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硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。 相似文献
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转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用电学参数相同的材料制备器件,仍会出现成品率高低浮动.已有人用光致发光法研究GaAs材料性质.本文报道用光致发光法在线检测转移电子器件材料质量.测量结果表明,电学参数测量符合要求时,制备转移电子器件成品率较低的n-GaAs外延片中存在较高浓度的施主杂质与Ga空位的络合物. 相似文献
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六硼化镧(LaB_6)具有良好的热稳定性和化学稳定性,以及非常低的功函数和蒸发率,是一种性能优异的电子束发射阴极材料.该文对目前国内外LaB_6单晶的制备方法以及应用现状进行了介绍,对比分析了LaB_6单晶的几种主要制备工艺的优缺点,并报道了作者近期在铝助熔剂法和区域熔炼法制备高质量LaB_6单晶方面的研究进展,最后对LaB_6单晶阴极的应用前景进行了展望. 相似文献
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分析了A轴向生长单晶光纤的电磁场方程、场的表达式、边界条件以及色散方程。数值分析了几个低阶模式的色散曲线和横向场分量的结构特性;精确求解了各向异性A轴向生长的单晶光纤的电磁场方程,得到了横向场分量的精确解。利用精确到一阶的边界条件,得到各向异性A轴向生长单晶光纤的色散方程。数值分析了强各向异性A轴向生长单晶光纤仅存在m阶基元模式时的色散曲线以及横向场分量的结构特性。 相似文献
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纳米线(NWs)由于其独特的光电性质,已成为新时代信息与能源等技术的重要基础,对其生长机理的研究是当前纳米材料领域的重要课题之一.人们通常通过不同的物理化学过程(如化学沉积、物理沉积、元素合成法等)来描述其生长机理.该文基于蒙特卡罗方法,从概率统计的角度研究NWs气-液-固(VLS)生长机制.研究发现,催化剂液滴在基底上分布的均匀性越好,NWs的生长角度越接近垂直状态.NWs长度对催化剂薄膜厚度十分敏感,随着催化剂薄膜厚度的增加,NWs的长度整体呈增加的趋势,并且对于不同的薄膜厚度,均存在两个概率密度较高的NWs长度.研究工作为理解NWs微观生长机制提供了一种全新的视角,有望为相关NWs生长及其调控提供理论依据. 相似文献
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报道用正电子湮没寿命谱学法研究在引上法生长Nd∶YAP单晶中引入的“浸泡”工艺对晶体质量的影响,证实了“浸泡”工艺可以改善晶体质量. 相似文献
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介绍了测试Si,Ge,GaAS等单晶材料性能参数的一种方法-Van de pauw 法,通过实验和分析,得到了测试过程中电极的制作和测度的最佳条件。 相似文献
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本文采用四种不同的方法观察溶血对总胆红素测定的影响,从而找出干扰小、线性范围宽的试验方法。 相似文献
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针对在高等数学教学中旋转体体积求法这一难点,对比分析了采用柱体法、柱壳法、重心法三种方法求解旋转体体积的利弊,以期能帮助学生选择正确的方法、简化运算。 相似文献
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本文是在教学的基础上,综述了有机化合物芳香性的概念及其判断方法,并重点叙述了Hückel分子轨道法、微扰分子轨道法在处理分子芳香性上的应用. 相似文献
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给出两个关于SSOR方法的等价形式.从而证明了SSOR方法是一个具有两个松弛因子的有记忆迭代方法,并给出一个关于SSOR方法的改进格式. 相似文献
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Bernoulli方程是《常微分方程》中的一个重要非线性方程,在分析现有参考文献对Bernoulli方程解法研究的基础上,提出了一种新的方法——函数变换法.通过实例说明该方法的可行性,同时这种方法也对一阶线性非齐次微分方程同样适用,并且还为求解某些线性(甚至非线性)偏微分方程提供一些有价值的研究思路. 相似文献
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行列式的计算较复杂,常规的方法是利用行列式的定义和相关定理求解.讨论几种非常规的计算方法,如对称法、构造法和线性因子法等,根据所计算行列式的特点,选择恰当的方法将使得行列式的计算更加简便、快捷. 相似文献
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