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相似文献
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1.
笔者采用统一的拟合的MS势计算了在E=40~80meV下He-HCl体系的总微分截面和弹性微皮截面、总分波截面和弹性分波截面。研究结果表明:在低能碰撞过程中,不管是微分散射截面还是分波散射截面,弹性散射的几率大,对总的散射截面贡献最大。入射能量一定时,微分散射截面的小角散射几率大于大角散射几率;入射的能量越高,量子效应就越不显著,尾部效应也越不显著。  相似文献   

2.
利用密耦近似方法对He-N2碰撞体系的微分截面、分波截面进行了量子力学计算,研究表明:低能散射时,He-N2碰撞的弹性散射主要在小角部分,而非弹性转动激发主要发生在大角部分,并通过系统的研究和计算,发现了分波散射截面不同的能量下的变化规律。  相似文献   

3.
作者首先以拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据,获得了He-HCl体系相互作用的各向异性势,并与其它势模型进行了比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用密耦近似方法,计算了He-HCl碰撞体系在不同碰撞能量下的微分散射截面、分波散射截面和总截面,得到了散射截面随能量变化的规律.研究表明:小角散射几率大于大角散射几率;碰撞能量越高,体系的散射几率越小,量子效应越不显著,尾部效应越弱,得到收敛的分波截面所需的分波数也越多.  相似文献   

4.
用3C模型和DS3C模型计算了散射电子能量为500 eV特殊几何条件下电子离化氦原子的三重微分散射截面,并把计算结果与实验结果进行了比较,系统研究了屏蔽效应和交换效应对截面的贡献。结果表明,末态屏蔽效应以及交换效应对三重微分散射截面的幅度和角分布均存在一定影响,并且当入射能较高时这种影响更加显著。  相似文献   

5.
He同位素与HBr碰撞对分波截面的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于构造的各向异性势,用密耦方法求解散射方程,计算了E=40 meV时3He,4He,5He,6He和7He分别与HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,详细讨论了氦同位素原子对分波截面的影响.结果表明:对给定的碰撞能量和确定的碰撞体系,激发分波截面比弹性分波截面收敛快;激发态越高,截面收敛越快;尾部效应仅在弹性散射和低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应.随着氦同位素原子质量的增大,弹性分波截面和态-态激发分波截面收敛速度变慢,收敛需要的分波数增多.  相似文献   

6.
运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。  相似文献   

7.
作者运用密耦近似方法,计算了能量在64.0meV下,He原子和基态N2分子碰撞的态-态转动激发微分截面和入射能量分别在27.3meV,40.0meV,64.0meV和80.0meV下的弹性、非弹性和总微分截面;总结了该碰撞体系微分散射截面的变化规律.研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,转动激发非弹性散射主要发生在大角部分.  相似文献   

8.
对惰性气体原子与氘分子系统建立T-T势能模型,并采用密耦近似方法,计算了原子入射能量分别为0.05、0.10、0.15、0.20、0.25eV情况下,系统00-00弹性碰撞微分截面及00-02转动激发微分截面.通过对计算结果的分析得到了弹性及非弹性碰撞微分散射截面随角度的变化规律以及入射原子能量和系统约化质量对微分截面的影响.  相似文献   

9.
用T.T(Tang-Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原子的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe-D2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原子与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化.  相似文献   

10.
使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。  相似文献   

11.
用T.T(Tang—Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原予的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe—D2碰撞体系的00—00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原予与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明:对00—00弹性碰撞,分波截面随量子数,的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原予的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化.  相似文献   

12.
作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.  相似文献   

13.
运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。  相似文献   

14.
通过单双取代并加入三重激发项校正的二次组态相互作用(QCISD(T))方法,采用aug-cc-pVTZ基组完成对Ar-HF分子间相互作用势进行全空间扫描,使用Boys和Bernardi提出的counterpoise method,在计算的基础上消除基组重叠误差,得到更为准确的碰撞系统势能面情况.采用Huxley势函数拟合得到Ar-HF较为可靠的相互作用势,进而对Ar与HF的相互作用势进行探讨.使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50meV和100meV时,Ar与HF的分波截面,弹性分波截面00-00,以及非弹性碰撞激发分波截面00-01,00-02,00-03等,得到Ar-HF碰撞系统分波截面随量子数和入射能量变化的规律.  相似文献   

15.
采用Huxley势函数拟合得到He-HCl较为可靠的相互作用势,使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为80meV时,氦原子的三种同位素3He,4He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面。通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He、4He、10He)-HCl碰撞体系的弹性分波截面00-00,非弹性碰撞转动激发分波截面00-01到00-07,随量子数和体系约化质量的变化规律。  相似文献   

16.
利用非线性最小二乘法拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的分子间相互作用能,得到了基态Ne-HF复合物势能面的解析表达式.在此基础上,采用量子密耦方法计算了入射能量分别为60,75,100和150meV时,Ne原子与HF分子碰撞的分波截面,详细讨论了长程吸引和短程各向异性相互作用对非弹性分波截面的影响.结果表明:(i)势能面的长程吸引阱对低激发分波截面,特别是j=0→j′=1跃迁的尾部极大有重要贡献,而对j′≥3的非弹性跃迁截面没有贡献.(ii)短程(排斥和吸引)相互作用对低激发分波截面,特别是j=0→j′=1,2跃迁的主极大有重要贡献.对j′≥3的跃迁,短程相互作用在非弹性激发中起着关键作用.(iii)尽管不同碰撞能量时,非弹性分波截面的极大值和极小值对应的位置不同,但它们分别对应于几乎相同的碰撞参数.  相似文献   

17.
电子与Hg原子的弹性碰撞滕礼坚,侯氢(原子核科学技术研究所)我们在独立电子模型下,用相对论分波法计算了电子与Hg原子的弹性碰撞微分截面,与相应的实验数据比较,表明在入射电子能量E_0>50eV的能区内,该理论方法可以较好地描述实验,由于Hg原子有较高...  相似文献   

18.
应用北京师范大学2×1.7 MeV串列加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面.结果表明,对于质子在轻核Al上的散射截面,可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1.5 MeV,质子能量大于该值时,出现连续的非卢瑟福散射共振区.  相似文献   

19.
用Tang-Toennies势函数研究了He-H2(D2,T2)碰撞体系,用量子力学研究上述体系的弹性和非弹性转动激发,当入射原子能量E=0.2eV时,采用密耦方法计算了分波截面。  相似文献   

20.
用密耦近似方法计算了入射能量分别为25meV、75meV、125meV和150meV时,He原子与基态BH分子碰撞的分波截面。计算结果表明:在总分波截面尾部效应极大值对应的碰撞参数附近,径向偶极发生转向;总分波截面最大峰的位置几乎对应于He原子具有最大负电荷的位置。  相似文献   

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