InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质改善的物理机制

利用数值模拟方法,研究InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质相对传统量子阱结构光电性质改善的物理机制。模拟结果显示,与InGaN/GaN传统量子阱相比,耦合量子阱结构的电压 电流特性得到有效改善,获得较高发光强度和光输出功率。其光电性质改善的主要机制是:InGaN/GaN耦合量子阱结构能够减小电场强度、势垒高度和厚度,从而加强阱中载流子隧穿效应,改善有源区载流子分布均匀性,同时,阱层中电子 空穴波函数重叠率也得到提高。     

准对称耦合量子阱与光开关结构优化设计

根据光开关对量子阱材料的要求,提出了具体的量子阱结构优化原则。以准对称耦合量子阱为蓝本,利用此优化原则,对其结构进行优化。通过对优化后的准对称耦合量子阱电光特性的分析,发现该量子阱结构在低工作电压(F=40 kV/cm)、低吸收系数(α<100 cm-1)的情况下仍有一很大的场致折射率变化(对TE模入射光,(Δn)max=0.021 6;对TM模入射光,(Δn)max=0.033),从而验证了优化程序的正确性。     

多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究

为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题,以k.p理论为基础建立多量子阱模型,分析研究了GaN基LED中不同的InGaN/InGaN多量子阱发光层势垒结构.基于化合物半导体器件的电学.光学和热学属性的有限元分析,设计与优化多量子阱中靠近P型AIGaN电子阻档层倒数第二层势垒,显著提高了光输出功率,减少漏电流.数值模拟分析表明,改良多量子阱势垒能够大幅提高高亮度,高功率器件结构光电特性.     

量子点量子阱结构中激子的极化效应(英文)

考虑激子与体纵光学声子的相互作用,采用变分法研究了量子点量子阱结构中澈子的极化效应.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,得到了激子的基态能量和束缚能.研究结果表明,声子对澈子束缚能的贡献随着阱宽的增加而增加,极化子效应不能忽略.激子的基态能量和束缚能明显依赖于量子点量子阱结构的核半径和壳层厚度,量子点量子阱结构的尺寸对激子-声子相互作用有重要的影响.     

双量子阱能态结构研究

把共聚物简化为两个有限深量子阱———双量子阱模型 .着重研究了双量子阱中阱深、阱宽及势垒宽度对其能态结构的影响 ,从而对共聚物的合成等研究具有重要的指导意义 .     

对称耦合量子阱能级特性研究与量子阱结构优化

采用无限深势阱模型分析对称耦合量子阱中最低子能级的形成,并利用二能级体系理论给出对称耦合量子阱中各子能级随外电场的变化规律。根据理论分析,指出了对称耦合量子阱在量子阱光开关应用中的优势和不足,并提出了一种新的耦合量子阱结构——准对称耦合量子阱。     

QD-QW结构中的振动本征模

使用连续介质模型研究了量子点-量子阱结构中的振动本征模.对不同阱宽的ZnSeQD-QW结构计算并取得了具体结果.发现该结构中界面声子的本征频率依赖于阱的宽度.角量子数越小的界面模能量越依赖于阱的宽度.     

InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备

针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑的计算方法，从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益，给出多量子阱激光器的最佳阱数选择，根据设计结果，生长了ＩｎＧａＡｓＰ分别限制量子阱结构．利用质子轰击制得条形量子阱激光器，实现室温连续工作．阈值电流为６０ｍＡ，激射波长为１．５２μｍ，单面输出外微分量子效率为３６％．     

半抛物量子阱中折射率双峰结构改变的研究

吸收边缘半抛物量子阱折射率的双峰结构的改变作为入射光强度的功能一直被研究,而且已经获得运用密度矩阵和迭代法所推导的关于折射率改变的公式．并呈现了在典型的AIGaAs／GaAs量子阱中所推导的数值结果．结构表明,入射光强度和半抛物量子阱的束缚频率是对折射率双峰结构的最大影响参数．     

半抛物量子阱中折射率双峰结构改变的研究(英文)

吸收边缘半抛物量子阱折射率的双峰结构的改变作为入射光强度的功能一直被研究,而且已经获得运用密度矩阵和迭代法所推导的关于折射率改变的公式.并呈现了在典型的AIGaAs/GaAs量子阱中所推导的数值结果.结构表明,入射光强度和半抛物量子阱的束缚频率是对折射率双峰结构的最大影响参数.     

