用β——閃爍譜仪研究β譜

我们用装有塑料闪烁体的β——闪烁谱仪测量了P~(32)、Tl~(204)、Cs~(137)等同位素的β谱。谱仪是由探头、高压电源、线性放大器、单道分析器和定标器组成。探头[图一]是由直径φ=32毫米、高h=11.5     

小麦根系在越冬期间的生理活动

1.在越冬期间小麦的根系并不停止生长。根据1958—1959年的观察,从12月初至2月初这610余天中,根系生长了2尺以上。 2.越冬期间的根系能够将施入土壤中的(NH_4)_2SO_4转化为氨基酸。 3.根系在越冬期间具有相当显著的呼吸活动,其过氧化氢酶、转化酶和磷酸化酶都是可以测出的。 4.当向介质中施入含有P~(32)的磷酸盐溶液时,在12小时内(没有在更短的时间取样)P~(32)遍及于植株全体,P~(32)在各器官中的分布表现出明显的生理陡度,说明P~(32)的进入植物体确系由于生理吸收,而非机械吸收。 5.对于在田间条件下应用同位素研究越冬期间根系的生理活动进行了总结和讨论。     

在不同光照长度下大豆对P~(32)的吸收

本文实驗用放射性同位素P~(32)示踪,試探大豆短日性植物于光照阶段的光敏感时期,在不同光照长度下对磷的吸收。試驗于1960年9月至10月进行,材料用广东南海县大瀝公社的大豆优良品种,方法用P~(32)拌土,植株盆栽,每盆用     

砷化镓P^＋Pnn^＋结构缓冲层的深能级分析

用低品位廉价砷化镓衬底制备了具有P~ Pnn~ 结构的Al_xGa_(l-x)As/GaAs太阳电池,对一组具有P型层桔构参数相同、n型缓冲层厚度不同的样品作了细致地深能级瞬态谱(DLTS)的测量分析.结果表明缓冲层的生长厚度大于6μm后,才可有效地阻挡来自衬底的不良影响,使深能级缺陷密度降至符合制备高效太阳电池的要求.     

甲状腺肿瘤中突变型P~(16)蛋白和PCNA的表达及意义

应用免疫组化LSAB法对22例甲状腺癌及20例甲状腺腺瘤的突变型P~(16)蛋白表达研究,结果发现:P~(16)甲状腺癌和甲状腺腺瘤表达率分别为45%及10%,两者表达率有显著性差异(P0.05);甲状腺恶性肿瘤中乳头状癌及滤泡性腺癌P~(16)的表达率两者无显著性差异(P>0.05).提示突变型P~(16)表达及PCNA的检测对研究癌基因在甲状腺癌发生发展中及细胞异型增生中有重要作用.     

光周期对黄麻吸收与累积P~(32)的影响初步报告

一、引言光照长度是制约黄麻开花的主导因子。众所周知,磷是植物的必要元素之一,它不仅是植物细胞原生质中的主要组成元素。而且也是细胞核的组成元素,对植物各个生命活动过程起着重要的作用,糖类日代谢与多糖的形成,都有含磷化合物的直接参与。本文试图用示踪原子P~(32),探求黄麻在不同的光周期作用下对磷素的吸收以及在不同器官中P~(31)的积累变化,初步了解黄麻从营养生长转向生殖发育期间的內部生理活动的一个方面,为今后进一步研究与光周期诱导有关的代谢问题提供线索。     

P~(53)的功能及在肿瘤预后中的意义

<正>自人类第一个抑癌基因Rb(retinoblastoma)克隆鉴定以来,人们才逐渐认识到10多年前发现的P~(53)基因被误认为原癌基因了.已观察到P~(53)有两种表现形式:突变型和野生型.越来越多的研究表明:野生型P~(53)是抑癌基因家族中的重要成员.它控制着细胞周期,DNA的修复与合成,细胞的分化,基因的修饰以及细胞的死亡程序.如果这种作用减退或消失,在DNA受损或受损过重时,就会出现子细胞的失控性生长.在众多的肿瘤中已发现了有P~(53)基因的异常,随着对肿瘤突变区的进一步了解,发现人类肿瘤的60%有P~(53)基因突变,其中80%是错义突变,还有移码突变和无     

