正庚烷液相热脱附与蒸馏脱附的动力学特性

以ＤＩＯ为脱附剂,对吸附在５Ａ分子筛上的正庚烷的热脱附和蒸馏脱附动力学特性进行了实验研究,相应地提出了高温下流人相热脱附量与蒸馏脱附量的计算方法。实验结果表明,在初始阶段,时间的延长脱附速率增加很快,之后脱附速率减慢,脱附量趋于一个常数值。在相同脱附条件下,蒸馏脱附的脱附量及脱附速度明显高于热脱附。脱附动力学参数及活化能计算结果表明,脱附过程是一个吸热反应过程,提高脱附温度有利于反应的进行。两种脱     

正构烷烃在0.5 nm分子筛上蒸馏脱附动力学研究

在433、453和473K下进行了正己烷、正庚烷和正辛烷从0．5nm分子筛上蒸馏脱附实验．另外，对正庚烷考查了不同起始吸附量时的脱附速率．脱附剂采用的是二苯醚．建立了相应于高温下液相热脱附量的计算方法．实验结果表明，对于分离烃类混合物中的正构烷烃来说，0．5nm分子筛是液相再生性能较好的分子筛，二苯醚是一种较好的脱附剂．     

正庚烷液相热脱附与蒸馏脱附的动力学特性

以DIO为脱附剂 ,对吸附在 5A分子筛上的正庚烷的热脱附和蒸馏脱附动力学特性进行了实验研究 ,相应地提出了高温下液相热脱附量与蒸馏脱附量的计算方法。实验结果表明 ,在初始阶段 ,随着时间的延长脱附速率增加很快 ,之后脱附速率减慢 ,脱附量趋于一个常数值。在相同脱附条件下 ,蒸馏脱附的脱附量及脱附速率明显高于热脱附。脱附动力学参数及活化能计算结果表明 ,脱附过程是一个吸热反应过程 ,提高脱附温度有利于反应的进行。两种脱附方式的活化能在数值上接近 ,这说明两种脱附过程对能量的需求是相当的。结合吸附质的脱附率来看 ,简单的液相蒸馏脱附具有应用价值     

程序控温吸-脱附研究

通过对不同气-固体系的考察,提出了一种以线性升温吸附-非线性降温吸附-线性升温脱附为主要实验步骤的程序控温吸-脱附方法。同时解决了吸、脱附动力学的计算问题。对实际体系的研究结果表明:借助这一动态分析手段,可在一次实验中观察到吸、脱附的全部动态过程,方便地进行活化吸附和非活化吸附的研究,并可计算得到有关的吸、脱附动力学参数,为进行吸、脱附的理论探讨与实际应用提供了一种有效的实验方法。     

车用天然气储罐脱附放气过程热力特性分析

车用吸附天然气储罐在脱附放气过程中产生的热效应,严重影响了储罐的脱附效率和汽车行驶速度.建立了天然气、活性炭吸附剂和天然气储罐的热质交换模型,模拟计算了脱附过程中储罐内温度、压力和脱附量的变化,分析了温度、压力等热力参数对脱附速度和脱附量的影响.计算结果表明:储罐的自然脱附过程是吸热过程,在脱附过程中,储罐内的平均温度由293.15K降到了250.46K;储罐中心处温降最大,由293.15K降至244K,降幅达到了49.15K;自然对流下的脱附效率比等温脱附降低了24.49%;在自然对流条件下,壁面所提供的热量越少,脱附速度越小,脱附效率也就越低.     

GaAs（100）表面上含Cl物种的形成和激光诱导的脱附

用ＸＰＳ分析了盐酸处理前后的ＧａＡｓ（１００）表面。未处理ＧａＡｓ（１００）表面上有约１．７ｎｍ厚的氧化层；盐酸处理可除去氧化层并在表面上形成一层氯化镓物种。本实验还用３５５和１９３ｎｍ激光研究了此含氯物种的激光诱导脱附过程。结果表明，３５５ｎｍ激光导致氯化镓热脱附，从激光的热效应可推测出表面氯化镓物种可能是ＧａＣｌ；１９３ｎｍ激光可将ＧａＣｌ解离，从而导致光解Ｃｌ脱附。     

