淀粉的共振散射光谱研究

淀粉溶液在290,470和680nm处共产生3个共振散射峰．它是一种非线性光学介质,当激发波长为290nm时,淀粉超分子分别于290,580和870nm产生一个共振散射峰、一个1／2分频散射峰和一个1／3分频散射峰;当激发波长为680nm时,在680nm产生一个共振散射峰,而在340nm产生一个较该共振散射峰更强的2倍频散射峰,在227,450和907nm分别产生3倍频散射峰、3／2倍频散射峰和3／4分频散射峰．分频散射和倍频散射与共振散射有相似的散射行为．     

银原子团簇共振散射光谱的密度矩阵研究

以银原子团簇 (主 )共振散射峰作为共振散射光谱分布理论研究模型 ,采用密度矩阵法研究液相银原子团簇 (主 )共振散射峰 (7.0 6× 10 1 4 Hz,42 5 nm)和 1/2分频共振散射峰 (1/2× 7.0 6× 10 1 4 Hz,85 0 nm)的频率和强度分布。银原子团簇 (r =12 nm)溶液呈黄色 ,在 415 nm处有 1个吸收峰 ;在 470 nm处产生吸收谷 ,在485 nm处产生吸收峰 ,最大共振散射波长为 42 5 nm (× 10 1 4 Hz)。当 λex=42 5 nm时 ,在 42 5 nm处产生 1个主共振峰 ,在 85 0 nm (1/2× 10 1 4 Hz)处产生 1个 1/2分频共振峰。对于不同浓度的银原子团簇 (0～ 1.0× 10 - 5 mol/LAg) ,两散射峰的半峰宽度之比 (△ λ) 42 5 /(△ λ) 85 0 =2 /3,其散射光强度之比 I42 5 / 4 2 5 /I42 5 / 85 0 ≈ 3/1。在理想条件(真空 )下 ,理论推导出共振散射光中心峰带与两边峰带谱线的强度比为 1/3;中心峰与边峰的高度比为 3:1;边峰宽与中心峰宽之比为 3:2     

人红细胞的共振散射光谱分析

人红细胞是一种非线性光学介质 ,当入射光的频率ν不同时可获得红细胞的 2ν倍频、ν/2分频、ν/3分频、2ν/3分频散射峰。它在 310 nm、 470 nm、 5 6 0 nm、 6 0 0 nm处产生 4个共振散射峰。人红细胞浓度在 0 .0 5 8× 10 6 个/毫升～ 2 35 .5× 10 6 个 /毫升范围内与共振散射光强度 I6 0 0 nm成正比 ,据此建立了一个测定人红细胞浓度新方法     

金原子团簇的共振散射光强度函数研究

金原子团簇在320nm,470nm,580nm,720nm处产生4个共振散射峰,它是一种非线性光学介质,当入射光的频率γ不同时可获得金原子团簇的2γ倍频、γ/2分频、γ/3分频、2γ/3分频散射峰。探讨了影响散射光信号强度I（γ）的主要因素即散射光能量分布、强度分布比率、强度 分布比率、强度分布比率,粒径d、△γ、（λex-λ）和散射光辐射度,建立了一个合理的金原子团簇的共散射光强度函数。     

吖啶橙缔合微粒共振散射光谱法测定痕量NO-2

在8.0×10-3mol/LHCl-2.0×10-3mol/LKI介质中,吖啶橙(AO)在515nm处有1个同步荧光峰.当有NO-2存在时,NO-2与过量的I-反应生成I-3,I-3与AO形成缔合微粒,在320,560nm处产生2个共振散射(RS)峰,在470nm处产生1个同步散射峰.NO-2浓度在0.068～7.36mg/L范围内与320nm波长处的共振散射光强度成线性关系.据此建立了一个测定水中NO-2的共振散射光谱分析法.光谱研究结果表明,(AO-I3)n缔合微粒和界面的形成是导致体系RS增强的根本原因.     

吖啶橙缔合微粒共振散射光谱法测定痕量NO-2

在8.0×10-3 mol/L HCl-2.0×10-3 mol/L KI介质中,吖啶橙(AO)在515 nm处有1个同步荧光峰.当有NO-2存在时,NO-2与过量的I-反应生成I-3,I-3与AO形成缔合微粒,在320,560 nm处产生2个共振散射(RS)峰,在470 nm处产生1个同步散射峰.NO-2浓度在0.068～7.36 mg/L范围内与320 nm波长处的共振散射光强度成线性关系.据此建立了一个测定水中NO-2的共振散射光谱分析法.光谱研究结果表明,(AO-I3)n缔合微粒和界面的形成是导致体系RS增强的根本原因.     

阳离子表面活性剂-AuI-2体系光谱特性及应用

在HCl介质中,AuI-2与阳离子表面活性剂可形成较稳定的缔合微粒,它在560nm产生一个吸收峰,在320,470nm产生2个同步散射峰,在580nm产生1个共振散射峰.在一定条件下,阳离子表面活性剂浓度在0～7.0×10-5mol/L范围内遵循比尔定律,摩尔吸光系数高达1.904×104L·mol-1·cm-1.用于合成样和新洁尔净样品中阳离子表面活性剂的测定,结果满意.     

阳离子表面活性剂-AuI-2体系光谱特性及应用

在HCl介质中,AuI-2与阳离子表面活性剂可形成较稳定的缔合微粒,它在560 nm产生一个吸收峰,在320,470 nm产生2个同步散射峰,在580 nm产生1个共振散射峰.在一定条件下,阳离子表面活性剂浓度在0～7.0×10-5 mol/L范围内遵循比尔定律,摩尔吸光系数高达1.904×104 L·mol-1·cm-1.用于合成样和新洁尔净样品中阳离子表面活性剂的测定,结果满意.     