三量子阱超晶格单元结构电流特性的数值研究

通过数值求解非平衡态维格纳函数,研究了三量子阱(three-quantum-well)超晶格单元结构共振隧穿电压-电流特性.计算结果表明:增大阱宽,减小垒宽或势垒高度可使峰值电流对应电压逐渐增加,电流峰值逐渐增大;增加掺杂浓度或降低温度可使电流峰值增大,而对应电压值保持不变.     

中心掺杂对CNT-C_(60)-CNT分子结电子输运性质影响的第一性原理研究

用第一性原理计算方法研究了在C60中心掺入Si、Li、Au等单原子后对CNT-C60-CNT分子结电子输运性质的影响,包括掺杂前后各体系在不同接触距离下输运性质的变化.计算结果表明:在C60中心,Li原子的存在显著增大了其平衡电导,而Si,Au等原子对体系电子输运性质的影响比较复杂.最后,研究并比较了各体系在非平衡态下的I-V特性.     

金属硅化物—硅功率肖特基二极管

本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流－电压法和电容－电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/N-Si三种肖特基势垒二极管特性，其势垒高度分别为0．61eV、0．66eV0．66eV，理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物－n型硅肖特功率二极管有优异的电学性能。     

多壁碳纳米管薄膜场发射规律实验研究

研究了CVD法定向生长的多壁碳纳米管薄膜的在高电压条件下场发射特性 .我们发现在固定电压条件下发射电流和时间的关系按指数规律减弱 .另一个值得关注的现象是碳纳米管的发射性能的不可恢复性损坏 .电流电压关系也由幂次关系I =aVb 改变为幂次关系I =a(V -V0 ) b′,其中 ,b和b′的值均为 2～ 3.最后讨论了电流减弱的原因     

历史唯物主义与中国特色社会主义

历史唯物主义和中国特色社会主义有着内在联系:历史唯物主义命运与社会主义联系在一起;历史唯物主义为中国特色社会主义提供强大思想武器;中国特色社会主义坚持和发展了历史唯物主义;历史唯物主义与中国特色社会主义相互促进共同发展.     

“中国特色社会主义政治发展道路”的提出及其背景和缘由

中国特色社会主义政治发展道路是一个年青的概念。无论在党的文献中,还是在学术界中,中国特色社会主义政治发展道路的提出,既是个逐步的过程,又有其背景和缘由。     

“核特色”资源勘查工程专业本科生培养的现状及几点建议

"核特色"资源勘查工程专业本科生培养关系到我国铀资源勘查行业的后续梯队发展。本文结合目前"核特色"资源勘查工程专业本科生培养的现状和存在的问题,并从三个方面提出了相关的建议,以期通过不断完善"核特色"资源勘查工程专业本科生的培养机制,为国家培养出更符合社会实际需求和更具有市场竞争力的专业人才队伍。     

外地人看“云南十八怪”——关于“云南十八怪”现象及产品认知度的调查

"云南十八怪"旅游市场中本地人市场相对稳定,但是游客和外来居民对该市场的关注度和好评度不高,这说明该市场开发存在一系列问题,这严重阻碍了该旅游市场的开发。通过深入调查和访谈,收集了外地人对"云南十八怪"的看法与意见,这些看法与意见能够使市场开发者对症下药,改进市场开发策略。     

中国特色社会主义理论体系的传统文化源脉

中国特色社会主义理论体系是马克思主义中国化的最新理论成果,具有鲜明的民族性。博大精深、源远流长的中国传统文化是中国特色社会主义理论体系生成、发展的母体文化土壤。民族复兴、实事求是、以人为本、和谐社会等重要命题的提出,体现党立足马克思主义基本原则对传统文化精粹的传承与超越。     

声强模式和运转振型模式分析在工业平缝机动态性能分析中的应用

为了探索改善工业平缝机动态性能的方法,引入声强谱分析、声强模式分析和运转振型模式分析。通过理论推导,开发了上述分析程序软件,并利用实验测试和计算机分析,研究了该机在空运转的振动和噪声特性,以便有效地改进该机的动态设计。