溶胶凝胶法制备(Y,Gd)(V,P)O_4∶Eu~(3+)纳米红色荧光粉

使用溶胶凝胶法将Gd~(3+)和P~(5+)掺杂到纳米YVO4∶Eu~(3+)体系中,得到纳米红色荧光粉(Y,Gd)(V,P)O_4∶Eu~(3+).通过X射线衍射,透射电镜和扫描电镜测试表明,样品的结晶度较好,具有球形形貌并有较好的分散性,其颗粒尺寸约为40nm.通过对系列样品激发光谱的对比研究发现,掺入Gd~(3+)和P~(5+)后,样品在真空紫外区域内基质吸收的强度明显增加,对应在发射光谱中Eu~(3+)在619nm处的红光发射强度也明显增强,其中Eu~(3+)的5 D0-7 F2红光发射强度相当于商用红粉KX-504的109.7%,并且其色坐标比商用粉更加接近标准红色值,说明其色纯度更好.     

羊栖菜多糖对肿瘤细胞P53基因蛋白表达的影响

采用Westernblot法测定P~(53)基因表达，研究羊栖菜多糖对肿瘤细胞P~(53)基因表达的影响。表明羊栖菜多糖组P~(53)基因表达阳性率明显高于阴性对照组。羊栖菜多糖可显著诱导肿瘤细胞野生型P~(53)水平的增加，从而达到抗肿瘤的作用。     

用切伦科夫计数测定植物体中的~(32)P

本文叙述用切伧夫计数枝术,测定小麦样品中~(32)P的放射性。样品在60℃时溶于1毫升浓硫酸内,用0.5亳升30％过氧化氢去色,加水至10毫升后进行测定。用样品道比法进行淬灭校正。结果表明,本法在稳定性和重复性上都比较满意,可用于测定其他植物体中的~(32)P。同时,本文就影响测量的各种因素进行了较为广泛的讨论。     

硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火,对注B 和注P 样品分别测量了经1100℃、15秒和1050℃、12秒退火后注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规热退火样品作了比较;结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小及易于推广使用等优点.对于100keV、1×10~(15)cm~(-2)P 注入样品,经1050、10秒卤钨灯辐照退火后,表面薄层电阻为74.8Ω/□;对通过920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)B 注入样品,经1100℃、15秒卤钨灯辐照快速退火后表面薄层电阻为238.0Ω/□;而经过950℃、30分钟常规热退火后,以上两种样品的表面薄层电阻分别为72.0Ω/□和245.8Ω/□.采用这种退火方法制作出了结深为0.10μm 的近突变P~ N 结,并测量了结深与退火时间的关系.     

MeV P^＋／Si^＋共注入SI—GaAs制备高品质n^＋埋层

采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)～3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P~+与Si~+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si~+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n~+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm~2/(V·s),激活率可达95％以上。     

用硅胶吸附除去铀中~(95)Zr-~(95)Nb 的研究

从辐照过的核燃料中提取纯化铀和钚,目前仍以 Purex 流程为主。在该流程中得到的铀产品按 β—放射性物质的含量是合乎要求的;但就γ—放射性物质的含量而言,就超过了允许量的一到两倍。所含γ—放射性物质主要是~(95)Zr—(95)Nb 等裂变元素。从铀中除去~(95)Zr—~(95)Nb 在国外早就提出了用硅胶柱吸附除去的方法;我国台湾省也报     

