巨型功率晶体管场限环研究

通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.     

VDMOS场效应晶体管结构设计

本文介绍了VDMOS场效应晶体管结构设计中一般需要考虑的问题,着重叙述了元胞和终端结构设计。实际设计了耐压200V,电流17A,导通电阻0.18Ω的VDMOS产品,试制结果说明设计是可行的。     

高压大功率VDMOSFET终端技术的研究

对实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究．分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响．计算结果与文献中的数值模拟结果相符合     

功率VDMOSFET结终端技术研究

提出了一种多重场限环（FLR）终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线，由这一曲线可以直接得到最优化结构，而不必进行试验也不易发生错误．由此种方法得到的结果与实验结果附合得非常好．我们在较大范围内对这一方法的适用性进行了研究，结果表明这一方法在中等电压范围FIR终端设计中非常有效。     

With的复合结构浅析

with结构是许多英语复合结构中最常用的一种。学好它对学好复合宾语结构、不定式复合结构、动名词复合结构和独立主格结构均能起很重要的作用。本文就此的构成、特点及用法等作一较全面阐述,以帮助同学们掌握这一重要的语法知识。     

含复合铰链及复合移动副的机构结构分析

首次提出了复合移动副的概念，指出复合铰链与复合移动副的存在，会使机构按阿苏尔组分类方法确定机构级别时，机构的级别变得不确定，为使机构运动分析与动力分析更简便，应注意尽量向低级别去拆组分析。，     

关于复合结构对消声影响的研究

研究了复合结构的原理及实验 ,通过实例说明复合结构对消声的影响。     

溅射工艺对NiFe/Cu复合丝结构和性能的影响

利用射频磁控溅射法分别采用连续溅射和间歇溅射工艺制备了Ni80Fe20/Cu复合结构丝。通过扫描电镜和X射线衍射等手段研究了溅射模式对复合丝微观结构的影响.结果表明：间歇溅射使镀层之间形成明显的界面,镀层结晶度增加,晶粒较大.利用巨磁阻抗效应和磁滞回线手段分析了样品的磁性能,发现实验中溅射的磁性层具有良好的软磁性能,复合丝呈现出较大的巨磁阻抗效应.当采用间歇溅射工艺时,由于复合丝的镀层中存在明显界面,内、外磁层的磁化行为不同,出现两个各向异性场.该样品经退火后,释放了一部分内部应力,软磁性能提高,阻抗效应增强,且内、外磁层磁性能趋于一致.     

采场围岩复合拱力学结构探讨

本文通过光弹性模型实验等研究方法,分析研究了开采影响下大范围内采场围岩的力学作用过程和采场矿山压力显现发生差异性的根本原因。     

新型复合结构超声换能器的研制

为提高超声换能器的性能,提出一种新型的复合结构超声换能器,这种结构的超声换能器在同一只换能器中使用两种压电材料--压电陶瓷(PZT)和压电薄膜(PolyyinylideneDifluoride,PVDF),前者用于发射;后者用于接收.应用KLM(Krimholtz,LeedomandMattaei)机电耦合等效电路模型对这种换能器作了理论上的分析,并实际制作了这种复合结构的超声换能器.理论和实验结果均表明,该复合结构的超声换能器具有较小的输入功率损耗和相对较短的回响.     

场限环耐压的准三维优化分析

分析和讨论了圆弧形掩膜的曲率半径对平面结终端耐压特点的影响．首次通过解析的方法，推导出了在计及平面结横向曲率效应，即准三维效应的条件下，优化单场限环结构击穿电压的归一化表达式，以及场限环间距的优化公式．本方法简便直观，可以直接用于场限环结构的优化设计．     

新型复合混泥土剪力墙结构体系研究

随着现代科学技术的发展,复合材料的应用已经越来越广泛。在建筑结构工程中,为满足不同的功能和受力需要,根据材料特性形成复合受力构件或体系,也将是一个必然的发展方向。作者在文章中将研究一种新型复合结构体系,即新型复合混泥土剪力墙结构体系。     

阻抗复合吸声结构的理论与声学特性研究

研究了由穿孔板,吸声材料及空腔构成的阻抗复合吸声结构理论,建立了其吸声性能预测模型,在实验验证理论正确性的基础上,分析了吸声结构参数与吸声性能的关系,从而为噪声控制中吸声结构的优化设计提供了依据。     

阻抗复合吸声结构的理论与声学特性研究

研究了由穿孔板,吸声材料及空腔构成的阻抗复合吸声结构理论,建立了其吸声性能预测模型,在实验验证理论正确性的基础上,分析了吸声结构参数与吸声性能的关系,从而为噪声控制中吸声结构的优化设计提供了依据。     

静电感应晶体管(SIT)电性能的控制

静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I－V特性，是个关键而且困难的问题．本文给出了上述参数控制的一般原则、方法，还给出了控制的判据，引人了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论．由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率，它更为适于低阻负载直接驱动电路．     

MoO_2及其复合纳米结构的研究进展

不同于常规过渡族氧化物的宽带隙半导体特性,MoO_2具有较强的金属特性,加之其高的熔点、良好的化学稳定性、以及本身隧道状晶体构型使其在锂离子电池、超级电容器、场发射器件和催化剂等领域都有着重要的应用价值。在纳米材料倍受青睐的现今,MoO_2及其各种复合纳米结构迅速引起研究者的广泛关注与研究。系统综述了各种MoO_2及其复合纳米结构的研究进展,详细介绍各种类型纳米结构合成现状,包括合成方法,不同方法合成的材料形貌结构特点;着重阐述它们在场发射、锂离子电池、超级电容器和光催化等领域的性能特点,在此基础上并对其未来研究方向进行了展望。     

一元函数的三种复合结构及其导数

一元函数的复合结构可分为嵌套式、可分离变量式和混合式三种形式。对不同复合结构的函数要采取不同的求导方法。求导的易错点分析,能帮助理解概念防止错误。     

具有复合结构颗粒的介电相互作用

讨论了电流变液分散相固体颗粒采取分层复合结构时可能对电流变效应产生的影响．分析过程基于介电极化理论．给出了电场作用下具有复合结构颗粒间的结合能、失配参数的解析表达式，分析了固体颗粒各层的材料性质、厚度、介电常数等因素变化对颗粒间结合能的影响．讨论显示：尽管复合结构颗粒的电流变液具有较为复杂的失配参数表达式，但与单一结构颗粒的电流变液相比，两者在颗粒间结合能的表现上十分类似，提示了以改善电流变效应为目的而采用复合结构固体颗粒作为分散相的建议缺乏理论依据．同时还发现，颗粒外覆层厚度的变化随介电常数的不同、对颗粒间结合能的影响具有正、逆两种效应．     

平面型电力电子器件场环终端的优化设计与试验研究

对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究，提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是否合理的指标，采用零场强度边界判定法，开发出能在３８６型或４８６型微机上进行模拟器件反偏状况的优化设计程序，根据设计结果制作了几种不同结构的场环器件，以测量其实际耐压，单结在１ｋＶ左右，改进后的方案用于高压ＳＩＴＨ器件的研制，耐压在１．２ｋＶ左右，最高可达１．５ｋＶ。