金属微粒-介质复合薄膜(Ag-BaO)的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒-介质复合薄膜,会存在各种不同的微观结构缺陷。为研究它的这种缺陷,制备了Ag微粒-介质(BaO)复合薄膜,并在不同温度下退火,对这些样品做了正电子湮没寿命实验,结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少,这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷经退火而得到改善。     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．     

基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成

正电子湮没技术（PAT）是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术（PAT）是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV.     

用正电子湮没寿命谱研究锰锌铁氧体纳米晶的缺陷结构

采用溶胶一凝胶法,在不同退火温度下得到了3种不同粒径的锰锌铁氧体纳米晶．利用X射线衍射研究了纳米晶的晶体结构和粒径,借助正电子湮没寿命谱仪讨论了纳米晶的缺陷随粒径的变化．结果显示,所得锰锌铁氧体纳米晶为立方尖晶石结构,且随着温度的升高纳米晶不断长大;随着粒径的增大,纳米晶的表面缺陷减小,晶界间的自由体积发生复合．     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

未掺杂SI—InP中缺陷的正电子寿命研究

在１０－３００Ｋ的温度范围内,测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱,用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷。观察到在１０－２２０Ｋ之间正电子的平均寿命τｍ随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位ＶＩｎ的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态。     

基片温度对Cu—TiC复合薄膜的影响

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响。Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备。测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构。结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜中ＴｉＣ含量增加，Ｃｕ和ＴｉＣ的晶化逐步完善。     

乙烯—辛烯共聚物微结构的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱（ＰＡＬＳ）研究了在１４０～３５０Ｋ温度范围的内弹性乙烯－辛烯共聚物（ＰＯＥ）在１４０－３５０Ｋ温度范围内的自由体积的结构转变特性,得到ＰＯＥ的玻璃化转变温度Ｔｇ和次级转变温度Ｔｇ分别为２２０,１７０Ｋ并分析了决定其正电子湮没参数和结构转变的化学结构因素。     

正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究

用正电子湮没技术对YAG/Nd晶体不同位置进行了探测。实验结果表明,YAG/Nd晶体的不均匀性、缺陷的分布以及退火处理后晶体缺陷减少的情况与正电子寿命,多普勒增宽线形参数有对应关系。紫外光谱分析说明,YAG/Nd晶体中缺陷捕获态主要与色心有关。     

氧化钒系PTC陶瓷相变的正电子湮没研究

80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,讨论了正电子湮没参量与材料微观结构变化之间的关系。1.样品制备及实验     

应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响

应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

奥氏体316不锈钢微观缺陷的热演化

从微观结构缺陷热演化的角度研究奥氏体316不锈钢。对样品由373 K升温到1 473 K,然后间隔50 K,等时退火。微观缺陷由正电子湮没谱(positron annihilation spectroscopy, PAS)和透射电子显微镜(transmission electron microscope, TEM)表征。随着退火温度的升高,空位型缺陷逐渐回复。在退火温度673～823 K范围内,出现明显的位错聚集和位错网的非均匀分布。在退火温度873 K后,位错型缺陷逐渐回复。退火温度873～973 K时有大型微观析出相析出。随后,析出相尺寸减小,大部分在1 123 K之前回溶。在1 373 K退火后,样品中几乎没有缺陷。     

镍—金刚石复合电镀的研究

研究耐磨性镍－金刚石复合镀层的共沉积过程，讨论镀液中金刚石微粒的悬浮量，镀液温度和阴极电流 对复合镀层中金刚石共沉积量的影响结果表明：选择适当的共沉积参数，可制备出金刚石微粒弥散较为均匀的耐磨复合镀层，镍－金刚石共沉积机理符合Ｇｕｇｌｉｅｌｍｉ的两步吸附模型，其速度控制步骤为强吸附步骤。     

退火温度对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金磁后效和正电子寿命的影响

测量了制备态和经不同温度（ｔａ ＝ ４５０ ～７５０ ℃） 退火的Ｆｅ７３－５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３－５Ｂ９ 合金的室温磁后效和正电子寿命·发现在６００ ℃以下退火,随着退火温度升高,磁后效和正电子寿命都单调下降;在６５０ ℃以上退火,磁后效基本被抑制,正电子寿命出现两个值,它们分别对应自由体积和空位聚集体,且后者显着增大·实验结果表明,磁后效主要由材料中的非晶相所贡献,这是由于非晶相中存在大量自由体积的缘故·     

退火温度对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9合金磁后效和正电子寿命的影响

测量了制备态和经不同温度(ｔａ＝４５０～７５０℃)退火的Ｆｅ７３－５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３－５Ｂ９合金的室温磁后效和正电子寿命·发现在６００℃以下退火,随着退火温度升高,磁后效和正电子寿命都单调下降;在６５０℃以上退火,磁后效基本被抑制,正电子寿命出现两个值,它们分别对应自由体积和空位聚集体,且后者显着增大·实验结果表明,磁后效主要由材料中的非晶相所贡献,这是由于非晶相中存在大量自由体积的缘故·     

镶嵌结构锗纳米晶电输运的研究

利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5~7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K~300K温度范围内符合莫特变程跳跃电导(VRH)导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.     

钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱

采用固相反应法成功制备了钆掺杂样品Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).X射线衍射对样品的检测结果表明,在整个掺杂范围内样品单相性很好;利用正电子湮没技术对样品缺陷进行了研究,掺杂使微缺陷复合成大的空位团,导致缺陷尺寸变大;采用标准四引线法测量了样品电阻率随温度变化,反位缺陷、缺陷尺寸及GdFeO3和GdMoO3团簇是影响样品电阻率的重要因素.     

高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型

从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．     

PET低温自由体积特征的正电子谱学研究

应用正电子湮没技术，测量了ＰＥＴ（聚对苯二甲酸乙二脂）在不同温度下的正电子湮没寿命谱。使用正电子寿命谱的离散分法（ＰＡＴＦＩＴ），根据正电子湮没参数随温度的变化，两个次级转变点Ｔβ和Ｔγ被确定。利用最新发展的连续谱的分析程序（ＭＥＬＴ），得到几种不同温度下的自由体积的分布，发现低温下自由体积大小，数量及分布并非常量，同时发现在极低温（３０Ｋ）下，自由体积的分布很宽。