赝三元半导体致冷材料的研究

研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10~(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。     

模具材料抵抗表面损伤的性能指标与模具寿命的关系研究

表面损伤对模具失效和模具寿命有着重要的影响,提高模具材料抵抗各种表面损伤失效的性能指标,就可以防止或延缓模具失效,从而提高模具寿命。     

平面材料的最优切割次序

证明了平面材料切割时的两个排序准则,对极先切割边的情形进行了探讨.最后给出了一个非常简便的0 1 整数规划模型     

金属氧化物傳感材料的表面研究

本文运用多相反应动力学的吸附理论和半导体电子催化理论,研究了湿度化学传感器和气体化学传感器传感材料的表面过程和反应机理,得出若干金属氧化物具有性能稳定,选择性强、活性高、应答速度快等优点,是极好的化学敏感材料,并指出了开发新型传感材料研究的趋势。     

环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究

运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.     

扫描光荧光表征半导体材料特性

报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.     

材料断裂表面的真实分维

从理论上给出了材料断裂表面真实分维的测量、计算方法．这对于材料断裂表面分形结构生成的物理机制研究是有意义的．     

高功率微波对杂质半导体材料的透射计算

主要研究了HPM脉冲直接辐照半导体材料情形，给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时，透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透射进入内部的电场值，电流密度。     

一类弹塑性损伤材料的切线模量

基于不可逆热力学和内变量理论，讨沦一种考虑各向同性损伤和组合强化(各向同性强化和随动强化同时存在)的弹塑性模型，依广义正交法则，由状态势和耗散势函数推导出了耦合损伤的弹塑性切线模量。     

阳极氧化InP表面和界面的AES研究

利用俄歇谱线的形状和能量位移分析了阳极氧化InP的表面和界面,对在pH=2.6和pH=6两种酒石酸+丙烯乙二醇电解液生长的InP氧化物,研究了其组分和键合态.     

金属切削中进给方向毛刺的生成机理及其控制

以切削运动和进给运动方向为基准,对切削毛刺进行了分类,建立了金属切削中进给方向毛刺生成模型.并对其生成机理进行了实验研究和相应的理论分析,揭示了进给方向毛刺生成机理及其主要影响因素.进而提出了抑制进给方向毛刺的若干措施,开发出几种控制和减少进给方向毛刺的新方法.     

缓磨时工件表层温度分布的计算机仿真研究

该文在关于缓磨时的磨削热、接触弧区换热过程以及工件表层非稳态温度场的深入研究的基础上，构造了一可用于计算烧伤前后工件表层温度场畸变历程的数学模型，并据此完成了关于缓磨烧伤的数字仿真研究，仿真结果与缓磨实际烧伤过程吻合良好，文中率先阐明了缓磨烧伤的热机理，它不仅确证了缓磨烧伤是一具有明显前兆特性的典型渐变过程，同时为今后进一步开发缓磨工艺潜力指明了方向。     

热电材料的电学性能测试装置研制

介绍一种能够测量材料的温差电动势率和电导率的装置．     

高速剪切机剪切部件的虚拟开发研究

利用虚拟开发技术，对高速剪切设备的关键部件－剪切装置进行深入研究。在建立必须且可行的虚拟开发环境的基础上，进行了产品分析和CAD建模，确定了剪切部件虚拟开发的结构体系，设计了剪切部件的初步结构并进行虚拟装配，应用DVM技术，进行了运动分析和力学分析。     

低速正交金属切削中工件表层加工硬化深度的预报

该文根据金属塑性变形理论，详细描述了金属切削变形区内的弹塑性应力场，确定了低速正交金属切削时工件表面层加工硬化深度的预报准则，并利用有限元法模拟已加工表面的形成过程，获得了加工硬化深度的数值解。     

原子力显微镜研究多晶硅和铝硅合金表面形貌

利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积多晶硅薄膜的表面形貌。发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度均非线性地增大。     

超声滚压表面粗糙度的研究

超声-滚压强化工艺是在一般滚压工艺基础上发展起来的一种复合工艺.它是利用超声和机械的特点,对半精加工后的金属表面进行光整强化的一种新工艺.该工艺效果非常明显,它既可以大幅度降低表面粗糙度,又可以提高零件表面显微硬度、残余压应力,还可细化表面金相组织,因此,它可提高零件的接触面积、承载能力、耐磨性、耐蚀性、耐疲劳强度和配合稳定性等性能.本文仅对降低表面粗糙度进行试验研究,并得出了一些有益的结论,对生产实践有普遍的指导意义。     

大螺孔振动攻丝机理及实验研究

提出了一种大螺孔攻丝的新工艺方法——大螺孔振动攻丝,通过对M72螺孔振动攻丝实验研究,较为深入地探讨了振动攻丝的切削机理,由于振动攻丝从本质上改善了切削性能,故它可以一定程度的降低切削扭矩,提高表面质量及加工精度,结果表明,采用这种新工艺可以解决目前大螺孔攻丝表面质量低劣的难题。     

碲镉汞晶体辐射损伤的高分辨电镜研究

用高分辨电子显微镜观察了碲镉汞晶体的显微结构.发现在[110]方向观察时结构有较强的电子辐射损伤.用电子衍射、能谱和高分辨电子显微术的进一步研究表明,电子辐射作用可使碲镉汞晶体析出CdTe;辐射还可使某些区域出现结构无序化.此外,碲镉汞晶体在电子辐射作用下还可发生原子位移,导致超晶格现象的出现.