δ掺杂超晶格中的极化激元

本文采用转移矩阵的方法,研究了δ型掺杂超晶格中的极化激元模。结果得到其色散曲线分为两支,两支之间存在一带隙,带隙宽度随k_x增加而增加,计入推迟效应后,我们得出了在k_xω极限情形下的色散关系。     

量子阱超晶格和量子阱线超晶格中的极化激元

量子阱超晶格和方形截面量子阱线超晶格中极化激元的色散关系被详细讨论．在量子阱超晶格和量子阱线超晶格中，我们得到了四支（不是两支）极化激元模．     

涡流对反铁磁性超晶格推迟模式的影响

在等效介质理论近似下,涡流对层间有反铁磁交换相互作用存在的侧向磁性超晶格的推迟模式的问题。与以往有关推迟模式的研究有所区别的是,由于涡流的存在,必须考察传导电流对色散关系的影响。应用等效介质理论进行求解,色散曲线揭示了阻尼对推迟模式的影响。所得结果考虑了非磁性层厚度相等、外磁场沿z轴方向、波在y-z平面内传播的情况。     

反铁质表面极化激元的非对易性

通过计算和讨论得到了当外磁场沿ｘ轴方向,原磁晶磁矩沿ｚ轴方向,波矢沿±ｙ轴方向时,反铁磁质表面磁极化激元的极化与铁磁质在平行于磁晶磁矩的外磁场下的极化相类似,具有非对易性,且其色散关系也具有非对易性。     

含三元合金缺陷层有限超晶格中的界面声子-极化激元模

采用转移矩阵方法,研究了含三元合金缺陷层(AlxGa1-xAs)有限超晶格(GaAs/AlAs)中的界面声子-极化激元模性质.结果表明,这种有限超晶格中的声子-极化激元模在剩余射线区[ωTO,ωLO ] 的分布依赖于缺陷层含Al的浓度x,部分类 GaAs(AlAs)声子-极化激元模随着浓度x的增加向低(高)频区移动.此外,而且还可以清晰地看到它们在局域模、表面模和扩展模之间的演变.还发现声子-极化激元模的分布随着组份层和缺陷层厚度的改变,其局域位置和特性发生显著变化.     

有限的半导体超晶格中的电荷密度激发

本文应用麦克斯韦方程和适当的边界条件导出了有限的类型—Ⅱ半导体超晶格的集体表面激发色散关系的一个解析表达。对有限的超晶格,所得结果指出:表面等离子激元的能量与这一体系的层厚直接有关,但是临界波矢与它的厚度无关。类型—Ⅱ超晶格的一般化的公式加上适当的条件可化为类型—Ⅰ超晶格的结果。     

反铁磁质的体极化激元

通过计算得到了当外静磁场垂直原磁晶磁矩、波矢垂直外静磁场时,反铁磁质的体极化激元的ＴＥ模式。其色散关系与波矢方向有关,与各向同性的电介质的色散关系相似。     

表面激子极化激元的定域化

在存在着随机粗糙和空间色散时，利用了一个数字模型研究表面激子极化激元的定域化．发现定域化出现在表面激子极化激元的最大频率附近，在广延态上的衰减长度大于定域态上的衰减长度，表面激子极化激元的定域化是受到粗糙表面散射波的毁灭性干涉所引起的．     

反铁磁质表面的磁极化激元

通过计算得到了当外磁场沿ｘ 轴方向,原磁晶磁矩沿ｚ 轴方向,波矢沿ｙ 轴方向的反铁磁质的表面磁极化激元的ＴＥ模式。其色散关系曲线与在平行于磁晶磁矩的外磁场下的铁磁质的色攻关系曲线相似,其频率处于微波或红外的范围     

超晶格中压电场受激辐射初探

本文研究格晶格内部压电场在受到谐振冲击时，向外辐射电磁波，在一些特殊点场的性质。     

超晶格"锯齿形"势垒的穿透系数

指出了沿生长方向的超晶格沟道不再是直的,而是"锯齿形"形的,对于n层等厚薄膜组成的超晶格,每一个锯齿都可视为一个等腰三角形,而"锯齿形"沟道则由n/2个三角形串联而成.于是"锯齿形"势垒的穿透问题就转化为三角形势垒的穿透问题.假设一个三角形势垒的穿透系数为γ,则n/2个三角形势垒的穿透系数可近似表示为γn/2=γn/2.结果为粒子与物质相互作用研究提供了一种理论描述.     

反铁磁/非磁结构的磁极化激元色散关系

利用电磁场理论 ,在Voight位形下讨论了反铁磁 /非磁三明治结构中的磁极化激元 ,推导出此条件下的磁极化激元的色散关系     

非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.     

介质阻挡放电中四边形向超四边形斑图的转化

利用双水电极介质阻挡放电装置,在高pd值流光放电模式下,分别获得了四边形斑图和超四边形斑图.观察到了2种斑图之间的相互转化和时空对称性破缺.此外,对超四边形斑图中的大点进行了时空分辨测量.结果表明:在每半个电压周期内,大点的中心和边缘均是放电2次,具有相同的时空行为,由此证明了第2次放电应为壁电荷引起,而不是由于存在第2个放电丝.     

天然条件下单分子膜阻蒸发速率的测定

不溶性表面活性剂,可以在水面上形成单分子膜,单分子膜的一个重要应用就是阻止水的蒸发,因此可以作为抑制水蒸发的阻止剂.本文简介了单分子膜的一些性质,着重讨论了在天然条件下,有膜与无膜水的蒸发速率问题,并讨论了气候条件对蒸发速率和膜阻蒸发速率的影响.最后对此项技术的应用前景作了预测.     

气体放电超六边形斑图的时空动力学测量

采用特殊的双水电极的介质阻挡放电装置,得到了特殊的超六边形斑图,其有2个独立的波模qs,Khc,遵循三波共振原理qs1+qs2=Kch.并对其时空动力学进行了研究,此种斑图由2套次结构交替放电形成,所有小点同时放电,大点同时放电.     

GaAs/AlxGa1-xAs超晶格束缚态电子能级结构的理论研究

我们运用Kronig-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽,跃迁矩随超晶格的结构参量(阱宽、垒宽和Al组分)变化关系,以及子带能量色散关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小;影响带宽的较大因素是垒宽,随垒宽的增大,带宽逐渐减小;超晶格结构参量对跃迁矩的影响很小;随着Al组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;第一子能带随波矢的变化不是很明显,第二子能带随波矢变化比较明显.这些将对实验测量和器件应用有一定的参考价值和指导意义.     

准周期光学超晶格激光变频特性分析

根据耦合波方程,分析了准周期光学超晶格中激光变频过程,在倍频过程满足准位相匹配条件,和频过程不满足准位相匹配条件与倍频过程不满足准位相匹配条件,和频过程满足准位相匹配条件下对不同参量进行了数值模拟,结果表明在小信号近似条件下的转换效率依赖于耦合系数比α,和频位相失配量越大,二次谐波的转换效率与三次谐波的转换效率相差越小,这不利于产生高效的三倍频。