程序升温脱附技术在催化研究中的应用

本文地介绍了程序升温附技术的基本原理及其主要理论,着重讨论了程序升温脱技术在催化研究中应注意的问题。     

硅胶的孔径结构对脱附活化能的影响

该文为研究硅胶孔结构对水蒸气吸附速率／脱附活化能的影响，在吸附水蒸气动力学实验中采用了间歇式吸附方法，用程序升温脱附技术测定了水在硅胶上的程序升温脱附（TPD）曲线并估算了水的脱附活化能。结果表明：A型、B型和C型硅胶的平均孔径分别为2nm、5．28nm和10．65nm。在10％～45％低湿范围内，硅胶的平均孔径越大，其吸附初始阶段的吸附速率越快，平衡吸湿量越小；高湿度条件下，硅胶的平均孔径和孔容越大，其吸附初始阶段的吸附速率越慢，平衡吸湿量越大。水分子在A型、B型和C型硅胶上的脱附活化能分别为35．54kJ／mol、31．41kJ／mol和26．16kJ/mol，说明水分子在硅胶上的脱附活化能随着硅胶的孔径增加而明显减小。与微孔硅胶相比．在中高湿度下中孔硅胶有较大的平衡吸附量和较低的脱附活化能。     

正己醇在改性活性炭上的脱附活化能

制备了Ag^ -活性炭、Cu^2 -活性炭、Fe^3 -活性炭、活性炭、Ba^2 -活性炭和Ca^2 -活性炭6种活性炭，推导了脱附活化能的估算模型，并利用程序升温脱附技术测定了正己醇在这6种活性炭上的脱附活化能，结果表明，正己醇在Ag^ -活性炭、Cu^2 -活性炭和Fe^3 -活性炭的脱附活化能高于其在活性炭上的脱附活化能，而它在Ca^2 -活性炭和Ba^2 -活性炭上的脱附活化能低于它在活性炭上的脱附活化能。     

热脱附谱的自动采集

本文采用在计算机上插入PC7248型数据采集卡，由计算机通过PC7428数据集卡控制并采集热脱附谱的分压强强度信号及经高精度信号放大器放大后的温度信号，由计算机进行实验数据处理，效果良好。     

三聚氰酸在活性炭纤维毡表面的吸附及电脱附行为的研究

利用活性炭纤维毡(ACF)对三聚氰酸进行了静态吸附和电脱附,通过透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电子显微镜(SEM)对ACF微观结构进行了表征,并通过高效液相色谱(HPLC)检测了三聚氰酸含量.研究了吸附平衡时间、pH等对静态吸附的影响,以及电解质浓度和脱附时间对电脱附率的影响.结果表明:ACF对三聚氰酸的吸附遵循准二级吸附动力学,符合Langmuir和Freundlich等温吸附模型,酸性环境能促进对三聚氰酸的吸附,pH=12时发生脱附再生,用ACF电脱附三聚氰酸最佳脱附时间15min时脱附率可达92.5%.     

三聚氰酸在活性炭纤维毡表面的吸附及电脱附行为的研究

利用活性炭纤维毡（ACF）对三聚氰酸进行了静态吸附和电脱附,通过透射电子显微镜（TEM）、场发射扫描电子显微镜（SEM）对ACF微观结构进行了表征,并通过高效液相色谱（HPLC）检测了三聚氰酸含量.研究了吸附平衡时间、pH等对静态吸附的影响,以及电解质浓度和脱附时间对电脱附率的影响.结果表明：ACF对三聚氰酸的吸附遵循准二级吸附动力学,符合Langmuir和Freundlich等温吸附模型,酸性环境能促进对三聚氰酸的吸附,pH=12时发生脱附再生,用ACF电脱附三聚氰酸最佳脱附时间15min时脱附率可达92.5%.     

