电沉积Ni纳米线阵列及其磁学性能研究

为了解决因受阳极氧化铝(AAO)孔道直径限制导致合成的金属纳米线尺寸单一、磁性受限的问题,采用二次阳极氧化法制备了不同孔径的阳极氧化铝(AAO)模板,依据模板辅助电沉积法,在不同孔径AAO模板内生长了Ni纳米线阵列,利用SEM,TEM,XRD和EDS等技术对制备的Ni纳米线阵列形貌、微观结构和成分进行表征,通过物理性能...     

交流电沉积条件对沉积Ni纳米线的影响

采用恒压40V二次阳极氧化方法制备了阳极氧化铝(AAO)模板,模板的孔径均匀有序。在二次阳极氧化的基础上阶梯降低电压至10V,可有效减薄阻隔层,有利于Ni纳米线的交流电沉积。利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对AAO模板以及Ni纳米线的形貌进行表征。探索了阶梯降低氧化电压、电源滤波以及电沉积频率对沉积Ni纳米线的影响。结果表明,阶梯降低氧化电压、适当的频率以及滤波可以明显提高电沉积效果,得到比较均匀有序的Ni纳米线。     

阳极氧化处理的铝为模板电化学沉积铜纳米线

研究如何去除阳极氧化铝膜(AAO)纳米孔与铝基之间的阻挡层。介绍了一种氧化铝模板经阶梯降流处理后可以有效去除AAO模板阻挡层的新方法,并以带铝基的氧化铝膜为模板直流电化学沉积制备了线径可控、大小均一的晶态铜纳米线。     

铁钴合金纳米线有序阵列的制备及其磁性表征

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝（AAO）模板，选摩尔比为1：1的CoSO4和FeSO4混合溶液为电解液，用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备Fe0.5 Co0.5合金磁性纳米线有序阵列．分别用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪对多孔氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析，用振动样品磁强计（VSM）对样品的磁学性能进行测试．结果显示，制备的磁性合金纳米线表面光滑、均匀，纳米线中的晶粒在生长过程中有（200）晶面的择优取向．VSM测试结果表明，纳米线阵列结构具有较高的垂直磁各向异性，当外场沿纳米线轴向磁化时，纳米线阵列有很大的剩磁比（Mr／Ms=0．7）和很大的矫顽力（饱和Hc=1700 Oe），说明样品经适当热处理后，剩磁比和纵向矫顽力普遍得到提高．     

AAO为模板软印模法构建大面积高性能SERS基底（英文）

以双通多孔氧化铝(AAO)为模板用软印模法制作出硅胶(PDMS)纳米线团簇结构,用离子束溅射沉积法在硅胶纳米面条衬底上镀一层50nm的金膜,制成大面积、超高灵敏的SERS基底.以不同孔径的AAO为模板,制作出不同直径的纳米线.用罗丹明6G为探针分子,通过对不同直径纳米线形成的团簇SERS基底进行拉曼信号测量发现,所有SERS基底都显示出可观的拉曼信号增强效应,平均拉曼增强因子随着纳米线直径的增大而增大,最大的增强因子超过2×107.如此大的拉曼信号增强归因于大量纳米线间隙中的超强电磁增强效应.     

基于多孔氧化铝模板的勃姆石纳米线的形成

使用高纯铝箔作为初始原料,以多孔阳极氧化铝模板为中间产物,通过对多孔阳极氧化铝模板进行水热反应的方法制备出勃姆石（γ-AlOOH）纳米线,产物的特征长度为60 nm,直径在2～5 nm之间。整个实验方法简单,且没有引入其他杂质元素。分析了反应过程及水热反应温度和时间对勃姆石纳米线形貌的影响,并通过对比实验表明AAO模板的纳米多孔结构是水热反应生成勃姆石纳米结构的必要条件和主要原因。     

AAO模板及有序纳米材料研究进展

基于多孔阳极氧化铝模板(AAO)制备出的不同直径和长度的纳米管或纳米线阵列,因其特殊的光、电、磁、催化等性能而具有广泛的用途及发展前景。本文综述了近年来AAO模板以及基于该模板的有序纳米材料的研究进展。     

高密度、直立Co-Cu合金纳米线有序阵列的制备

利用一种简化的阳极氧化法制备出高度有序的氧化铝模板.利用电化学沉积法采用恒压直流电沉积模式在氧化铝模板的孔洞中制备了CoCu合金纳米线阵列.用SEM、TEM、EDS、XRD对样品进行了形貌、成分和微结构测试,结果显示,成功制备了大面积有序的CoCu合金纳米线阵列,纳米线尺寸均匀,直径约为70 nm,长度约为30⁴0μm,其长径比为40040μm,其长径比为400⁶00,纳米线的晶粒生长过程中晶面具有一定的择优取向性.     

利用电化学法制备Pt纳米线

利用阳极氧化铝（AAO）作为模板,制备出高定向的Pt纳米线。Pt纳米线的形貌由环境扫描电镜证实,并通过x-射线能谱（EDX）、X-射线粉末衍射谱（XRD）测试手段进行了表征。     

多孔电沉积制备纳米线

分析了国内外的研究合成半导体纳米线现状及未来的发展趋势。采用电化学AAO模板法的进行制备合成。并对制备工艺和模板材料的选择进行了分析和研究。