灰白黑纳米微粒铁酸钴的共振散射光谱研究

采用共沉淀-酸蚀法制备液相CoFe2O4纳米粒子.TEM和STM表明CoFe2O4纳米粒子呈球形,粒径为12nm.当CoFe2O4纳米粒子浓度低于8.4×10-6mol/L时在400,470,510,800和940nm产生5个共振散射峰.以它作模型,结合已有的实验结果提出了界面共振吸收概念和灰白黑纳米微粒共振散射原理,解释了CoFe2O4纳米粒子等体系的共振散射光谱.探讨了共振散射光谱分析体系的选择及提高方法选择性的途径.     

硒(Ⅳ)-碘化物-维多利亚蓝4R体系共振瑞利散射、二级散射和倍频散射法测定痕量硒(Ⅳ)

在0.16～0.32 mol/L的盐酸溶液中, 维多利亚蓝4R(VB4R)的共振瑞利散射(RRS)、二级散射(SOS)和倍频散射(MFS)均十分微弱. 在过量碘化物存在下, 当硒(Ⅳ)氧化I-形成I-3配阴离子并进一步与VB4R反应形成离子缔合配合物时, 3种散射均大大增强并产生相应的散射光谱. 最大RRS波长位于582 nm, 另在320 nm, 410 nm, 452 nm, 470 nm, 800 nm和940nm处有强度较低的RRS峰;此时最大SOS峰位于810 nm, 并在650 nm和940 nm有两个较小的SOS 峰,而最大MFS峰位于405 nm并在320 nm和475 nm处有两个较小的MFS峰. 在各自的最大散射波长处, 硒(Ⅳ)在0～1.0μg/25 mL(RRS和MFS法)和0～1.5μg/25 mL (SOS法)的浓度范围内与散射强度ΔI成正比. 方法有很高的灵敏度, 对硒(Ⅳ)的检出限分别为0.24 μg/mL (MFS),0.48 μg/mL(RRS)和 0.60 ng/ml(SOS). 3种散射法均可用于痕量硒(Ⅳ)的测量.     

时常频到时变频的变换算法

在自动控制系统中,经常需要产生时变频脉冲序列对伺服电机进行控制,或作为信号源进行科学实验.本文扩展了数控技术中插补算法的功能,用以产生各种时变频脉冲序列.算法只做整量的加、减计算,是高效率高精度的算法.     

高精度工频频率电压变换器

本文报导了一种高精度、低成本工频频率电压变换器（ＦＶＣ）。它由倍频电路、基本ＦＶＣ，低通滤波器和输出增益及调整级组成。其特点是电路简单，非线性误差小于０．０５％，所测频率的分辨率为０．５％Ｈｚ。本文详细介绍了其工作原理、电路结构及实验结果。     

等效频率特性法

本文论述用于非线性控制系统分析与设计的一种新方法——等效频率特性法。新方法将分析设计线性系统的频率法直接用于非线性系统的分析与设计，这既简化了计算，又能直观地表示出非线性特性对系统性能的影响。     

晶闸管相控变频器的频率比极限

通过分析晶闸管相控变频器输出电压谐波的方法，导出不同频率比时输出电压中低频分量和零频分量的定量数据，并说明如何应用这些数据，根据对输出电压质量的要求来确定频率比的极限值。     

标准频率指数统计法在汉语词频统计中的应用

用《标准频率指数》统计词频是一种先进的科学的词频统计方法,本文探讨了此种方法在新闻语料词频统计中的应用,这在汉语词频统计中尚属首次。     

高频电光调制的频率限制与多普勒效应

本文讨论了电光调制中由于调制频率的增加而对调制效应产生的影响以及用行波调制解决这一问题之原理。引入了相对调制频率的概念,发现行波澜制中调制频率的这种相对变化正与多普勒原理一致,从而揭示了问题的本质。进而指出在此种情况下,应当计及相对论性效应,运用作者曾导出的一般形式的多普勒公式于此情况,得出了改善频率限制的相对论性结果,其与现有理论结果之差别可用实验检验。     

截止频率与三种基本电路形态的高频特性

截止频率是影响共发射极、共基极和共集电极电路频率特性的重要因素。由于截止频率及其对电路不同连接方式影响的不同,三种基本电路形态的高频特性亦各不相同     

直接数字式频率合成器

本文详细介绍了直接数字式频率合成器的工作原理、组成框图和它的主要性能，并介绍了有关集成电路芯片。     

高频脉冲TIG焊的电弧控制及高频效应

本文通过研究脉冲焊电弧的电流、电压波形,发现电弧功率随频率增加而提高。由此提出自由电弧在脉冲电流作用下,其形态的动态过程属惯性系统的假设,并用20000幅/S的高速摄影进行了验证。通过对惯性系统电孤的可控性分析,发现自由电孤可由高频脉冲电流控制在非稳定状态上,此时电弧脉冲电压明显提高,这就是电弧的高频效应。本文还研究了影响高频效应的几个主要因素,着重分析了维弧电流的作用,提出高频时由于电弧的惯性,瞬间电流停止并不会导致电弧熄灭,因此得出高频焊不需要维弧电流的结论。     

通用变频器差频控制系统设计

提出了利用通用变频器组成转差频率控制变频调速系统的设计方法，并提供了系统的构成与实验结果