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相似文献
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1.
IGBT串联运行时的动态均压   总被引:4,自引:0,他引:4  
分析了高电压工作中IGBT串联运行时导致端电压静态和动态不均衡的种种原因,给出了几种改善端电压不均衡的具体控制措施和电路,主要给出了对称均压电路和驱动控制均衡电路,经实际应用表明效果良好。  相似文献   

2.
可关断晶闸管(GTO)是具有自关断能力的新一代电力电子元件。由于GTO对门极电路有着特殊要求,使得门极电路成为GTO应用技术的关键本文仅就门极电路作一初步探讨。  相似文献   

3.
集成门极换流晶闸管驱动电路的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据集成门极换流晶闸管驱动电路基本逻辑功能的要求,提出应用电子设计自动化技术和复杂可编程逻辑器件芯片实现高可靠性、单片化、灵活设计的方案,设计出一种采用了硬驱动和集成门极技术的集成门极换流晶闸管门极驱动电路.该电路具有结构简单,开关速度快,可靠性高,增加保护电路和测试电路方便等优点.电路仿真结果表明,开通时门极电流可在2μs内迅速达到200A左右,关断时电流门极电流可在4μs内抽取400A左右,符合集成门极换流晶闸管开通和关断时的特性要求.  相似文献   

4.
提出了一种使用阴极开路技术的GTO关断电路,该电路具有高开关速度、低能量损耗等优点,并且能很好地政善电路的抗du/dt能力.  相似文献   

5.
IGBT串联运行时的动态均压   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   

6.
RLC串联电路暂态过程临界阻尼电阻的测定   总被引:2,自引:2,他引:0  
分析了RLC串联电路暂态过程中阻尼电阻、振幅及阻尼度之间的关系.并对用相邻振幅值(Ln和Ln+1)求电路临界阻尼电阻的方法进行了实验验证,该方法有较高的准确度.  相似文献   

7.
分析了RLC串联电路临界阻尼过程临界电阻的实验测量值与理论值偏离的原因.通过傅里叶变换,将临界阻尼电流展开成频率连续的傅里叶积分式.对临界阻尼电流傅里叶积分式进行离散化,抽样成为有限个谐波的傅里叶多项式,近似表示临界阻尼电流.分别以各次谐波电流作用于RLC串联电路,测出电感和电容上的损耗电阻.从而对临界阻尼电阻的测量值...  相似文献   

8.
减小电压串联负反馈电路噪声影响的探讨   总被引:2,自引:2,他引:0  
通过分析电压串联负反馈对电路的噪声影响,给出了该反馈电路的低噪声化条件.  相似文献   

9.
提出的辅助电阻法解决了使用网孔分析法或节点分析法求解混源电路时需引入辅助变量的问题。  相似文献   

10.
电位差计是利用补偿原理测量电动势(或电压)的一种精密仪器。该文充分利用电位差计的补偿原理,设计了两个测量电阻的简易电路,并分析各个电路的优缺点和对测量结果的影响因素。它不仅展示了电位差计测量电阻的高精度和便捷性,还拓展了电位差计的应用功能。  相似文献   

11.
分析了SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅-阴极击穿电压的影响,讨论了如何进行正向阻断电压和栅-阴极击穿电压的控制和调节。  相似文献   

12.
高压IGBT的驱动器应用研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
介绍了一种新一代高性能的高压IGBT的集成驱动器SCALE的工作原理、特性以及过流保护的特点,重点讨论了在实际应用中注意事项,并给出了有关的实验波形。  相似文献   

13.
分析了影响50Hz SPWM 逆变电源输出电压特性的因素;针对其输出电压控制特性中存在的由于滤波网络导致反馈信号延迟大,进而引起电压超调量大、调节时间长等问题,提出了一种在反馈通道中加入特殊变结构控制的方法,将死区非线性控制与微分加相角超前网络结合起来,以解决电压控制中动、静态特性问题.实验证明该方法是非常有效的.  相似文献   

14.
本文研究了不同掺Al量和各种烧成条件对ZNR(Zinc oxide nonlinear resistor,即ZnO非线性电阻)I-V特性的影响,从理论上分析了不同掺Al量引起ZNR的I-V特性曲线变化的原因,讨论了烧成条件对ZNR残压和大电流冲击蜕变性能影响的机理,最后获得了性能优良的ZnO非线性电阻片的制作技术.  相似文献   

15.
介绍了测量TTL反相器和CMOS反相器电压传输特性曲线的一种新方法。通过应用简单的数学函数关系式对示波器的x轴重新标定,将x轴代表的时间转换为输入电压。从而使TTL反相器和CMOS反相器的电压传输特性曲线能够在示波器荧光屏上形象而又直观地显示出来。  相似文献   

16.
一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.  相似文献   

17.
考虑暂态电压稳定的二级电压紧急控制   总被引:1,自引:0,他引:1  
建立暂态电压稳定分析的微分代数方程组,并提出应对暂态电压稳定问题的二级电压紧急控制策略.该紧急控制策略在常规二级电压控制的基础上减小二级电压控制的时间常数,并将系统发生故障后电压失稳最严重的负荷母线的电压偏差引入到二级电压控制的目标函数中,采用有效集法求解紧急二级电压控制的二次规划模型.在PSAT仿真环境下建立含二级电...  相似文献   

18.
针对传统直接转矩控制系统的不足,提出了一种基于空间矢量脉宽调制(Space Vector Pulse Width Modulation,SVPWM)的直接转矩控制方法,并将其应用在刮板输送机变频驱动中.研究了刮板输送机传动系统的构成和负载特性,对直接转矩控制技术的基础理论进行了分析,对其低转速转矩脉冲大的原因进行了详细的研究,构建了基于SVPWM的直接转矩控制系统模型,利用Simulink对此模型进行了仿真.仿真结果表明,采用SVPWM技术能够弥补直接转矩控制系统下低速转矩脉冲大的缺陷.  相似文献   

19.
阻容型分压器在脉冲电容器放电特性研究中的应用   总被引:7,自引:0,他引:7  
该文设计了一种包括脉冲电阻分压器和高压云母电容器的阻容型分压器,用于脉冲电容器放电特性的实验研究。在脉冲电容器充电过程中,高压云母电容器承受高电压;在脉冲电容器放电过程中,脉冲电容器的瞬变电压在脉冲电阻分压器上产生输出电压。通过合理设计阻容分压器的电容、电阻值,可以准确测量脉冲电容器的充电电压和放电波形。该文用阻容型分压器分析了一种脉冲电容器的放电特性。  相似文献   

20.
介绍了自动调压器工作原理,针对自动调压器使用过程中出现的问题,提出了一种实际的解决方案,为避免调节过程中的死循环操作,使得试验过程的自动化成为可能,进行了程序设计。  相似文献   

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