电子局域性质的温度效应

在有限温度下,通过考虑相邻DNA碱基之间的相对扭转角度对其平衡位置的偏离,借助负本征值理论、无限阶微扰理论及传输矩阵方法,研究了DNA分子的电子局域属性对温度的依赖关系.结果表明,电子的态密度、局域长度均存在强烈的温度效应.电子态密度分布随着温度的变化而变化,体现为态密度曲线中峰的高度消长和位置移动以及能隙的位置迁移和宽度增减.研究还发现存在一个临界温度Tc～250 K,当TTc时,局域长度随温度的升高反而增加,分析系统局域性质的这种奇特温度行为是源于该临界温度上下电子输运机理的不同.     

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

电场调控的自旋翻转因在低能耗高密度的新型存储器件中有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注.在复相多铁材料中,利用磁电耦合效应有可能实现电场调控自旋的翻转.我们在CoPt/PMN-PT异质结中,利用电场调控矫顽力的变化,实现了电场调控自旋的翻转.在铁磁形状记忆合金Mn-Ni-Sn与0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3组成的复合材料中,通过电场调控交换偏置场的变化,无需偏置磁场就可以实现电场调控自旋的翻转.     

网络信息过滤机制的研究

探讨网络信息过滤的相关概念、网络信息过滤系统的体系结构、原理与技术、用户模型的构建、信息过滤算法的改进等问题.在阐述信息过滤一般应用模型的基础上提出网络文本信息过滤模型,分析网络文本信息过滤模型的应用特征及其组件,并着重讨论了布尔逻辑模型、概率模型和向量空间模型的基本原理与方法,最后就模型中两大技术应用存在的问题总结并提出了一些改进意见.     

自旋标记药物的合成研究（Ⅰ）甘草次酸自旋标记衍生物的合成

合成了甘草次酸的自旋标记衍生物，对自旋标记物２，２，６，６，－四甲基－４－氨基哌啶氮氧自由基进行了全合成研究。     

非谐效应对双原子分子气体转动热容量的影响

在高温情况下分子离心畸变和核的振动对异核双原子分子气体转动热容量贡献的基础上,讨论了非谐效应对双原子分子气体转动热容量的影响,很好地解释了双原子分子气体转动热容量曲线在高温情况下存在极大值的问题.     

双离子注入增强退火效应的研究

本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.     

过滤式厨房油烟净化器过滤材料的研究

通过对几种滤料进行厨房油烟净化试验,发现了过滤式材料净化厨房油烟的规律,利用电子显微镜对过滤材质上油烟颗粒进行了观察,对过滤式油烟净化器净化机理进行了研究。     

小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究

分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻R_j和MOS沟道电阻R_ch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压V_GS时,器件漏端电流I_DS大小与栅源电压V_GS无关,从而形成准饱和效应.     

双原子分子FeNi的结构和稳定性研究

在密度泛函 B3LYP/LANL2DZ水平上计算了FeNi分子的平衡几何、振动频率和解离能,同时给出了能级结构图.计算结果表明自旋多重度为5时,FeNi分子处于基态,其离解能为6.4771 eV,能隙为3.0708 eV.     

INDO级别上的最大重迭对称性分子轨道 Ⅲ C—N核自旋偶合常数的计算

采用已建立的INDO级别上的最大重迭对称性分子轨道方法计算得到的密度矩阵和分子中各原子净电荷,求得分子的最大键级杂化轨道,进而研究了C－N核自旋偶合常数,所得计算结果与实验数据一致,结果表明我们建立的理论方法是可行的。     

并六苯环石墨烯带的密度泛函研究

以并六苯环石墨烯带为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方法,及6-31+G(d)基组,对该模型进行了分子轨道分析和频率计算。通过轨道分析得出了分子轨道能隙和轨道密度;经过频率计算得出模型的红外和拉曼光谱并说明了振动光谱中出现强峰的原因;最后与加氢并六苯环比较,对并六苯环石墨烯带的稳定性进行了讨论。     

几种重要的分子标记原理及RAPD应用

本文介绍了分子标记的产生、发展、和目前应用较多的几种分子标记类型．进一步论述了RAPD在分子生物学中的应用,特别指出RAPD技术在紫花苜蓿分类鉴定中的重要作用。