黑带食蚜蝇对烟蚜的捕食功能反应及寻找效应

黑带食蚜蝇若虫对烟蚜的功能反应符合Holling Ⅱ型,其雌雄模型分别为Na=0.7616N/(1十0.0076N)和Na=0.6911N/(1+0.072N),食蚜蝇捕食烟蚜的数量随烟蚜密度地增加而增加,但寻找效应随烟蚜密度地增加而降低。雌虫和雄虫的日最大捕食量和最佳寻找密度分别为46.76、43.45头和20.00、20.24头。黑带食蚜蝇寻找效应随自身密度地增加而降低,雌、雄若虫的数学模型分别为E=100.9567P~(-0.8450)和E=98.7846P~(P-0.8086)。雌、雄以及雌雄混合种群干扰反应的数学模型分别为E=26.9776P~(P-0.2198)、E=25.0311P~(-0.1773)和E=23.4271P~(-0.1505)。     

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在P型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻P型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为P~ ,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。     

Si~(29)、P~(29)、P~(31)和W~(183)的非轴对称转动能谱

我们分析了Si~(29)、P~(29)、P~(31)和W~(183)的低激发能谱,发现可以用j=1/2粒子和核心的非轴对称转动耦合的能谱来解释。     

硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性

制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键。本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果。器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P~+N~(++)区是电子发射有源区。N~+环区为接触区。P~+和N~(++)区分别由硼和砷离子注入形成。硼注入条件为25KeV,1.5 E13cm~(-2)+60 KeV,1.5 E13cm~(-2)。硅片在B~+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活。砷注入条件为10～12.5 KeV,5E14cm~(-2) ,注入后经1150℃、15秒快速热退火以使As离子得到有效激活而尽量减少杂质分布的变化。由此形成的N~(++)P~+结的结深约为300A。外加电压V_R通过N~+接触区和硅片底部加到N~(++)P~+结上。此外加电压极性使N~(++)P~+结反偏。当反偏电压V_R使N~(++)P~+结工作在雪崩击穿区时,     

基于电子鼻的鱼类新鲜度估计研究

以新西兰市场上最受欢迎的四类鱼(红甲鱼、鲂鱼、唇指鲈和(澳洲)鲹)为对象研究鱼的新鲜度。在同一实验室环境下,运用便携式电子鼻Cyranose 320测量这四类鱼被储藏第1,2,5,6,7,8,9,10(第3,4天的未测量)天后对应的同一样品,每个样品测量一次对应每个传感器平均采样2000个左右数据,获得大约2.048×106[4(鱼)×8(天)×32(传感器)×2 000(采样)=2 048 000]个数据。将实验数据进行特征提取及人工神经网络(ANN)分析处理,得到传感器对每类鱼每天的响应模式,进而估计鱼的新鲜度,获得了91%以上的正确识别率。研究结果表明该方法是实用可行的。     

质量数A=30,31,32原子核能谱的壳模型计算

本文应用多粒子壳模型的 Talmi 方法,系统地计算了 A=30,31,32的核能谱。计算限于由2S_(1/2)和1d(3/2)壳层产生的情态,顾虑了它们之间可能的全部组态混合,采取 j-j 耦合表象,并假定同位旋是好量子数,定出了2S_(1/2)和1d_(3/2)壳层的二体核力和库伦力矩阵元,利用这些矩阵元,计算了 S_i~(30),S_i~(31),P~(30),P~(31),S~(31),S~(32)原子核的由2S_(1/2)和1d_(3/2)壳层产生的全部能谱,计算结果与实验符合甚好,少数没有得到解释的低位置实验能级,有些可能在顾虑到1d_(5/2)壳层核子的激发后得到解释.     

在发展FA技术中应用P^3I方法的研究

本文论述了在发展工厂自动化技术中应用P~3I方法的可能性与必要性,认为,在发展FA技术,特别是计算机集成制造系统(CIMS: Computer Integrated Manufacturimg Systems)技术中应用预先计划好的产品改进方法可以减少投资,减少风险,缩短研制周期,并能根据需要不断改进性能,以适应各种不同需要。提出了在发展FA技术中实施P~3I方法的关键内容.