用热脱附谱研究磷硅玻璃薄膜

用热脱附谱（TDS）研究H2O在磷硅玻璃（PSG）中被吸附的问题。PSG是在400℃左右用化学气相淀积（CVD）方法生长的，在生长过程及以后的工序中容易吸收H2O，使器件失效。TDS是由25℃开始以20℃/min均匀升温到800℃获得的。由TDS的残余气体分析（RGA）模式可以推出H2O在PSG中的可能结合形式。建立生长、吸附、扩散和脱附等几个模型，通过实验测量了PSG中脱附的H2O随时间、温度、湿度等环境条件的变化。在VLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数，如烘烤时间、金属淀积前的等待时间等。     

金属阳极恒电位溶解的动力学模型(英文)

本文根据电极过程动力学的基本理论和金属阳极恒电位溶解的实验结果,提出了有效电流的概念,导出了金属阳极恒电位溶解的动力学模型。此模型也适用于受固相扩散传质控制的合金或类合金(如某些金属硫化物)阳极的恒电位溶解过程。在液相扩散传质控制条件下,金属阳极恒电位溶解的动力学模型为:i(t)=i_x+[i(0)-i_x]e~(-pt)Q(t)=i_xt+[(i(0)-i_x)/p](1-e~(-pt))利用此模型对锡阳极在氟硅酸-硫酸溶液中恒电位溶解的实验结果进行了模拟计算,计算结果与实验数据十分吻合。     

草酸中多孔阳极氧化铝膜生长动力学和形态结构研究

为分析多孔阳极氧化铝膜形态参数和氧化条件的关系,在恒流条件下对0.3 mol.L-1草酸电解中形成多孔膜的生长动力学进行了研究.采用扫描电子显微镜和氧化膜质量测定方法检验了电流密度、温度和氧化时间对氧化膜生长动力学和氧化膜形态的影响.通过电压-时间曲线研究了氧化膜的电化学特征,并采用一元线性回归模型预测了氧化膜的生长速率.实验结果表明氧化膜的生长速率随电流密度的升高而升高,随温度的升高而下降.氧化膜质量的增长速率也随着电流密度的升高而增大.     

有效脱附在活性炭法烟气脱硫中的作用

从吸附动力学和多孔介质流体动力学的角度，对活性炭法烟气脱硫（FGD）中动态吸附容量较低的问题进行了研究，指出有效脱附在整个操作环节中起着决定性的作用，通过一系列的实验研究，证明了脱附用水的渗流速度对脱附性能有一定的影响，给予一定的压头，使用喷嘴喷淋的方法进行脱附，并选取适当的水洗时间，以及采用外表面积较大的活性炭，都可以在一定程度上提高脱附效率，具有优良孔分布和孔结构的活性炭纤维（ACF），在水洗条件下即可以比较完全地脱附，脱附效率可达84．2％。     

金属氢化物吸附和脱附过程的数值分析

结合化学吸附的机理，提出圆柱筒型金属氢化物吸氢、放氢的物理和数学模型。以金属氢化物ＬａＮｉ４．７Ａｌ０．３为例进行数值模拟，计算了不同时间的金属氢化物的反应锋面位置、热流量和吸氢量等参数。还研究了不同边界条件下，金属氢化物吸氢、放氢的传质情况及金属氢化物导热系数对金属氢化物的吸附、脱附的影响，并对不同类型金属氢化物在相同条件下的吸附性质进行了对比。研究证明：利用金属氢化物贮氢，应尽量减薄反应层的厚     

AZ63B镁牺牲阳极的电化学性能研究

采用恒电流法，测定了AZ63B镁牺牲阳极材料的开路电位和工作电位以及电流效率；利用能谱分析仪（EDAX）测定了阳极泥的成分。结果表明，其电流效率可达61．8％，杂质含量均在允许范围之内。     

氦离子轰击器壁的再释和溅射脱附效应研究

通过理论和四极质谱法 (QMS)获得了氦辉光放电清洗时的氢释放特性和氦再释特性 .氢在GDC(He)时的出气为双指数衰减规律 ,但壁脱附的衰减常数远大于机组和电离抽除的衰减时间常数 ,故主要表现为脱附衰减特性 ,这与实验基本相符 .GDC(He)后硅化层中的氦再释出气率的规律为 :氦的再释放与时间的 - 3/ 2成正比 .