晶体管交流参数rce和rbc之间的关系

解析关系式的推导正常偏置状态下的双极型晶体管,即当晶体管的发射结正向偏置(对于 NPN 型管子,V_(BE)>0)、集电结反向偏置(对于 NPN 型管子,V_(BC)<0)时,其基极电流和集电极电流分别为(以 NPN 型管子为例)     

实验室晶体管的筛选

一、管子的筛选在晶体管电路中的重要性: 1、半导体器件由于电压的波动,晶体管的老化、温度的变化都可引起晶体管参数的变化。其中以温度的变化为最显著、影响最大,它的几个重要参数β、Iceo、Ube等都是温度的灵敏函数。主要的原因是温度的变化影响了晶体管内部载流子的运动,从而使反向饱和电流Icbo、发射结正向压降Ube和电流放大倍数β发生了变化。     

判断功率晶体管性能的方法

研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。     

控制界面态减少表面可动电荷降低晶体管的电噪声

通过对比2688B, 2688S, 2688 3种工艺技术生产的彩色 电视机高频视放晶体管的CB结反向漏电流I_cbo和电噪声谱密度S_vcb (f), 论述了界面态和表面可动电荷能够引起晶体管表面漏电流, 从而使器件产生电噪声, 并间接影响到反向击穿电压、 小电流放大系数等参数. 实验表明, 采用合适的表面钝化技术, 可有效控制晶体管的表面漏电流, 降低晶体管的电噪声, 使器件的可靠性、 稳定性及其使用寿命得到提高.     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.     

Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用.     

半导体器件模拟软件ISE—TCAD

本文的研究目的是对半导体模拟软件ISE—TCAD进行详细介绍,旨在介绍软件的模拟方法,并利用仿真软件ISE—TCAD对其在室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真,并取得了有价值的数据．．从模拟图的结果可知室温（303K）且偏压较低时,电流随着电压呈指数关系增长。W／SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为0．2V;偏压较高时,电流增加缓慢,串联电阻效应明显。模拟值表明反向电流数值比正向数值小几个数量级,     

晶体管交流参数γ_(ce)和γ_(bc)之间的关系

解析关系式的推导正常偏置状态下的双极型晶体管,即当晶体管的发射结正向偏置(对于NPN型管子,V_(BE)>0)、集电结反向偏置(对于NPN型管子,V_(BC)<0)时,其基极电流和集电极电流分别为(以NPN型管子为例)(?)(1)(?)(2)式中peo、nbo和pco分别为发射区、基区和集电区在热平衡下的少子浓度,D_(pe)、D_(nb)和D_(pc)分别为发射区、基区和集电区的少子扩散系数,L_(pe)、L_(nb)和L_(pc)分别为发射区、基区和集电区的少子扩散长度,q为电子所给电荷量(不包括符号),A为晶体管PN结截面积,W为基区宽度(随集电结反向偏置电压V_(BC)作一定程度的变化)。     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极和,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性,结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化。通过与ＰＳ的电容,电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性。     

晶体管反向传输现象的讨论及应用

本分析了晶体管在发射结加正向偏置电压而集电极回路加入脉冲信号时有关电压、电流的波形特点及其物理解释．由此，提出了一种鉴别晶体管高频特性的方法，并解释了黑白电视机的一种故障现象，纠正了献[4]、[5]的错误。     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析     

脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A·μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.     

人工分子磁体中的温差电效应

文章研究人工分子磁体中的塞贝克效应,发现人工分子磁体可以产生温差电流,且其铁磁态和反铁磁态的竞争导致正向电流和反向电流的叠加或抵消,进而产生非线性电流效应。温差电流随分子轨道能级变化展现出台阶现象。塞贝克系数在双通道时表现为反对称结构。这些结果源于正向、反向电流的竞争。     

氢化非晶硅多数子驼峰二极管

本文提出了类似单晶硅多数子驼峰二极管的氢化非晶硅多数子驼峰二极管结构。测定了 I-V 特性,二极管的理想因子 n=1.20,驼峰势垒φ_B=0.70ev,从正向电流1.4A/cm~2到稳定反向电流的开关速度150ns.     

自制NPN高频大功率晶体管中间测量仪

一、概述 本仪器是根据北京电子管厂设计的“NPN高频大功率晶体管（4S1～4S11系列）中间测试台”线路图按我们生产上的需要改制而成,属于生产线上的专用仪器,适用于高频大功率管3DA1～3DA29系列的中间测试和成品测试。本仪器可用作直流测试（由仪器的电表读出参数）和脉冲测试（用示波器显示特性曲线）两类,包括晶体管的反向截止电流、反向击穿电压、共发射极电流放大系数等项参数。 仪器中供测试晶体管用的偏置电源输出电压是半调整的,按产品的测试规范调好,由七个微动按钮开关根据各种不同的测试项目通过继电器连接被测晶体管（或管芯）;因此,它适应生产过程中中间测试需要简捷方便的要求。     

Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究

构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.     

晶体畴反转过程中畴壁运动与极化电流特性研究

为了解晶体畴反转的动力学过程,利用马赫-曾德干涉实验系统,研究了外电场极化下掺镁铌酸锂和纯净铌酸锂晶体在畴反转过程中的畴壁运动和极化电流特性。实时记录了掺镁7 mol%、掺镁5 mol%铌酸锂和纯净铌酸锂晶体在畴反转过程中的畴壁特征和极化电流变化情况,发现离散的畴壁速度脉冲伴随着离散的极化电流脉冲,连续的畴壁速度脉冲对应着连续的极化电流脉冲。掺镁铌酸锂晶体正向反转和纯净铌酸锂反向反转的畴壁速度变化和极化电流变化比较尖锐,而掺镁铌酸锂晶体反向反转和纯净铌酸锂正向反转的畴壁速度变化和极化电流变化比较缓和。最后对实验现象进行了解释。     

关于周期反向电流电解铜中降低反向电流的试验报告

在毛主席无产阶级科研路线指引下,我们在原周期反向电流电解铜(反向电流未降低)工业试验基础上,又大胆革新,突破洋框框,进行了降低反向电流,改善经济指标的小型试验和工业试验。试验结果证明,降低反向电流在技术上是可行的,经济上也较前合理。不仅可同样达到使电铜年产量提高30-50％的目的;同时,将反向电流降低为正向电流的50％,可将电耗由420度/吨铜降为400度/吨铜,从而降低了生产成本。     

基于扩散模型的ZnO/p-Si异质结伏安特性研究

为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒,对异质结的正向电流起阻碍作用;当外加正向电压等于内...     

nSi/pSi0.8Ge0.2/nSi与nSi/pSi/nSi晶体管直流特性的比较

采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进行了数值分析;给出了高斯掺杂情形下,基区中Ge含量为0.2的Si0.8Ge0.2HBT与Si同质双极结晶体管(BJT)的共射极电流放大系数图、Gummel图、平衡能带图和基区少子分布图,对比结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流放大性能;其次对Si0.8Ge0.2HBT与SiBJT的大电流特性进行了比较,证实了在大电流下异质结基区少子向集电区扩展引起的异质结势垒效应,使Si0.8Ge0.2HBT的直流放大系数比SiBJT的放大系数下降更快这一实验结果.